射频功率Trench MOSFET研制

在国内首次研制出了一种采用条状元胞结构、特殊的栅槽刻蚀条件、特殊的栅介质生长前处理工艺及多晶硅栅的射频功率Trench MOSFET器件。该器件漏源击穿电压大于62V、漏极电流大于3.0A、跨导大于0.8S、阈值电压2~3V、导通电阻比同样条件的VDMOS降低了19%~43%,在175MHz、VDS=12V下输出功率PO为7W、漏极效率ηD为44%、功率增益GP为10dB。     

高性能S波段Si微波脉冲功率晶体管研制

采用等平面自对准工艺技术研制成功的一种高增益、高效率和高可靠的S波段Si微波脉冲功率晶体管,该器件在f0为3.1～3.4 GHz、Vcc=32 V、Pw=500μs、D=10%条件下共基极C类工作,宽带输出功率大于50 W,增益大于7.4 dB,效率大于36%;在Vcc=36 V时,宽带输出功率大于64 W,增益大于8.5 dB,效率大于36%,抗驻波失配能力达到3∶1不烧毁,表现出了良好的微波性能和高的可靠性.     

电解抛光在6063铝合金金相试样制备中的应用

对6063铝合金的电解抛光方法进行了研究,根据电解抛光的一般原理通过试验选定了电解抛光的温度、时间、电流和电压等参数,制备出了晶界清晰、抛光面无划痕、符合显微组织观察和分析要求的金相试样,获得了比机械抛光效果更好的6063铝合金金相制样方法。     

某油田海底输油管线X65钢缓蚀剂筛选与评价方法

本文首先利用高温高压电化学反应釜对8种不同的缓蚀剂对X65钢在某油田海底输油管线工况下的作用效果进行了筛选和评价,然后利用高温高压动态反应釜对这8种缓蚀剂进行了相同工况下的传统腐蚀模拟实验,利用失重法计算了其腐蚀速率及缓蚀剂的缓蚀效率。对比高温高压电化学法及高温高压动态腐蚀模拟实验的筛选与评价结果,发现高温高压电化学法所测得的腐蚀速率明显偏高,但所测缓蚀效率及区分不同缓蚀剂之间效果的优劣与高温高压动态腐蚀模拟实验所测基本一致,可用于缓蚀效率的快速测定及缓蚀剂的初步筛选评价。     

米波功率放大器模块的小型化设计和研制

介绍了一种VHF功率放大器模块的小型化设计方法.为了解决设计中实现电性能指标所需电路多与功放模块体积小和功放模块的功率耗散大与模块盒体有效散热面积小这两个主要矛盾,采用了独特的腔体结构、简单的电源调制技术和传输线变压器宽带匹配技术.研制出的模块工作频率为220～270 MHz,增益50 dB,输出脉冲功率170 W,工作脉宽1 ms,占空比11%,体积为50 mm×40 mm×16 mm.该功率放大模块的研制成功为系统的小型化创造了一定条件.     

缓蚀剂HYH-9在模拟丽水36-1海底管道内部工况下的缓蚀性能

采用电化学试验、腐蚀模拟试验和挥发性测试试验等方法研究了缓蚀剂HYH-9在模拟丽水36-1海底管道内部工况下的缓蚀行为。结果表明:HYH-9是一种以二亚乙基三胺及其衍生物为主要成分,适用于二氧化碳和硫化氢条件下的油田专用缓蚀剂;缓蚀剂HYH-9具有较好的挥发性,能够与水很好地混溶,少量分散溶解于油中,可同时抑制X65钢腐蚀反应的阴阳极过程,属于偏阳极型的混合控制型缓蚀剂;缓蚀剂HYH-9对管道底部积水腐蚀和顶部冷凝结液腐蚀都能够起到较好的抑制作用。     

高档锌合金门锁腐蚀生锈原因分析

某公司生产的高档锌合金门锁在沿海地区使用不到3a后,表面出现大量腐蚀锈斑.通过宏观检验、EDS分析、微观形貌分析等方法对腐蚀锈斑进行分析,结果表明:电镀过程中残留有大量Cl元素,在表面不完全干燥的条件下,由于锌合金基体与镀层的腐蚀电位不同,两者之间形成腐蚀原电池,造成锌合金基体与镀层发生腐蚀,加上后期使用时外部海洋工业大气薄液膜中S、Cl元素的共同作用,腐蚀介质不断扩散,最终造成锌合金门锁表面的腐蚀生锈.     

NiCoCrAIY和NiCr粘接层抗热震性能的对比

为了提高GH907合金的抗高温和抗热腐蚀性能,利用低压等离子喷涂技术在其表面制备了NiCoCrAlY 粘接层和NiCr粘接层,并对2种粘接层的抗热震性能进行了研究.结果表明,NiCoCrAIY粘接层和NiCr粘接层经过10次热震后,表面都有裂纹产生,且NiCoCrAlY粘接层的裂纹较NiCr粘接层的粗大;在横截面上Ni...     

半导体器件芯片焊接方法及控制

随着半导体器件在雷达、航空航天等领域的大量应用,对芯片焊接的可靠性提出了越来越高的要求.本文对半导体器件芯片焊接(粘贴)方法作了简要介绍,对几种常用方法进行了比较.并主要针对在半导体器件中应用最为广泛的金-硅合金焊接失效模式及其解决办法进行了讨论.     

硅微波功率DMOSFET发展现状

简要地评述了硅微波功率ＤＭＯＳＦＥＴ （ＬＤＭＯＳ, ＶＤＭＯＳ） 的发展概况, 叙述了硅微波功率ＤＭＯＳ的基本结构和一些重要的制造技术。对微波功率ＤＭＯＳ的性能、特点与ＢＪＴ进行了比较, 并对其应用、发展方向及前景进行了探讨。