同时输出四种可见光波长的He-Ne激光器

在一支有效放电长度为34厘米的半外腔He-Ne激光管上,利用反射率为99.88%的宽带反射镜,在同一激光管中得到同时输出四种波长的连续激光。它们的波长分别为     

高性能的MIL-STD-1773光纤数据总线系统

本文综述了我们对1773光纤数据总线系统的研究工作进展。建立的1773光纤数据总线系统满足舰船电子设备环境使用条件,研制工作充分考虑了实时控制的特殊要求,所进行的工作独立于具体的舰船型号和用途,不受具体应用的限制,因此这些技术可以扩展到其他各种军事及工业实时控制系统中应用。     

四川盆地长宁地区震旦系—寒武系裂陷槽的发现及其地质意义

四川盆地安岳气田位于德阳—安岳裂陷槽东台缘,已探明近1×10~(12)m~3天然气储量。前期天然气勘探开发揭示,震旦系—寒武系的德阳—安岳裂陷槽是油气富集的有利区,但对其往南延伸情况及分布一直认识不清。通过对三维地震资料和钻井资料的综合分析,发现长宁地区发育震旦系—寒武系裂陷槽,并精细刻画了该区裂陷槽的边界与空间展布。研究揭示:①长宁地区台缘带筇竹寺组具有超覆现象,而灯影组地震削截特征明显;②地震解释震旦系灯影组厚度从台缘带至槽内显著减薄,从台内至台缘带有增厚趋势;③该裂陷槽为德阳—安岳裂陷槽南延的东侧部分。结论认为,四川盆地南部长宁地区裂陷槽周缘筇竹寺组烃源岩优越、台缘带灯影组丘滩相储层发育,灯影组天然气成藏配置条件好,区内台缘带为下步重要的勘探有利区带。     

光纤振动监测预警系统在油气长输管道中的应用

油气管道已经成为石油、天然气最重要的运输工具,一旦发生泄漏,极易发生火灾、爆炸等恶性事故。以靖咸管道为例,介绍了一种基于相干瑞利原理的光纤安全预警实时监测系统。通过对管道沿线土壤振动信号的智能分析,判断出威胁管道安全的破坏事件,对目标进行精确定位和准确报警,从而实现对管道的安全预警。     

基于奇异值分解的惯性测量组合减振系统非线性刚度识别

介绍了基于奇异值分解的复解析小波脊线提取方法,并用仿真算例进行了验证.设计了基于冲击响应的非线性刚度识别程序.采用半正弦冲击对惯组减振系统的非线性特性进行试验研究,验证了方法的可行性,分析了非线性系统刚度和阻尼的变化规律.对于非线性特征比较明显的结构,使用该方法的参数识别结果具有较高精度.     

机器鱼水球比赛中精确与模糊协作顶球策略

为使机器鱼的顶球兼备精确性以及在鱼脱离预定轨道的情况下尽可能使水球朝有利于我方进攻方向偏离,提出一种精确与模糊协作的顶球策略。在分析以往顶球算法的基础上,设计一种以水球与目标点连线为基准的区域划分,综合考虑理想情况以及水中各种复杂因素影响后的鱼、球以及目标点的相对位置和几何关系,合理组合路径规划算法和动作决策算法,并以实例在符合路径规划条件和不符合路径规划的条件下进行测试。实验结果表明：该算法能最大限度地利用机器鱼目前所处的环境,使机器鱼的顶球兼备精确性和模糊性。     

川中古隆起北部蓬莱气区多层系天然气勘探突破与潜力

近3年,四川盆地相继在川中古隆起北斜坡上震旦统灯影组二段和四段、下寒武统沧浪铺组一段、二叠系茅口组二段取得勘探突破,继安岳气区发现之后形成了新的万亿立方米级大气区——蓬莱气区。受大型张性走滑断裂、古裂陷槽、台缘带联合控制,蓬莱气区纵向上发育多层系规模化烃源岩、储集层及断控岩性圈闭;良好的"源-储"配置和垂向输导通道促进了多层系油气高效充注;"古隆今斜"的构造演化保证了油气高效汇聚;多层系直接盖层和区域盖层的发育为油气提供了良好的保存条件。得益于成藏要素在时间和空间上的良好配置,蓬莱气区震旦系—二叠系形成了特有的斜坡区深层—超深层、多层系、海相碳酸盐岩立体成藏模式——"立体供烃、立体成储、立体输导、早油晚气、立体成藏"。蓬莱气区多层系天然气勘探突破不仅大大拓宽了四川盆地深层—超深层天然气勘探领域,也证实了在历经多期构造运动后,古隆起斜坡部位的超深、超老地层仍具有形成规模性天然气聚集的潜力,对进一步深化四川盆地超深层天然气勘探具有重要指导意义。     

五环[5.4.0.0~(2,6).0~(3,10).0~(5,9)]十一烷的合成和表征

将二聚环戊二烯裂解生成的环戊二烯,与对苯二醌进行Diels-Alder加成反应,得到了1,4,4a,8a-四氢-1,4-桥亚甲基萘-5,8-二酮,经[2+2]环加成和黄鸣龙还原反应,最终得到目标产物五环[5.4.0.02,6.03,10.05,9]十一烷,产物总收率为51.6%,采用熔点测定、核磁共振氢谱、碳谱、红外光谱和质谱对各步产物进行了表征。探讨了Diels-Alder加成和[2+2]环加成反应的影响因素,确定了Diels-Alder加成反应的最佳反应条件:滴加环戊二烯时溶液温度-11℃,时间3 h。[2+2]环加成反应的最佳条件是:以丙酮做溶剂,原料浓度2 g·125mL-1,光照时间23 h。     

低压VDMOSFET''Ron的最佳比例设计研究

文章以正方形单胞为例，较系统地分析了VDMOSFET的特征导通电阻与结构参数之间的关系，重点讨论了N沟道VDMOSFET的P体扩散区结深Xjp-和栅氧化物厚度Tox对器件特征导通电阻RonA的影响。首次给出了多晶硅窗口区尺寸PW和多晶区尺寸PT的最佳化设计比例PW／PT与Xjp-和Tox的关系，最后阐述了器件的最佳化设计思想。