基于速度触发的提前切换算法在LTE-R中的应用研究

随着高铁的快速发展,铁路移动通信系统对切换时延、切换成功率等要求更为苛刻。该文针对铁路长期演进(LTE-R)系统提出基于速度触发的提前切换算法,通过提前进行信令交互、设置切换预承载点切换的方式抑制过早或过迟切换所带来的通信中断、掉话等问题。通过信令流程图进行理论分析,并对长期演进(LTE)各结构类型数据计算可知,该算法均可缩短切换时延,其中TDD帧结构类型2时效果最为显著。最后通过仿真对比得到提前切换算法相比传统切换算法有着更高且更稳定的切换成功率,验证算法的有效性,为LTE-R在未来铁路专网的应用提供技术支持。     

一种用于时延积分CMOS图像传感器的10 bit全差分双斜坡模数转换器

为了满足时间延时积分(TDI)CMOS图像传感器转换全差分信号的需要,同时符合列并行电路列宽的限制,该文提出并实现了一种10 bit全差分双斜坡模数转换器(ADC)。在列并行单斜坡ADC的基础上,采用2个电容的上极板对差分输入进行采样,电容下极板接2个斜坡输出完成量化。基于电流舵结构的斜坡发生器同时产生上升和下降斜坡,2个斜坡的台阶电压大小相等。该电路使用SMIC 0.18 μm CMOS工艺设计实现,ADC以19.49 kS/s的采样频率对1.32 kHz的输入进行采样,仿真得到无杂散动态范围和有效位数分别为87.92 dB和9.84 bit。测试显示该ADC的微分非线性误差和积分非线性误差分别为–0.7/+0.6 LSB和–2.6/+2.1 LSB。     

共轭有机高聚物PPQ薄膜非线性吸收的Z-扫描测量

用 Z-扫描方法在 532 nm波长测量了共轭高聚物 PPQ( polyphenylquinoxalines)薄膜的三阶光学非线性参数 ,发现其较强的非线性 (双光子 )吸收系数β≈ 0 .59cm/ MW。同时得到 Kerr系数n2 ≈ 9.5× 10 -10 esu,与用其他方法的测量结果较好地吻合。     

漫谈高清节目技术标准与发展意义

从理论与实践两方面入手,在理论方面重点阐述高清节目编码标准和存储技术,在实践方面主要介绍高清节目在数字电视网络中和日常生活中的应用。使读者能够进一步理清高清视频格式之间的内在联系与区别,同时也可加深理解高清节目对于数字电视未来发展的意义。     

电子封装材料用金刚石/铜复合材料的研究进展

电子技术的快速发展对封装材料的性能提出了更严格的要求.针对封装材料的发展趋势,金刚石/铜复合材料作为新一代的电子封装材料受到了广泛的重视.概述了金刚石/铜复合材料作为封装材料的优良性能及其制备工艺进展,并对其发展方向进行了展望.     

广播式手机电视技术及其比较

在广播式手机电视方面,目前全球尚无统一标准。日本、韩国采用S-DMB、T-DMB技术;欧洲主要采用DVB-H,T-DMB也得到了部分欧洲国家和地区的应用;美国目前有高通的MediaFLO和DVB-H两个网络在同时运营。T-DMBT-DMB全称是地面数字多媒体广播(Terrestrial Digital Mul-timedia Broadca     

神经信号采集系统中模拟前端与ARM9适配电路的研制

本文探讨了基于ARM9和LabVIEW的多路神经信号采集系统,其中包括八通道模拟前端电路。为与系统中S3C2410内置的ADC可靠配接,本文特别自行设计出了双极性转单极性并线性限幅的完整电路,并分析了其设计思想。相应电路及设计技术对应用嵌入式系统技术的多路微弱信号采集等电路研制有实际参考价值。     

电离层斜向传播模式的智能识别

采用数值统计与数字图像处理中形态学算子相结合的方法获得了高质量斜向探测电离图.结合观测描迹统计特性,利用改进的初始局部最大值和约束条件外推方法,实现了斜向探测电离层传播模式的智能识别,利用该方法可以自动提取常规电离图各传播模式对应的频率、群时延及信号能量等信息.     

一种测量机载箔条云RCS时间特性的新方法

针对目前国内外场测量机载箔条云RCS时,在载机弹出箔条弹至箔条云充分展开这段时间内,测量设备无法将飞机的回波与箔条云的回波进行有效分离,导致测量精度不高的问题.文中在总结已有的国内外对机载箔条云RCS测量方法的基础上,根据雷达多普勒效应,速度不同的目标,在频谱中产生不同频移原理,提出了在外场测量机载箔条云RCS的新方法--频谱法.仿真结果说明,此方法可以更精确地测量机载箔条云的RCS时间特性.     

氧化锌基薄膜晶体管制备与研究

以玻璃为衬底,利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,在360℃附近实现ZnO薄膜的生长.利用ZnO为有源层制备底栅型薄膜晶体管.SiO2 被用作栅绝缘材料以有效的抑制漏泄电流的产生,达到氧化锌薄膜晶体管 (ZnO-TFT) 成功运作目的.ZnO-TFT 的电流开关(on/off)比达到104以上.ZnO-TFT 在可见光区平均光透过率大约为80%.以上表明利用ZnO 替代传统 Si 材料作有源层材料制备透明薄膜晶体管是可能的.