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81.
讨论了基于虚拟仪器三维四翼混沌系统的研究模式,设计了软件系统,并给出三维四翼混沌系统电路原理图及其实验结果,证实基于虚拟仪器技术为研究非线性系统提供可行的方案,利用此方案进行实验,结果证明此实验系统具有良好的实验效果。与传统的自治混沌系统相比,此系统具有参数调节方便、易实现、可靠性高,实时性好等优点,该特点在保密通信等工程中有重要的应用。  相似文献   
82.
加强实践教学环节,培养学生创新能力   总被引:1,自引:0,他引:1  
对于当代大学生,特别是工科学生,对其实践能力和科技创新能力的培养尤为重要.我校在注重学生的基础理论教学的同时,更加注重学生的实践能力和科技创新能力的培养.本文介绍了我校在电工电子实践教学改革中,特别是电子设计等科技创新能力培养一些做法和思考.希冀与国内兄弟院校一起探讨如何进一步加强对学生实践创新能力的培养.  相似文献   
83.
某雷达系统标校球RCS数据库系统设计   总被引:2,自引:0,他引:2  
杨沛  梅永华  康鹏  胡宝洁 《电子科技》2009,22(12):60-62
针对某雷达系统外场测量的RCS数据量过大,数据文件缺乏统一规范化管理的问题,文中通过分析与建立RCS数据库密切相关的参数,研究其对外场RCS数据测量结果的重要影响,提出了标校球RCS数据库设计思想,并给出了模型的设计及其关键问题的解决方法。  相似文献   
84.
光热干涉法可在保持大气气溶胶状态不变的前提下直接测量其吸收系数,具有灵敏度高、响应速度快和测量结果不受散射光影响等优点。详细阐述了光热干涉法测量气溶胶吸收系数的基本原理。通过对几种典型光热干涉仪的剖析,包括Mach-Zehnder干涉仪、Fabry-Perot干涉仪、Jamin干涉仪和折返Jamin干涉仪,介绍了该方法不断完善的研究历程以及仍然待解决的问题。描述了在借鉴和创新基础上,正在开发的全光纤结构光热干涉试验装置。分析了光热干涉法的未来发展趋势。  相似文献   
85.
用于铜的化学机械抛光液的研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
文中介绍了一种以碱性抛光液对铜进行全局平面化的方法 ,讨论了以 Si O2 水溶胶为磨料的抛光液在Cu-CMP过程中的化学 (络合 )作用及反应机理 ,并给出了抛光液的配比及上机实验结果。结果表明 :该抛光液用于对带有阻挡层和介质层的铜抛光 ,达到了对铜层的高去除速率和高选择比 ,取得了较好的全局平面化效果  相似文献   
86.
周建  刘鹏  梅优良  陈科明 《电视技术》2005,(12):25-27,31
围绕基于微处理器核的AAC解码器结构设计展开讨论,对IP定制、数据通路及存储设计进行了研究,并成功开发了一个基于微处理器核的MPEG-4AAC解码系统芯片。  相似文献   
87.
蓝宝石衬底片化学机械抛光的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
为了提高蓝宝石化学机械抛光(CMP)效果,对其抛光工艺进行了研究。采用SiO2磨料对蓝宝石衬底片进行抛光,分析了抛光时的温度、pH条件、磨料粒径及浓度,结果表明,采用80nm大粒径、高浓度的SiO2磨料,既可以保证抛光速率,又能得到良好的表面状;当pH值在10~12时,可加速蓝宝石在碱性条件下的化学反应速率,从而提高抛光速率;在30℃时,能较好地平衡化学作用与机械作用,获得平滑表面;加入适量添加剂,可增大反应产物的体积,易于提高机械作用的效果,以获得较高的去除速率。  相似文献   
88.
王定  余宁梅  张玉伦  宋连国   《电子器件》2007,30(1):252-255
采用一种改进的基4 BOOTH编码和华莱士树的方案,设计了应用于数字音频广播(DAB)SOC中的FFT单元的24×24位符号定点并行乘法器.通过对部分积的符号扩展、(k:2)压缩器、连线方式和最终加法器分割算法的优化设计,可以在18.81 ns内完成一次乘法运算.使用FPGA进行验证,并采用chartered 0.35 μm COMS工艺进行标准单元实现,工作在50MHz,最大延时为18.81 ns,面积为14 329.74门,功耗为24.69 mW.在相同工艺条件下,将这种乘法器与其它方案进行比较,结果表明这种结构是有效的.  相似文献   
89.
基于嵌入式OTDR的光缆网自动监测系统   总被引:1,自引:0,他引:1  
文章在阐述引入虚拟仪器概念的光缆网线路自动监测系统的基础上,详细论述了基于嵌入式OTDR的光缆网线路自动监测系统的设计实现方案。  相似文献   
90.
马迎姿  檀柏梅  赵毅强  宋益伟  田雨 《半导体技术》2011,36(11):844-847,861
主要设计了一种用于角度传感器系统中的仪表放大器。为了满足角度传感器系统中对信号频率的要求,需要仪表放大器的带宽足够宽能够达到3.3 MHz。该电路采用标准三运算放大器结构电路,以折叠共源共栅结构的放大器为基础,对共模信号进行抑制,对差分信号进行放大,提高了放大器的精度,增大了仪表放大器的带宽。采用Chartered 0.35μm CMOS双栅工艺对电路进行仿真和流片验证,测试结果表明:在0.8~2.85 V内,仪表放大器的共模抑制比达到了102 dB,带宽能够达到3.3 MHz,输出摆幅为1.7 V,电路功能良好,达到了设计要求,该电路可用于汽车电子以及医疗设备系统。  相似文献   
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