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71.
王颖  王国红  尹爱国  曾霞  周天 《广州化工》2014,(22):65-67,120
利用酶辅助法对莲子壳中总黄酮的提取工艺进行优化。在单因子试验结果的基础上,采用响应面法研究了酶用量、酶解时间、p H值和酶解温度对莲子壳中总黄酮提取得率的影响。结果表明:纤维素酶具有较好的酶解能力,当酶用量为6.5 mg/g,酶解时间为1.5 h,p H 4.7,温度为46℃时,总黄酮得率达到7.1%。  相似文献   
72.
研究了在单片机系统中乐音警示功能的实现方法,介绍了如何充分利用单片机的资源来优化实现,并给出了相关的电路设计及关键程序的实现代码。实验表明,利用该方法可以有效改善单片机系统的人机交互效果。  相似文献   
73.
k-元n-立方( )网络被广泛应用于直接互联网络并行处理系统中。当 某些维上的节点数不相同时,该文利用一维环的交叉乘积定义了广义的K-元n-立方( , )网络,提出 网络表面积和体积的计算公式,利用表面积确定最优的广播结构,并分析了2个节点间最短路由数的计算公式和路由选取方法。  相似文献   
74.
细粒沉积物类型及演化是周缘板块构造演化的响应,并深刻影响页岩的储层品质。通过川南地区五峰组页岩岩心精细描述、大薄片全尺度成像和氩离子抛光片场发射扫描电镜分析,揭示晚奥陶世—早志留世之交海相页岩沉积类型及演化。结果表明:(1)川南地区五峰组发育细粒浊流沉积、半远洋沉积和陆棚浅滩沉积3大沉积类型:细粒浊流沉积物质主要来自于陆源,可清晰见到9个典型的沉积序列;半远洋沉积物以陆源和内源混合沉积为主,递变型水平层理发育;陆棚浅滩沉积以陆源成因和原地成因物质混合为主,沉积物主要以悬浮沉降的方式沉降。(2)细粒浊流沉积主要发育于笔石带WF1—WF2,半远洋沉积主要发育于笔石带WF3,而陆棚浅滩沉积主要发育于笔石带WF4。(3)细粒沉积类型及演化反映了周缘板块构造演化:笔石带WF1—WF2沉积期,周缘板块构造挤压强烈,陆源供给充分,故细粒浊流沉积发育;笔石带WF3沉积期,周缘板块构造活动减弱,海平面快速上升,故半远洋沉积发育;笔石带WF4沉积期,周缘板块构造活动进一步减弱,全球海平面快速下降,故陆棚浅滩沉积发育。细粒沉积类型直接影响页岩的储层品质,细粒浊流沉积孔隙度和总有机碳含量相对较低,而半远洋沉积...  相似文献   
75.
针对边缘计算多应用场景下的隐私保护问题,提出两种基于策略的密钥分配协议,所提出的协议基于约束伪随机函数的概念分别实现了轻量高效和灵活细粒度的策略选择.具体来说,基于GGM伪随机数生成器,构建前缀谓词策略的密钥分配协议,该协议可有效支持轻量高效的密钥分配,适用于单一网络环境下设备资源受限的应用场景.在此基础上,基于多线性...  相似文献   
76.
导体组件是保证电气贯穿件电气性能和密封性能的关键部件,实现电气贯穿件高耐压性能的关键就在于高压导体组件的研制。文章确定了3种高压导体组件方案,并从各方案性能、工艺复杂度、性能可靠性及使用寿命等方面进行对比分析,优选出了最佳方案。运用5W1H原则制定实施对策,并充分采用QC方法,攻克了导体组件高耐压和绝缘关键技术,成功实现了高压电气贯穿件导体组件研制。  相似文献   
77.
基于传统FFT波束形成算法输出,结合利用apFFT波束形成算法得到的目标初相位信息,提出了一种新的方位估计算法WABP,其原理是根据FFT和apFFT输出的同号波束的相位差解算得到目标的方位信息,此算法比传统的FFT方位估计算法精度高,比子空间类算法鲁棒性好。计算机仿真结果验证了此算法的正确性,对多波束测深系统的水池试验数据处理结果展示了此算法的有效性与实用性。  相似文献   
78.
PCR微池芯片的设计、制作及实现样品扩增   总被引:1,自引:0,他引:1  
设计并制作了一种石英玻璃材料的PCR(Polymerase Chain Reaction)微池芯片,使用商用热循环仪控温。通过实时测量芯片微池内温度,改进温度控制程序,使用BSA(牛血清白蛋白)处理微池内壁等优化工作,实现了DNA片段的有效PCR扩增。  相似文献   
79.
新品快递     
速度最快的液晶显示器用8位ADC 飞利浦半导体宣布推出180MHZ 8位3倍ADC芯片TDA8757,可把计算机的宽带RGB信号数字化并传输至液品显示器。TDA8757具备多项先进功能,包括锁相环(PLL)、箝位电路及自动增益控制技术(AGC)等,新技术的采用简化了制造商的产品设计周期并缩小了主板尺寸,从而降低了开发成本。 使用含TDA8757芯片液晶显示器,屏幕分辨率可提升至1600×1200,同时显示器大幅度减少高分辨率PC图象应用程序的电路抖动情况。对于  相似文献   
80.
业界要闻     
我国深亚微米集成电路设计技术获重大突破 由上海交通大学大规模集成电路研究所研制成功的“深亚微米集成电路设计技术”,日前通过教育部专家鉴定。 上海交大在“深亚微米集成电路设计技术”研究中所包含的器件建模、延时网络、参数提取、数据库及管理、逻辑综合、电路模拟、版图没计、物理验证等设计技术总体水平达到国际先进水平。其中在0.25μm级深亚微米芯片设计技术中的“逻辑综合与物理设计一体化理论”,属国际首创。交大今后将与国内有关企业加强合作,尽快实现我国深亚微米集成电路设计技术及芯片的产业化。  相似文献   
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