数字温度计的设计--电子技术课程设计中的EDA技术训练

介绍了东华大学电工电子实验室在电子技术课程设计教学中，以数字温度计的设计为课题，实现EDA技术应用训练的尝试。     

直流式旋风分离器参数优化仿真与试验

为了在产品方案设计阶段验证直流式旋风分离器性能,利用罗辛-拉姆特函数对试验粉尘(ISO 12103-A4)粒径分布进行拟合。利用Fluent软件对直流式旋风分离器进行性能仿真,为满足分离效率不低于85%,降低流阻的需求,利用Optislang软件对旋风分离器结构参数进行优化,结果表明:粉尘平均粒径为42.27 μm,粒径分布指数1.126;分离器入口粉尘浓度由1%增至5%,分离效率不变,流阻由31.09 kPa增大至31.45 kPa;旋流叶片螺距对流阻敏感度为99.7%,对分离效率敏感度为94.3%,旋流叶片长度对流阻不敏感但对分离效率有5.8%的敏感度;通过匹配旋流叶片螺距及叶片长度,实现流阻由31.09 kPa降到12.12 kPa,分离效率仅降低4.01%。
     

常温下碳基活性材料催化氧化NO的研究进展

针对常温、含高浓度O₂ 的NO污染气体排放控制,典型的选择性催化还原（SCR）技术已不再适用。以碳基活性材料为催化剂的NO常温催化氧化技术得到了广泛关注,该技术在常温和高浓度O₂条件下将NO氧化为NO₂,并以硝酸或硝酸盐形式加以回收利用,因此具有环保和经济双重效益,应用前景广阔。本文简要综述了碳基活性材料常温催化氧化NO的研究进展,阐述了NO催化氧化机理,介绍了碳基活性材料的表面物化特性和反应条件（O₂浓度、NO浓度、GHSV、反应温度、水蒸气和催化剂粒径等）对催化氧化NO的影响,以及活性炭、活性炭纤维、碳纳米纤维、炭干凝胶、金属负载碳基活性材料、炭化污泥等不同碳基活性材料的催化特性,总结并展望了未来碳基活性材料低温催化氧化NO的发展方向。     

背景灯电路的检修

背景灯电路由灯控IC和灯片（灯）组成,图1为常见的一款背景灯电路,其故障检修步骤如下：1．首先查灯是否损坏,正极与灯控IC⑧脚是否接通,负极是否接地;2．灯控IC⑩脚是否有3V左右供电,如无,则可能断线或电源IC损坏;3．灯控IC③脚是否有控制电压（要在灯亮的时候才会有电压）;4．灯控IC⑦脚和⑨脚的升压线圈是否损坏;5．灯控IC⑧脚是否有电压输出（在拆了灯的情况下）,若有输出,则是灯片有问题。     

声纳浮标对空中声源干扰的抑制方法研究

声纳浮标的空中布放平台具有与水下目标相近的噪声特性。应用自适应信号处理技术对空中直升机噪声干扰抑制问题进行了研究。分别以直升机空中噪声和组合振速为参考信号,选择基于最小均方误差（LMS）准则进行自适应干扰抵消。仿真分析表明以组合振速为参考信号可以有效抑制高速运动直升机的噪声。     

基于多层薄膜的长波红外InAs/GaSb II类超晶格焦平面光响应调控研究

本文基于长波InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外焦平面阵列(Focal Plane Array,FPA)设计和生长了由ZnS和Ge组成的多层薄膜结构。与没有多层薄膜的FPA相比,多层薄膜使其响应峰位置从8.7μm和10.3μm分别移动到9.8μm和11.7μm,50%响应截止波长从11.6μm移动至12.3μm,并且在波长为12μm处的响应强度增加了69%。总之,优化的多层薄膜可以调控FPA的响应波长,这为实现更高灵敏度和更高成像能力的长波红外探测提供了更好的平台。     

工业用计算机安装环境标准(二)

3.供电电源 3.1 供电电源的等级分类 供电电源的电压变动、频率变动、波形畸变以及瞬时断电按下述等级分类。在此以持续0.2秒以上的变动为对象,0.2秒以内的瞬态变动不予规定。     

基于GaAs MMIC技术的残余应力测试结构的模拟与设计

残余应力对开关梁的力学特性有着重要的影响。梁的弹性系数k由梁的形状和材料特性(杨氏模量和残余应力)来决定。应力梯度会使悬臂梁发生卷曲,对k也会产生影响。由残余应力引起的梁的长度变化量在微米级别,一般实验仪器难于测量。基于GaAs基和Si基的器件残余应力不同,相应的测试结构需重新设计。为了克服这些问题,本论文重新模拟并优化了微旋转式残余应变测试结构,尽量简化对测试仪器的要求。本文使用Intellisuite仿真软件以及Matlab软件优化,同时采用对称式的结构增加了测试精度。最后本文还给出了应力梯度的测试方法。     

电力企业厂界噪声监测中背景噪声测量和修正的探讨

在电力企业厂界噪声监测工作中,存在背景噪声难以测量和修正的问题。提出了点声源随距离衰减模型,并基于"非同时性"、监测指标、运行工况等对测量方法进行了改进。针对被测噪声和背景噪声的差值小于3和不为整数的噪声值、稳态或非稳态的情况进行了修正,对实际工作具有一定的指导作用。     

InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外探测器的表面处理研究

开展了In As/Ga Sb Ⅱ类超晶格长波红外探测器的表面处理研究。通过对不同处理工艺形成台面器件的暗电流分析,发现N₂O等离子处理结合快速热退火(RTA)的优化工艺能够显著改善长波器件电学性能。对于50%截止波长12.3μm的长波器件,在液氮温度,-0.05 V偏置下,表面处理后暗电流密度从5.88×10^-1 A/cm²降低至4.09×10^-2 A/cm²,零偏下表面电阻率从17.7Ωcm提高至284.4Ωcm,有效降低侧壁漏电流。但是该表面处理后的器件在大反偏压下仍有较大的侧壁漏电,这可能是由于高浓度的表面电荷使得大反偏下侧壁存在较高的隧穿电流。通过栅控结构器件的变栅压实验,验证了长波器件存在纯并联电阻及表面隧穿两种主要漏电机制。最后,对表面处理前后的暗电流进行拟合,处理后器件表面电荷浓度为3.72×10¹¹ cm^-2。