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A new electron trap state SD was found by DLTS measurement under light illumination in Si doped A.lxGa1-xAs. This new trap energy level ESD is shallower than the DX center energy in the gap and the concentration of SD is comparable to that of DX centers. The emission activation energy Ec=0.20±0.05eV and capture activation energy Ec= 0.17±0.05eV. The SD DLTS peak has never been detected previously because under dark and thermal equilibrium condition most of the electrons occupy the deeper DX states and most of SD states are empty. However, when the sample is illuminated by light, electrons are excited to the conduction band and then re-captured by SD since the deeper DX states have a slower electron capture rate, thus a new DLTS peak corresponding to SD appears. Constant temperature capacitance transient C-t and transient C-V measurements were also used to further confirm the existence of SD states. 相似文献
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IPv6(Internet Protocol version 6)是建设移动信息社会的重要基石,是集移动性、安全性和质量为一体的最佳选择。随着互联网的发展,IPv4暴露出来的缺陷越来越不适应发展的要求,顺利实现从IPv4到IPv6的过渡将会有力地促进互联网迈向新的层次。在这场较量中,将给中国提供一次追赶国外厂商的机会。 相似文献
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