音频及部分频带干扰下多音调制直接序列扩频的抗干扰性能

多音调制直接序列扩频(multi-tone DSSS)中非正交子载波的频谱重叠会导致窄带干扰,同时对每个子载波产生不同程度影响,而并非若干相同单载波情形的叠加.通过对单用户及异步多用户MT系统在音频及部分频带干扰下相关检测判决统计量及平均误码率的理论计算,完成了干扰机理的定量分析,并通过数值仿真对结果进行验证.结果表明,与单载波直接序列扩频(SC-DSSS)、正交多载波直接序列扩频(正交MC-DSSS)相比,MT系统在同等接收机复杂度及相同频带利用率下具有更高的处理增益,可有效抑制内部子载波串扰,并对外部窄带干扰及多址干扰具有良好的抗干扰性能,是一种低复杂度、高可靠性宽带扩频体制.     

改进的Hough变换在PCB实时初检中应用

在图像处理和计算机视觉中，Hough变换是一种应用非常广泛的图像边缘检测技术．针对传统H0ugh变换算法所需的存储容量大、计算量大、速度慢、效率低，实时应用性差的同题，本论文运用了一种改进的Hough变换方法，分两步来完成目检测同题中的图心定位和半径测定，并通过针对PCB在线检测的具体应用情况加以改进并应用，进一步有效地减少存储容量，提高运行效率。实验证明算法满足PCB在线检测的实时性。     

一种新的AlGaN/GaN HEMT半经验直流特性模型

在EEHEMT1模型的基础上给出一种新的A1GaN/GaN HEMT半经验直流特性模型,考虑了栅源电压对膝点电压的影响,得到描述AlGaN/GaN HEMT器件I-Ⅴ特性的方程.此模型可以应用于蓝宝石和SiC两种不同衬底AlGaN/GaN HEMT器件的I-Ⅴ特性模拟.仿真结果和实验测量结果拟合误差小于3%.     

小波降噪对TDLAS 干涉抑制的研究

基于多光程吸收池的可调谐半导体激光吸收光谱 (TDLAS) 系统在检测过程中容易出现噪声干扰, 影响着其 实际检测性能。针对这种干扰的特征进行分析, 提出利用小波降噪法来改善 TDLAS 系统的探测性能。首先依据理论 研究结果选择合适的小波函数和分解层数, 然后通过这种小波对叠加干扰的仿真信号进行滤波, 结果表明这种降噪技 术具有良好的去噪效果。最后利用小波降噪技术处理了实验采集的不同浓度气体的直接吸收光谱 (DAS) 和二次谐波 信号, 相比于原信号, 降噪后信号的信噪比从 0.4 增加到 259, 系统的检测限也达到 7×10−6, 表明小波降噪方法在气体 光谱检测中具有较高的应用价值。     

RXFT-1热成象系统性能测试仪介绍

研制成功的RXFT-1型测试仪用来测试与评价热成象系统的最小可分辨温差(MRTD)及最小可探测温差(MDTD)。本文简述RXFT-1型整机设计的一些内容,包括仪器原理,观测方法及性能指标。     

采用PECVD方法制作SiO2绝缘层的AlGaN/GaN MOS-HFET器件

为了进一步减小栅漏电,提高击穿电压,将MOS结构的优点引入ALGaN／GaN HEMT器件中,研制并分析了新型的基于AlGaN／GaN的MOS—HFET结构。采用等离子增强气相化学沉积（PECVD）的方法生长了50nm的SiO2作为栅绝缘层,新型的AlGaN／GaN MOS—HFET器件栅长1μm,栅宽80μm,测得最大饱和输出电流为784mA／mm,最大跨导为44．25ms／mm,最高栅偏压＋6V。     

激光防护塑料材料的研制

对激光吸收剂IR10 60、5 3 0、5 80的激光吸收进行了比较,并确定其在材料中的比例。以聚碳酸酯为基材,搀杂激光吸收剂IR10 60、5 3 0、5 80制备了防波长为5 3 0nm和10 60nm激光、眩光的激光防护材料,并对其光学密度、抗激光能量损伤、可见光透过率和物理性能进行了测试,分析了激光吸收剂IRl0 60、5 3 0、5 80在材料中所占比例对其力学性能的影响。结果表明激光吸收剂的加入能提高材料的抗冲击强度。且比例的多少对材料的力学性能没明显影响,所制得的激光防护材料完全可以满足防激光、眩光的要求。     

薄膜全耗尽SOICMOS器件和电路

对全耗尽 SOI(FD SOI) CMOS器件和电路进行了研究 ,硅膜厚度为 70 nm.器件采用双多晶硅栅结构 ,即NMOS器件采用 P+多晶硅栅 ,PMOS器件采用 N+多晶硅栅 ,在轻沟道掺杂条件下 ,得到器件的阈值电压接近0 .7V.为了减小源漏电阻以及防止在沟道边缘出现空洞 (V oids) ,采用了注 Ge硅化物工艺 ,源漏方块电阻约为5 .2Ω /□ .经过工艺流片 ,获得了性能良好的器件和电路 .其中当工作电压为 5 V时 ,0 .8μm 10 1级环振单级延迟为 45 ps