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61.
为了解决传统海上风电升压站巡检工作中人力物力消耗高、效率低、无法直观管理等问题,提出了用智能巡检机器人替代运维巡检人员的应用要求;阐述了智能巡检机器人的系统结构组成;详细介绍了智能巡检机器人的后台软件系统、供电系统、通信系统、机器人系统等重要组成部分,机器人的防腐设计以及系统的主要功能.通过现场工业性试验情况表明,智能...  相似文献   
62.
煤矸石是我国目前排放量较大的固体废弃物之一,利用煤矸石部分或全部代替混凝土粗骨料生产煤矸石基混凝土是其高效利用的途径。通过实验室开展不同煤矸石粗骨料替代率、水胶比、添加剂等条件下的煤矸石基混凝土的抗压强度试验,探究煤矸石基混凝土的基本力学性能,确定煤矸石基混凝土的最佳配合比。研究结果表明:煤矸石基混凝土抗压强度随着煤矸石粗骨料替代率的增大而减小;在胶凝材料中加入质量比为5%的硅灰、0.3%的减水剂有助于迅速提高煤矸石基混凝土的前期强度。在山西李村煤矿二采区胶带巷5#辅运联巷开展了煤矸石基混凝土的井下硬化试验,验证了煤矸石基混凝土在井下硬化工程中的良好效果。  相似文献   
63.
串行通信协议参数需要通信双方约定一致,为了完成UART通信参数的自动配置,传统方法是采用波特率自适应检测,但无法实现数据格式的自动配置.文中基于FPGA设计了一种串行通信参数自适应的UART接口方案,利用该设计可以实现包括波特率与数据格式在内的所有通信参数的自动检测与配置.仿真验证与实验结果表明,该设计可以快速、自动地...  相似文献   
64.
杨蕾  甘维公  李胜男  周鑫  和鹏  何鑫  张杰  王德林 《中国电力》2012,53(11):175-184,201
随着风电渗透率的日益增加,电力系统阻尼不足时易发生低频振荡,双馈风电机组(DFIG)可解耦控制有无功和无功输出,有利于增强系统阻尼。提出一种DFIG协同静止无功发生器(SVG)并网的方法,采用附加阻尼的控制策略,接入控制系统的功率控制节点,改变参考装置的有功和无功参考电流,实现装置动态输出功率,抵消功率增量,对系统中产生的功率振荡进行抑制。搭建DFIG协同SVG并网的4机2区域系统的控制系统模型,添加附加阻尼控制信号,控制DFIG输出的有功功率和SVG输出的无功功率,改变系统的特征根,并基于Prony方法分析振荡信号各模态。结果表明:该方法能够有效提供正阻尼,抑制系统低频振荡,加速振荡波形平息,提高电力系统的小干扰稳定性。  相似文献   
65.
下一代通信技术的发展会给广播电视业务的发展带来新的契机和挑战.广播电视业务的发展应充分考虑"多播"这一特征,开展多种信息服务,良好的质量和内容将成为广播电视在竞争中的"杀手锏".开发"多功能一体"的智能终端是开展数字广播电视业务的必然趋势和要求.借鉴通信的业务模式,构筑下一代广播网络,主动联合通信网和互联网开展新业务,是广播电视业进一步发展的关键.本文将结合下一代通信技术和广播电视业务的关系,从业务、传输和接入等角度分别进行讨论.  相似文献   
66.
(接上期第43页) 3 下一代通信接入对广播电视业务发展的影响 3.1 突破用户接入的瓶颈 随着宽带业务的发展,网络接入部分(最后1 km)的带宽瓶颈问题显露出来.目前,接入部分两侧都已跨入吉比特级以上的速率,如用户端广泛使用的PC,其内部传送速率已达到32 Gb/s,城域网或长途网的每波长速率也已达到2.5~10 Gb/s,两者都比接入部分高出至少3个数量级.可见,尽快打通接入部分的带宽瓶颈,各种宽带服务与应用才能开展起来,网络容量的潜力才能真正发挥.  相似文献   
67.
大型可编程模拟电路阵列FPAA的应用开发   总被引:2,自引:0,他引:2  
介绍一种大型可编程模拟电路阵列(FieldProgrammableAnalogArray)FPAA的基本结构,应用场所,开发工具和开发过程,给出了一个具体的开发实例.  相似文献   
68.
针对磷化铟(InP)基高电子迁移率晶体管(HEMT),进行了Ni/Ge/Au和Ni/Ge/Au/Ge/Ni/Au两种金属结构快速退火(10~40s)和长时间合金(10min)的实验.通过研究比较,得到了更适用于InP基HEMT器件制作的合金方法.利用Ni/Ge/Au/Ge/Ni/Au结构,在270℃下合金10min形成了典型值0.068Ω·mm的接触电阻.  相似文献   
69.
相移光纤分布反馈激光器   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文利用传输矩阵法讨论了相移光纤光栅的透射特性,以及在有源光栅的掺杂浓度特性给定的情况下,相移分布反馈光纤激光器达到阈值增;益所需的光纤光栅折射率的最小调制深度。  相似文献   
70.
比较有无AlN插入层AlGaN/GaN HEMTs在直流偏置应力条件下的电流崩塌程度,研究AlN插入层对电流崩塌的影响.从测试结果看,无AlN插入层的AlGaN/GaN HEMTs有更显著的电流崩塌程度,表明AlN插入层对电流崩塌效应有显著的抑制作用.模拟的AlGaN/GaN能带结构表明,AlN插入层能显著提高AlGaN导带底能级,增加异质结的带隙差.带隙差的增加有利于减小电子遂穿几率,加强沟道二维电子气的量子限制,从而抑制电流崩塌效应.  相似文献   
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