微波反射光电导衰退技术在InGaAs台面结器件工艺中的应用

微波反射光电导衰退法是一种非接触式的半导体材料少子寿命表征手段，本文用微波反射光电导衰减法测试了台面InGaAs光电器件制备中各单项工艺（刻蚀、腐蚀、硫化）中InCaAs样品的少子寿命分布，结果表明，离子刻蚀使得样品少子寿命降低，非均匀性增大，而湿法腐蚀能够在一定程度上修复离子刻蚀带来的损伤，损伤区域中心的少子寿命增大，寿命分布也更加均匀，硫化钝化能够进一步提高损伤区域少子的寿命，却使寿命分布均匀性变差。可见，微波反射光电导衰减法可以简单无损地得到样品少子寿命分布，对工艺改进具有重要的指导意义。     

IPv4与IPv6混合网络中的SIP电话通信的研究

随着互联网的发展，IPv6最终会成为未来互联网网络层的核心协议。而SIP作为下一代多媒体通信中的重要技术也受到普遍的欢迎和认可。描述了IPv6网络环境下使用SIP的优势，并且提出了在IPv4与IPv6共存的混合网络环境下采用NAT—PT结合ALG进行SIP电话通信的解决方案。     

基于四叉树的海量空间数据模型研究

地理信息系统的发展与应用，导致空间数据不断增长。数据量大、信息量多，内容丰富是空间数据的特点。针对全球海量空间数据的特点，提出了一种基于四叉树的空间数据模型，合理地对空间数据存储空间进行分配，很好地解决了海量空间数据的高效存取问题。     

基于模糊理论的医学图像增强方法

提出了一种基于模糊逻辑理论的医学图像边缘检测的增强算法.该方法采用S函数作为隶属函数,实现空间域与模糊域之间的转换;在模糊域中采用幂次变换对图像进行对比度增强,最后再通过逆模糊化过程将数据映射到空间域中,得到增强后的图像.实验表明,针对所要处理的医学图像,与几种经典的处理方法相比,所提出的方法使增强后的图像能显示出更完整的边界信息.     

MOS 场引晶体管双极理论和实验

提出场引晶体管双极理论.替代已55年久,1952 Shockley发明单极理论.解释近来双栅纳米硅MOS晶体管实验特性--两条电子和两条空穴表面沟道,同时并存.理算晶体管输出特性和转移特性,包括实用硅基及栅氧化层厚度.理算比较最近报道实验,利用硅FinFET,含(金属/硅)和(p/n)结,源和漏接触.实验支持双极理论.建议采用单管,实现CMOS倒相电路和SRAM存储电路.     

双极场引晶体管:Ⅱ.飘移扩散理论(双MOS栅纯基)

本文描述双极场引晶体管(BiFET)飘移扩散理论,包括薄纯基上两个等同金属氧化物硅(MOS)栅.把两维晶体管分解成两个一维晶体管,以表面势为参变量,得到解析方程.提供实用硅基和氧化层厚度范围内,随直流电压变化,输出和转移电流和电导总量和飘移扩散分量.显著部分的飘移电流来自横向电场平方的纵向梯度.     

基于分解协调法的雷达目标分配问题研究

针对雷达网防空作战中的目标分配问题,应用大系统理论的分解协调法,将空中m批目标分解为m个独立的子优化问题,通过协调器协调各个子问题的解,找出使整个雷达网对m批目标发现概率最大的目标分配问题全局最优解.仿真结果表明,该方法是有效、可行的.     

惯性导航系统陀螺漂移补偿算法研究

分析了几种计算惯导系统导航陀螺漂移的方法，构思了一种组合导航系统模式，在水下即可完成对惯导的校正，对导航陀螺漂移进行补偿。同时还提出了对导航陀螺漂移补偿的优化组合算法。理论分析及计算机仿真结果均表明，应用该组合导航系统可大大提高潜艇的导航定位精度和隐蔽性。     

平面型铟镓砷线列探测器的制备及伏安特性研究

通过闭管锌扩散制备了256元平面型铟镓砷(In0.53Ga0.47As)线列探测器,室温下焦平面平均峰值探测率为5.79×1011cmHz1/2W-1,不均匀性为31%,平均峰值响应率为0.33 A/W.并且通过拟合其伏安曲线得到了器件的理想因子和串联电阻,基于这两个相互独立的参数可以对器件不同区域的性质加以考查,结果表明器件材料具有较好的均匀性,而器件的欧姆接触电阻偏大,且不均匀性达到39%,为工艺的改进提供了重要依据.     

微波反射光电导衰退技术在InGaAs台面结器件工艺中的应用

微波反射光电导衰退法是一种非接触式的半导体材料少子寿命表征手段,本文用微波反射光电导衰减法测试了台面InGaAs光电器件制备中各单项工艺(刻蚀、腐蚀、硫化)中InCaAs样品的少子寿命分布,结果表明,离子刻蚀使得样品少子寿命降低,非均匀性增大,而湿法腐蚀能够在一定程度上修复离子刻蚀带来的损伤,损伤区域中心的少子寿命增大,寿命分布也更加均匀,硫化钝化能够进一步提高损伤区域少子的寿命,却使寿命分布均匀性变差.可见,微波反射光电导衰减法可以简单无损地得到样品少子寿命分布,对工艺改进具有重要的指导意义.