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991.
文中基于微细电火花加工系统的高精度运动控制要求,分析了各轴相关的重要的运动控制参数的含义及作用,提出了一种判断运动控制参数改善程度的有效的定量的方法:在控制软件中增加一个特殊的功能,即将每次加工试验过程中各轴的跟随误差实时记录到指定的文件中,然后通过分析各轴跟随误差的变化,判断各参数的调整效果,从而确定最优的运动控制参数。实验结果表明,数控系统运动控制精度提高了50%。最后在保持其它加工条件完全相同的前提下,分别运用优化调节前、后的两组运动控制参数运行了分度圆直径仅0.5mm的微小齿轮加工程序,加工了两个齿轮,差别明显,参数调节有效。该方法可高效、精确的使数控系统达到最佳的控制效果,是对传统的运用数控软件PEWIN32 PRO进行阶跃响应或正弦响应以判断运动控制参数优劣的方法的重要的补充。 相似文献
992.
993.
通过柠檬酸钠还原银离子,以银纳米粒子为种子,在室温下制备出平均厚度约为5nm,尺寸40到500nm可调的三角形银纳米片。通过种子调停法可实现银纳米盘的面内偶极表面等离子体共振峰(SPR)从最初的520nm红移至1100nm。通过控制实验参数能够很好地理解其生长机制。柠檬酸根离子和增加到生长液里面的银纳米种子是2个重要的参数,可以控制银纳米盘的大小却不改变银纳米盘的厚度以及晶面结构。采用PVP作为包覆剂,其作用机理还不是很清楚,需要进一步的研究。 相似文献
994.
由于初始端电压低且目标电压建立过程长,电容充电过程的功率因数校正的研究、设计及其控制参数的选定存在其特有的难点。基于PSIM电路仿真软件,搭建单管反激电路及数字逻辑控制电路的仿真模型,根据所建立的仿真模型,完成了对纯容性负载充电过程的功率因数校正仿真。在电流断续控制模式中进行变频峰值电流断续和定频峰值电流断续的电路仿真对比,对数字逻辑控制电路进行改进优化,有效避免了充电初期冲击电流过大的问题;进行了不同充电频率下的电感电流波形仿真对比,得出了充电效率与功率因数的最优控制。采用定频峰值电流断续的控制策略,有效控制了电容充电过程的电流即恒电流充电,仿真结果取得了良好的功率因数。 相似文献
995.
通过对最原始的曝光量与底片黑度的关系曲线进行理论推导,对不同感光度的胶片在得到相同黑度时的对比度进行比较分析,得出胶片对比度与胶片感光度无关的结论,并据此得出影响射线检测灵敏度的重要因素。 相似文献
996.
采用真空蒸镀法分别在K9和Si(100)基片上制备Be薄膜,在相同沉积速率下,K9基片上Be薄膜生长形态和Si基片上Be薄膜生长形态存在差异。但是两者随沉积速率增加具有相似的演变规律,即由等轴晶变化至纤维晶,再至粗大等轴晶。XRD和XPS分析结果表明:不同基片和蒸发温度下制备的Be薄膜均主要由HCP结构的α-Be相组成,且表面存在一定氧化;对于非晶K9基片,Be薄膜晶粒取向较单一,(101)始终为显露晶面;而单晶Si(100)基片上Be晶粒取向多样,在一定沉积速率下显露特定晶面;相同沉积时间下K9和Si(100)基体上生长的Be薄膜粗糙度Rq变化趋势十分相似,两者随Be薄膜沉积速率(v)增加先急剧增大后趋于平缓;以细小等轴晶生长的薄膜表面光洁度较高,而以纤维晶或粗大混晶生长的薄膜表面粗糙度较大。 相似文献
997.
本文首次在分布式喇曼光纤传感技术的信号处理过程中引入去卷积的信号处理方法;通过对传统的和去卷积的两种方法的理论分析、计算机模拟和比较,说明了新的处理方法可以在不压缩驱动脉宽的情况下有效的提高系统空间分辨率,为提高分布式喇曼光纤传感器的空间分辨率开辟了新的途径。 相似文献
998.
999.
1000.
Windows95作为运行于32位保护模式下的操作系统,为保证系统的安全,通过屏蔽底层操作的方式将最终用户与硬件隔离开。本文结合视频采集卡的设计实例详细论述了基于Windows95平台的实时硬件控制的解决方案——虚拟设备驱动程序的基本原理和设计方法及其与Win32应用程序的接口。 相似文献