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介绍了一种利用等时退火法预估CMOS器件辐照后长时间等温退火行为的加速实验方怯。为了找到两种退火在时间上的相应关系,依据每一步等时退火相当于有相同电荷逃逸水平的等温退火时间。利用典型CC4007CMOS器件的25-250℃等时退火数据预估了100和25℃等温退火的长时间行为,预估结果和实验结果符合得很好。 相似文献
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亚微米特征工艺尺寸静态随机存储器单粒子效应实验研究 总被引:4,自引:3,他引:1
利用中国原子能科学研究院重离子加速器,开展了不同特征尺寸(0.35~0.13μm)CMOS工艺、不同集成度(1M、4M、8M、16M)静态随机存储器(SRAM)单粒子翻转(SEU)和单粒子闩锁(SEL)实验研究,给出了SRAM器件的SEU、SEL截面曲线。与μm级特征尺寸的器件相比,随特征尺寸的减小,单粒子翻转更加严重。测量到了令人关注的单粒子多位翻转(MBU)效应,对翻转位数进行了统计分析。MBU对目前卫星系统采用的EDAC技术提出了挑战。 相似文献
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对典型双极晶体管的低剂量率辐射损伤增强效应进行了实验和数值模拟研究。选取了两种类型的双极晶体管,利用60Co放射源开展了不同剂量率下的辐照实验,分析了双极晶体管基极电流等参数的变化规律;建立了衬底型NPN晶体管理论模型,利用半导体模拟软件模拟了载流子在氧化层中的输运、捕获及释放等物理过程,得到了NPN晶体管基极电流随总剂量和剂量率的变化规律。结果表明,双极晶体管在不同剂量率下表现出低剂量率辐射损伤增强效应,主要是因为高剂量率和低剂量率下晶体管基区氧化层内产生的氧化物陷阱电荷所形成的空间电场不同。 相似文献
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开展了掺锗石英光纤在1.0×10~(-4)~0.5Gy(Si)/s剂量率下的稳态γ辐照实验和10~6~10~9 Gy(Si)/s剂量率下的瞬态γ辐照实验。结果表明:光纤辐射感生损耗与辐照总剂量呈饱和指数关系,与色心浓度微分方程推导出的结论相一致。在辐照总剂量相同的情况下,光纤辐射感生损耗随辐照剂量率的增大而增大。辐照期间有光注入较无光注入时的光纤辐射感生损耗低,证实了光褪色效应的存在。对实验用650、850和1 310nm 3个波长,光纤辐射感生损耗随波长的增大而减小。与光纤稳态辐射感生损耗相比,光纤瞬态辐射感生损耗要大得多;光纤瞬态辐射感生损耗峰值与脉冲总剂量呈线性关系,这与饱和指数关系在低剂量下的泰勒展开近似一致。 相似文献
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本文结合工程实例,分析介绍了水电站大型发电机组电气保护的基本要求,并从短路保护、过负荷保护、定子一点接地保护等方面对水电站大型发电机组电气保护设计措施进行了详细阐述。 相似文献
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SRAM-based FPGAs are very susceptible to radiation-induced Single-Event Upsets(SEUs) in space applications.The failure mechanism in FPGA’s configuration memory differs from those in traditional memory device.As a result,there is a growing demand for methodologies which could quantitatively evaluate the impact of this effect.Fault injection appears to meet such requirement.In this paper,we propose a new methodology to analyze the soft errors in SRAM-based FPGAs.This method is based on in depth understanding of the device architecture and failure mechanisms induced by configuration upsets.The developed programs read in the placed and routed netlist,search for critical logic nodes and paths that may destroy the circuit topological structure,and then query a database storing the decoded relationship of the configurable resources and corresponding control bit to get the sensitive bits.Accelerator irradiation test and fault injection experiments were carried out to validate this approach. 相似文献
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实验研究了静态随机存储器(SRAM)的电磁脉冲效应,重点研究存储器容量不同、不同脉冲宽度脉冲场激励以及存储器读写状态与否等情况下的效应规律,实验场强在2.5至40 kV/m之间。实验结果表明,存储器处于读写状态即片选有效时其效应更为严重,存储器的翻转效应与存储容量大小、激励电磁脉冲的脉冲宽度关系不大,电磁脉冲的场强幅值是其主要的敏感参数。 相似文献
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本文介绍了一种新型绝缘介质损耗测量系统的结构和原理,该系统采用电容取样,光纤隔离,电子电路处理,具有结构简单,性能良好,使用方便,安全等优点。 相似文献
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