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毛皮复鞣过程U.S.U S 4502859本复鞣材料是将硼砂、明矾等以一定的比例与乳化剂混合到做为载体的水一乳油中.复鞣后成革具有好的防腐效果.例如,鞣剂的制备是先把100份水加热烈135°F,然后将6.25份的硼砂,<1份的苯酚,<1份的Edu Lan u防蛀剂,2.5份的明矾,47.7份的DYma SoL植物油和M Obi L Met水乳油46.9份混合1小时,然后加入由Aer O SiL乳化剂(3.8份)和5份明矾的混合物,混合后再加7.6份Aer OSi L乳化剂搅拌混合匀.保持PH值在4.5~5.5之间.用上述复鞣材料鞣制皮革可以得到非常好的鞣制效果. 相似文献
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产品表面缺陷检测任务的重点是对产品表面图像中的异常缺陷区域进行自动检测和分割。然而实际应用中,由于噪声的退化影响和缺陷类型的复杂多样,产品表面缺陷检测仍然是一项具有挑战性的任务。为了应对这些问题,提出了产品表面缺陷检测的多通路阈值收缩融合网络。在各尺度通路中,为了降低噪声干扰,该网络设计了自适应阈值收缩去噪模块,通过双支路自主学习水平和垂直方向的收缩阈值,去除特征中的干扰噪声并且保留有效背景信息,从而实现自适应去噪。为了更准确定位缺陷对象,设计了上下文三维注意力融合模块,通过水平聚合和垂直聚合生成三维注意力图,增强异常区域特征。最终将平行的多尺度特征融合,实现对不同尺度以及不同类型缺陷的有效检测。将所构建模型在SD-900和MVTec-AD数据集上与最新的8种方法进行比较,实验结果表明该模型能够有效提升检测精度,并能够对噪声干扰保持鲁棒性,消融实验也验证了自适应阈值收缩去噪模块和上下文三维注意力模块融合的有效性。 相似文献
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为了实现蓝相液晶中旋光能力性能的模拟计算,建立了蓝相液晶的一维模型,对蓝相液晶在正交线偏光片和正交圆偏光片下的旋光能力进行了模拟计算,并研究了蓝相液晶对外界环境光的反射特性。首先对胆甾相液晶的旋光特性进行了理论和模拟计算结果之间的对比。然后对比蓝相液晶与胆甾相液晶的结构特点,建立了高倾角的胆甾相液晶模型来作为蓝相液晶的一维模型,高倾角的角度由各向同性相的序参数来得到。利用该一维模型模拟计算了蓝相液晶的旋光特性,与实验结果相符,然后模拟计算了大螺距蓝相液晶在正交线偏光片和正交圆偏光片下的透过率,最后模拟计算了这两种情况下蓝相液晶对外界环境光的反射特性。模拟结果表明:使用正交圆偏光片,可以有效地消除大螺距蓝相液晶在可见光范围的旋光特性和Bragg反射,可见光整体旋光角度从5.2°降低到0.06°。结果将对提高蓝相液晶显示器的显示特性有很大的帮助。 相似文献
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有效预测停电敏感度高的客户,可为电力服务部门开展精准营销和差异化服务提供数据与决策支持。本文提出一种基于ksupport稀疏逻辑回归的客户停电敏感度评价算法。不同于常用的l1范数,ksupport范数是对l0范数更为紧致的凸松弛,并能够同时选择多个关联性强的因子进行预测,有利于提升预测准确性。算法首先从客户基本信息、用电信息、 缴费信息、95598工单、停电事件等多个维度筛选用于敏感性预测的自变量(因素),收集各用户的因素信息形成样本数据集。进一步构建停电敏感性预测的ksupport稀疏逻辑回归模型,建立模型快速求解的前向后向算子分裂迭代优化算法,转化为2个子问题的快速迭代。通过优势分析法确定回归模型中对目标变量具有显著影响的自变量因素。运用某省级电网公司近百万客户数据对建立的预测模型进行校验与评估,达到良好的预测准确率,实验结果验证了本文模型的有效性。 相似文献
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准确有效的哈希算法是实现海量高维数据近邻检索的关键.迭代量化哈希(Iterative Quantization,ITQ)和各向同性哈希(Isotropic Hash,IsoHash)是两种知名的编码方法.但是ITQ算法对旋转矩阵施加的约束过于单薄,容易导致过拟合;而IsoHash算法缺乏对哈希编码的更新策略,降低了编码质量.针对上述问题,提出了一种各向同性的迭代量化哈希算法.该方法采用迭代的策略,对编码矩阵和旋转矩阵交替更新,并在正交约束的基础上增加各向同性约束来学习最优旋转矩阵,最小化量化误差.在CIFAR-10、22K LabelMe和ANN_GIST_1M基准库上与多种方法进行对比,实验结果表明本文算法在查准率、查全率以及平均准确率均值等指标上均明显优于对比算法. 相似文献
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提出了一种基于稀疏表示的脑电棘波检测算法,首先以高斯函数及其一、二阶导数为原子的生成函数构建了一个冗余多成份字典,再应用匹配追踪算法获取脑电信号在此字典下的M项稀疏逼近,由该逼近的导数信息与原子的结构参数可准确度量瞬时波形的形态结构特征,进而提出基于形态结构匹配的棘波检测算法,克服了Gabor字典不能识别周期化棘波序列的缺点,同时能够有效去除背景节律与伪迹的影响,检测结果表明该算法针对临床EEG信号的检测率高达93.9%,正确率高达88.0%. 相似文献
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本文报道了CdZnTe像素探测器电极的氧离子刻蚀工艺。通过I-V特性、PL谱以及XPS等实验结果分析了氧离子刻蚀对CdZnTe表面成分、缺陷以及漏电流的影响。研究结果表明,表面氧离子刻蚀在CdZnTe晶体表面形成了致密氧化层。刻蚀功率过大时,刻蚀过程中氧离子轰击会对CdZnTe晶体表面造成损伤,使表面漏电流急剧增大。减小刻蚀功率,延长刻蚀时间,可以增强刻蚀过程中的化学作用,减少CdZnTe晶片的表面氧化与损伤,使表面漏电流降低。 相似文献
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