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当MOS集成电路进入纳米特征尺寸,随机掺杂波动对集成电路性能至关重要,因此实现适应纳米工艺的MOSFET电流失配模型以早期预测器件性能显得十分迫切。本文研究了随机掺杂波动引起的阈值电压和有效迁移率变化的表达式,并应用一个经过改进的适用于65纳米工艺ALPHA律平均电流模型,通过HSPICE仿真的数据拟合并提取相关工艺参数,应用偏离传递公式实现了随机掺杂波动引起的MOSFET漏电流失配模型。在测试条件下,该失配模型计算的标准差与HSPICE的100次蒙特-卡罗仿真结果相比显示相对误差平均值为0.24%,相对标准差为0.22%。表明该失配模型有效分析了随机掺杂波动引起的物理传导机制,简单又能保证精度。 相似文献
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This paper investigates the effect of a non-uniform gate-finger spacing layout structure on the avalanche breakdown performance of RF CMOS technology.Compared with a standard multi-finger device with uniform gate-finger spacing,a device with non-uniform gate-finger spacing represents an improvement of 8.5%for the drain-source breakdown voltage(BVds) and of 20%for the thermally-related drain conductance.A novel compact model is proposed to accurately predict the variation of B Vds with the total area of devices,which is dependent on the different finger spacing sizes.The model is verified and validated by the excellent match between the measured and simulated avalanche breakdown characteristics for a set of uniform and non-uniform gate-finger spacing arranged nMOSFETs. 相似文献
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众所周知,目前国内处于一个重要的数字化背景,各种数字化技术和资源已在各个领域内进行运用,并已取得很好的效果。在很长一段时间以来,非物质文化遗产资源的整合、保护工作所受到的重视程度较高,但很多非物质文化遗产的保护工作存在诸多的限制,在实际的保护过程中也易出现损坏、遗失等等负面情况,而采用数字化技术就能有效地避免出现以上诸多问题,同时可促进国内非物质文化遗产资源整合工作、保护工作的效率和质量同时得到提升,从微观角度上,这对非物质文化遗产的继承和发扬具有促进作用;从宏观角度出发,这对国内社会整体的发展也具重要意义。故此,在本文中就针对数字人文视域下的非遗资源整合及保护机制进行系统的研究和分析,主要目的对促进数字化技术与非物质文化遗产的整合、保护工作进行结合,实现协同发展。 相似文献
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设计了一个新型的结构完全对称的双向MEMS电容式惯性传感器.该传感器主要由可动质量块、栅形条、支撑梁、连接梁、阻尼调整梳齿组成.设计的结构采用变电容面积的检测方式,在降低空气阻尼的同时也降低了对DRIE工艺的要求,并通过加大测试信号电压来降低电路噪声,从而提高传感器的分辨率.用有限元工具ANSYS详细讨论了传感器的参数和性能,并模拟验证了设计的双向传感器的交叉效应近似为零.制作了滑膜阻尼测试器件,在大气压下,测得的品质因子可达514,验证了该结构设计可以提高传感器的分辨率和该工艺设计的可行性. 相似文献
127.
本文在分析了远程开放教学资源开放共享平台建设所存在问题的基础上,以云计算理论及云服务优势为依据,对基于云计算的教学资源开放共享平台的建设及整合的可行性进行了分析,并提出了一种教学资源共建共享的方案,为进一步提高远程教育教学质量提供参考。 相似文献
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提出一种改进的累积型MOS变容管射频模型,改进后模型方程可精确描述累积型MOS变容管全工作区域特性;模型方程连续,且任意阶次可导,至少三阶导数求解结果可实现与测试结果的精确拟合,解决了原模型可导但导数错误、变阻方程不连续等问题.模型最终应用到采用CSM(Chartered Semiconductor Manufacture Ltd)0.25μm RF-CMOS工艺制造的一30栅指(每指尺寸为长L=1μm,宽W=4.76μm)累积型MOS变容管建模中,测量和仿真所得C-V,R-V特性,品质因素以及高达39GHz S参数对比结果验证了模型的良好精度. 相似文献
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