浮筏隔振系统的传递功率流研究

针对实际工程中浮筏装置的隔振性能评估,推导了一种用于浮筏隔振系统传递功率流计算的新方法,并利用本方法进行实例计算,预测各子系统联接界面或耦合点的功率流,描绘各耦合界面的传递功率谱。分析浮筏安装非对称性、机组振幅比对传递功率流的影响。     

气弹簧的刚度计算与安装位置研究

介绍气弹簧的组成结构和工作原理,并讨论气弹簧的刚度计算公式.列举气弹簧在安装使用过程中应注意的问题.结合工程实例,研究气弹簧的运动范围和安装位置,并根据设计输入,按计算刚度进行气弹簧的选型.     

功耗低、结构紧凑的吞吐脉冲式分频器

本文设计了一个功耗低、结构紧凑的吞吐脉冲式多模分频器电路。为了节省功耗,除2/3双模预分频器中的一个D触发器受模式控制信号MC的控制,在特定模式下能自动关闭。可编程计数器和吞吐脉冲计数器中的D触发器共享以构成紧凑的结构进一步减小功耗。所设计的多模分频器采用标准65nmCMOS工艺实现,面积为28umX22um.当工作频率为988MHz时,1.2V电源电压下的分频器功耗为0.6mW。     

一种高增益低功耗的CMOS低噪声放大器

设计了一种新型的全集成的电流复用两级共源低噪声放大器,采用新型输入匹配和一个级联的级间谐振电感实现了低功耗高增益。为了降低芯片面积,两个LC并联网络代替了传统的大电感。这种新型的电流复用结构更有利于输入匹配,降低噪声和功耗。采用SMIC0.18μm RF CMOS工艺制作了一个频率为2.4GHz,噪声系数1.7dB,S11为-30dB,S22为-36dB,功率增益为23dB,反向隔离度小于-35dB,在1.8V的供电电压下仅消耗2mA。     

Ⅲ-Ⅴ族化合物HBT模型参数提取

对Ⅲ-Ⅴ族化合物HBT模型本征集电极和发射极电流方程进行了改进,加强了模型的拟合能力.给出了HBT在零偏和冷偏下的等效电路模型,为精确提取基-射、基-集结本征和外围结电容,开发出一种新的、从零偏条件下测量所得S参数中直接提取本征、外部结电容的方法,该方法同时允许本征集电极电阻(Rci)的解析提取.运用该方法精确提取了一发射结面积为180μm2的GaAs HBT器件参数,验证结果表明,算法精度可达40GHz.     

关于建立党建质量管理体系的几点认识

通过我局精细化管理工作的深入开展,阐述了如何适应形势发展变化,把党建工作导入ISO9000质量管理体系。     

互连线网时延估算的一种有效算法

本文提出一种基于传递函数递推和系数匹配的互连线网时延估算法,该算法用二极点模型逼近互连线网的传递函数,仅通过计算某一频率点上的传递函数,就可利用导出的解析公式或拟合的经验公式进行快速时延估算,不必进行复杂的分量计算,算例表明,对于各个门限值,其计算结果均与ｓｐｉｃｅ计算的时延值发接近,计算量也比通常基于高阶分量计算的算法大为减少,在计算效率和模拟精度两方面得到较好折衷,对于互连线网时延估算具有实用     

偏置电压极性对差分电容微传感器可靠工作条件的影响分析

为了测得电容式传感器的电容变化,一般需要有直流偏置电压的交流驱动信号加到传感器上,然而驱动信号产生的静电力会干扰传感器的测量和可靠工作条件。文中分析差分电容传感器受到阶跃加速度信号作用时,不同偏置电压极性对可靠工作条件的影响,得到不同偏置电压极性下传感器的临界阶跃加速度与随测试信号电压和反馈系数的关系表达式及其变化曲线。结果表明若偏置电压极性为正-正或正-负配置,其电子机械反馈本质上是负反馈,且偏置电压极性-负或负-正配置,其电子机械反馈本质上是正反馈,偏置电压极性为负-正配置时,其抗阶跃加速度冲击的能力最低。     

分子动力学方法模拟压强对Bi4Ti3O12铁电相变行为的影响

在壳模型的基础上, 通过分子动力学方法模拟了压强对Bi₄Ti₃O₁₂(BIT)铁电相变行为的影响. 为了提高模拟的准确性, 在原有势参数的基础上增加了Ti-Ti短程相互作用势. 计算得出了温度为300K时BIT单晶的铁电正交B2cb相在x方向和z方向的自发极化强度分别为39.4μC/cm²和0, 与实验结果较好的吻合. 然后模拟了压强对BIT相变行为的影响. 模拟结果表明: BIT单晶在压强从-2 GPa到24 GPa范围内, 经历了两次结构相变, 分别发生在 6 GPa和20 GPa处. 这种对称性的改变类似于在环境压力条件下温度导致BIT单晶对称性的改变. 因而模拟结果为研究压强引起BIT的相变行为提供了理论依据.     

硝酸银溶液协同改性中心静脉导管覆涂材料的应用性能测试

针对传统中心静脉导管材料抗菌性能和生物相容性较差的问题,提出一种新型医用载银中心静脉导管改性,并对其综合性能进行研究。结果表明,在聚多巴胺中心静脉导管表面的纳米银颗粒成功负载。硝酸银浓度为0.01 mol/L制备的载银中心静脉导管材料(0.01 Ag-DH/CVC)在较低载银含量的条件下表现出良好的抑菌性能和生物相容性,不会对细胞活性和细胞的形态产生影响。制备的载银中心静脉导管用于临床护理应用,在穿刺成功率和并发症发生率方面均明显优于传统PICC导管,表现出良好的医用性能。