运用最优化技术降低边远井点的生产成本

所谓最优化，就是寻找一个最优控制方案或一个最优控制规律，使所研究的对象（或系统）能最优地达到预期目标。最优化技术是研究和解决最优化问题的一门科学，它采用计算机进行寻优的方法，研究和解决如何从一切可能的方案中寻找最优的方案。     

端面反射对集成光源高频特性的影响及其抑制

研究了分布反馈型半导体激光器（DFB-LD）与电吸收（EA）调制器集成光源中调制器端面残余反射对器件高频特性的影响及其消除。针对在DFB-LD／EA集成光源小信号调制响应曲线低频段观察到的异常起伏,测量了DFB-LD的强度噪声谱,比较了不同反向偏压下EA调制器的调制响应。实验结果表明,对集成器件调制响应的干扰主要是来自于EA调制器端面的残余反射而不是微波调制信号的串扰。为了抑制调制器端面的光反射,优化了抗反镀膜工艺,基本消除了调制响应的异常起伏,有效改善了集成器件的高频调制特性。     

有源电子标签与物联网(下)

（上接2010年第5期第31页）2．4．2现有有源电子标签存在的若干问题由于采用（2）和（3）两种工作方式的标签不仅结构复杂、成本高、体积大,而且由于低频通信距离很短,使标签的工作灵活性大大降低,其应用范围也就受到很大的限制。     

纤维质原料间歇与连续汽爆预处理的研究

含纤维原料分别采用间歇汽爆和连续汽爆两种预处理方法,以酶解效率对两种不同预处理方法进行对比评估。     

基于快速热退火量子阱无序技术的新型半导体激光器

本文首先研究了ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ多量子阱材料在不同快速热退火（ＲＴＡ）条件下的量子阱无序,然后利用该技术研制了两种具有新颖结构的半导体激光器．一种是克服端面损伤的有窗口结构的半导体激光器,实验测得最大输出光功率比无窗口结构器件平均增加约１８％．另一种是利用了无序化量子阱材料的折射率变化、具有简单横模限制结构的半导体激光器,获得了４倍阈值下仍保持基模工作的良好结果．     

用于40Gb/s光电子器件的新型低成本硅基过渡热沉

提出了一种新型低成本硅基过渡热沉,用以实现高达40Gb/s的高速光电子器件封装. 采用高阻硅衬底作为热沉基底,制作出了0～40GHz范围内传输损耗小于0.165dB/mm的共面波导传输线. 热沉中采用Ta2N薄膜电阻作为负载以实现器件的阻抗匹配,达到了0～40GHz范围内低于-18dB的宽带低反射特性. 和传统硅基平台相比,新型硅基热沉更具有制作工艺简单、导热性能良好等优点. 为了证明其实用性,热沉被应用于高速电吸收调制器的管芯级封装测试,获得了超过33GHz的小信号调制带宽特性,在硅基热沉上首次实现可用于40Gb/s系统的光电子器件.     

不同Mg掺杂浓度的GaN材料的光致发光

研究了用低压金属有机物化学沉积方法生长得到的具有不同Mg掺杂浓度的GaN样品薄膜,经不同温度退火处理后的发光特性.实验发现随着退火温度的升高,不同掺杂浓度的Mg∶GaN材料的光致发光谱蓝带峰能量相差变小,经850℃退火后蓝带集中在2.92eV附近.利用Mg∶GaN材料内部补偿模型对此现象进行了分析,同时认为对于掺杂浓度较高的样品,850℃为最佳的退火温度.     

基于半导体MZ调制器与DFB激光器混合集成的小型化光发射模块的设计与研究

针对半导体DFB激光器、铌酸锂MZ调制器采用分立封装形式且整体尺寸较大的问题,采用半导体MZ调制器和DFB激光器两类芯片并进行混合集成封装有望显著减小模块的整体尺寸.论文根据芯片和模块尺寸要求提出了一个整体布局结构,并选用双透镜加隔离器以及锥形透镜光纤光耦合方案和微带线转GCPW微波耦合方案.通过仿真计算,对模块中激光...     

基于直接调制和外调制的高速半导体激光光源

直接调制和外调制的半导体激光光源在现代光纤通信系统中有着重要的应用。首先介绍了应用于10 Gb/s接入网系统的直接调制AlGaInAs多量子阱DFB激光器。由于AlGaInAs量子阱的导带不连续性较大,因此基于该材料的半导体激光器具有良好的温度特性,其特征温度达到了88 K。同时,该直接调制激光器的3 dB小信号调制响应带宽超过15 GHz。随后介绍面向40 Gb/s干线传输系统的高速DFB激光器/EA调制器集成光源。该集成光源采用同一外延层集成方案,并采用Al2O3高速微波热沉进行了管芯级封装,在3 V反向偏压下获得大于13 dB的静态消光比,3 dB小信号调制带宽超过40 GHz。