高压LDMOS功耗的分析

利用二维半导体器件模拟软件MEDICI对LDMOS进行了模拟.采用分段模型计算了器件各部分电阻值和总电阻值,并讨论了电阻值随器件结构参数以及外加偏压变化的情况,给出了高压LDMOS主要的功耗区及其变化情况.     

OISD MOSFET阈值电压建模与结构设计

对一种新型半绝缘SOI MOS器件的阈值电压进行建模,该器件采用源漏注氧OISD技术,具有优良的自加热效应抑制能力和耐压特性.由于沟道中存在复杂的二维势场分布,OISD MOSFET阈值电压,亚阈值斜率及短沟道效应均受到硅窗口尺寸的调制.给出了一个基于数值仿真的OISD MOSFET阈值电压简单模型,该模型可指导器件结构设计,并通过MEDICI二维数值仿真进行验证.最后,对OISD MOSFET亚阈值斜率、短沟道阈值电压偏移以及DIBL因子等重要电学参量进行详细的研究.     

全耗尽SOI LDMOS击穿电压的分析

SOI技术已经成功地应用到功率集成电路中,击穿电压是功率器件一个重要的参数。文章分析了SOI LDMOS的击穿电压与漂移区掺杂浓度的关系,并计算了击穿电压。文中首先定义出漂移区临界掺杂浓度,然后分别给出了实际掺杂浓度高于和低于临界掺杂浓度的击穿电压计算公式。计算结果与文献中给出的数值相吻合,证明了模型的正确性。     

用阱作高阻漂移区的LDMOS导通电阻的解析模型

分析了一个用阱作为耐高压漂移区的LDMOS的导通电阻，提出了带有场极板的高阻漂移区导通电阻的计算公式，改进了双扩散沟道导通电阻的计算公式. 针对一个LDMOS的例子做了计算，并将其与相同参数情况下用MEDICI软件模拟的结果作了对比. 结果表明两者相差仅5%，这说明所得公式可用于该类型LDMOS的分析和设计.     

建筑外墙装饰装修绿色施工技术及其应用研究

为了提高建筑外墙装饰装修绿色施工技术的应用效果,减少施工过程对周边环境造成的影响,该文以广东省茂名市电白区公共卫生建设项目建筑外墙装饰装修工程为例,开展了绿色施工技术及其应用研究。首先,选取绿色装饰装修施工材料,为后续绿色施工奠定基础;其次,布设建筑外墙主体主控点和墙面控制网点,标定建筑外墙水平控制线,对建筑外墙进行测量放线,进入建筑外墙抹灰施工工序;最后,采用墙面乳胶漆涂饰施工技术装饰建筑外墙墙面,并进行实例应用分析。实例应用分析结果表明,按照提出的施工技术装修建筑外墙后,定量评价指标值均较高,满足了建筑工程保护环境、节约资源的要求。     

高脉冲电压提前放电避雷针的应用

提前放电避雷针是对传统的富兰克林避雷针理论的发展,由于其所具有的无需工作电源和防雷的高有效性以及保护范围广等特点,目前在全球范围内获得日益广泛的应用.本文介绍提前放电避雷针的构造、工作特点及安装要点.