中子辐照和掺杂氢气氛FZ硅中氢施主研究

本文给出了不同原始材料状况、不同中子辐照剂量对FZ(H_2)硅中氢施主产生的影响和经长时放置的中子掺杂FZ(H_2)硅的退火行为,提出了氢施主与缺陷直接相关的新证据;氢施主与中子辐照和掺杂CZ硅中的氧施主产生、退火以及表观浓度与中子剂量的关系很不相同;中子辐照高于某一剂量时,氢施子浓度趋于饱和。本文对实验结果进行了初步讨论。     

GaAs中子嬗变掺杂初探

<正>在制备大功率整流器、可控硅、硅靶摄像管、核探测器和集成电路等方面中子嬗变掺杂(简称NTD)硅已经得到广泛应用.近来,GaAs等化合物半导体材料的中子嬗变掺杂亦有报导.     

辐照对SiGe HBT增益的影响

比较了电子和γ射线辐照后SiGe HBT和Si BJT直流增益β的变化.在Vbe≤0.5V时,较高剂量辐照时SiGe HBT的放大倍数辐照损伤因子d(β)为负;在Vbe≥0.5V时,SiGe HBT的d(β)远比Si BJT的小.SiGe HBT有更好的抗辐照性能.针对测得的一些电子陷阱对辐照致性能变化的影响进行了讨论.     

中子辐照对彩色CMOS图像传感器性能的影响

对一种彩色互补金属氧化物半导体(CM0S)图像传感器芯片进行了反应堆中子的辐照实验研究,利用图像分析软件分析了辐照前后芯片的暗输出图像的平均暗输出、暗输出不均匀性和动态范围等参数;与γ射线辐照很不相同,中子辐照器件的暗输出图像上出现许多大而密的斑点和条纹,图像上有很多白点和白点串;经过长时间室温退火后的图像质量没有明显改善.文章初步探讨了CMOS图像传感器的辐照损伤机理.     

隔爆型高压电缆连接器的热电耦合分析

针对隔爆型高压电缆连接器在井下输电线路使用过程中事故多发的原因,以LBG1-200/6高压电缆连接器为研究对象,从电、绝缘、热3方面分析了连接器的结构及材料属性;运用ANSYS有限元方法,建立了高压电缆连接器的电磁-热场耦合模型,分析了运行在恶劣环境下高压电缆连接器的温度分布云图。算例定量分析了绝缘老化引起的额外温升及载流量变化,研究结果为矿用电缆连接器的安全使用提供了依据。     

丙纶BCF卷绕机的故障处理

本文简述了丙纶ＢＣＦ纺丝机的关键部位－卷绕机的构造及工作原理。结合多年的生产实践,重点对卷绕机经常出现的机械故障进行分析。     

TS－1催化丙烯环氧化与H2O2生产过程的集成 Ⅱ.环氧化产物和杂质对蒽醌法生产H2O2的影响

研究了丙烯环氧化产物和杂质对蒽醌工作液氢化、氧化反应的影响,并对过程集成中萃取后工作液的干燥脱水进行了研究。试验结果表明,在过程集成中,少量的环氧化产物和杂质对蒽醌法过程中氢化、氧化反应均无明显的影响;过程集成中由于萃取后的工作液中含有甲醇,用浓碳酸钾法脱水不适宜,用凝聚过滤法脱水可行。     

热处理NTD CZ Si的红外吸收光谱

本文报道NTD CZ Si从室温到1200℃退火的红外吸收光谱,研究了600～1300cm~(-1)波数区的一些中子辐照缺陷和氧与碳的红外吸收峰的退火行为和本质,以及中子辐照缺陷与间隙氧随退火温度变化的关系。     

便携式短路接地线快速装拆装置设计

为了彻底解决现有接地线装置装拆复杂、工作强度大、连接不牢固、容易产生脱落的问题,本文设计了一种便携式短路接地线快速装拆装置,该装置使用快速连接和储能技术使高压接地线装置实现了快速、可靠性装拆,在快速性和可靠性融合方面有了很大的突破。现场使用表明该装置能够提高电气作业的工作效率和安全性。