退火温度对Cr17铁素体不锈钢成形性能的影响

对Cr17铁素体不锈钢冷轧钢板进行了不同温度的退火试验,利用显微组织观察、电子背散射衍射(EBSD)技术及力学性能试验探讨了退火温度对冷轧钢板的显微组织、微观织构与成形性能的关系。结果表明,随着退火温度的提高,α纤维织构变弱,取向密度逐渐降低,而γ纤维的织构强点为{111}<112>不变,取向密度逐渐增强,r值增加。当冷轧钢板在1040 ℃退火时,r值最大。     

酚藏花红为显色剂氧化显色光度法测定废水中的Cr（Ⅵ）

研究了在非离子表面活性剂ＯＰ的存在下,以酚藏花红为显色剂,氧化显色光度法,测定废水中的Ｃｒ（Ⅵ）,其摩尔吸光系数ε＝２．８８＊１０＾４Ｌ．ｍｏｌ＾－１ｃｍ＾－１。回归方程Ａ＝０．００１２＋０．０１０２Ｃ,相关系数ｒ＝０．９９９９。     

无人机红外预警技术研究

阐述了无人机红外预警系统的任务需求,总结了红外载荷的基本技术要求,针对国外典型红外预警系统分析了各种技术体制的特点,并总结分析了无人机红外预警系统的系统集成技术体制、工作模式、目标测距和信息处理几个关键技术问题及其实现途径。     

松辽盆地东南隆起区断层与油气运移及成藏

松辽盆地东南隆起区经过数次构造运动改造,形成复杂的断裂系统,按照断层的性质、规模、形成的时间顺序和空间展布特征及与油气的关系,将其分为早期断层、晚期断层、晚期活动的早期断层3类.早期断层中的控盆断层控制断陷的形成、演化;控制沉积断层控制有利源岩的分布部位.断层在活动时期是油气纵向运移通道,停止活动时期则不是;油气在横向上可以穿断层运移,断层在上倾方向上有非渗透遮挡层的条件下可以形成断层油气藏.早期断层活动时期早于生烃期,不是油气垂向运移通道,因此在源岩层系内可以形成早期原生油气藏,并且保存条件好;早期断层对圈闭的支解、分割作用,导致油气分布的复杂性、不连续性.晚期活动的早期断层和晚期断层活动时是油气的纵向运移通道,同时使深层的原生油气藏遭到破环、变为残余油气藏,并在浅层形成次生油气藏.晚期断层停止活动时,亦不是油气垂向运移通道,因此能够在源岩层系内形成晚期原生高产油气藏,保存条件好.断层活动时期与源岩排烃期(油气源)的匹配关系,决定油气的分布层位及油气藏的形成与破坏.     

穿屋面钢柱及天窗等节点防水处理技术

本文通过重庆国际博览中心工程穿屋面钢柱、天窗、天沟、檐口等节点防水处理技术为例,详细介绍了该技术的工艺流程、施工工艺、控制要点等,为类似工程提供了参考和借鉴。     

富硅量不同的富硅二氧化硅薄膜的光致发光研究

以硅－二氧化硅复合靶作为溅射靶，改变靶上硅与总靶面积比为０％，７％，１０％，２０％和３０％，用射频磁控溅射方法在ｐ型硅衬底上淀积了五种富硅量不同的二氧化硅薄膜．所有样品都在３００℃氮气氛中退火３０分钟．通过Ｘ射线光电子能谱、光吸收和光致发光测量确定出：随着硅在溅射靶中面积比的增加，所制备的氧化硅薄膜中纯硅（纳米硅）的量在增加，纳米硅粒的平均光学带隙在减小；但不同富硅量的二氧化硅膜的光致发光谱峰都接近于１．９ｅＶ，随硅在溅射靶中面积比增加，发光峰有很小的红移，其红移量远小于纳米硅粒的平均光学带隙的减少量．     

GaAs中子嬗变掺杂的初步研究

硅的中子嬗变掺杂(简称NTD)法已经得到了广泛应用,在制备大功率整流器、可控硅、硅靶摄像管、核探测器和集成电路等方面被公认是一种好方法。中子辐照硅的优点是掺杂十分均匀,浓度偏差可在±5％之内;掺杂精度高,能够准确地达到所要求的浓度。近年来,Ⅲ-V族化合物半导体的中子嬗变掺杂亦有报道。1971年Miriashvili等人首先报道了GaAs的中子嬗变掺杂。在这之后,一些作者进一步研究了热中子辐照GaAs的原理、特点和它的应用。1982年在美国马里兰举行的第四届国际NTD会议上也报道了这方面的内容。     

丙纶FDY设备改造成丙纶BCF设备的经验介绍

本文介绍了对从意大利Ｆｉｌｔｅｗ公司引进的丙纶ＦＤＹ设备进行技术改造，生产丙纶ＢＣＦ的经验。即在原丙纶ＦＤＹ专用纺丝机的基础上，增设必要的变形，网络，塞鼓及相应的附属设备和控制系统，使之符合生产丙纶ＢＣＦ的要求，达到一机两用的效果。     

金牛钾碱公司的5S管理与安全

简要介绍了5S管理的内容,并结合化工企业的特点,介绍了金牛钾碱推进5S管理的具体做法以及实施5S管理之后对安全生产的促进作用。     

基于STM32F407VE的磁浮轴承控制器的设计（英文）

为了对传统磁浮轴承控制器的不足之处进行改进,设计了一种基于ARM的磁浮轴承控制器。该控制器能够控制5个维度使转子悬浮,同时能够及时调整10组电流驱动器。该控制器选用32位ARM STM32F407VE作为核心处理芯片,具有可靠性高,速度快的优点,精度能够达到0. 02 mm,运行稳定可靠。