盐酸深解吸工艺的改进

简述常规的浓盐酸解吸工艺和传统的稀盐酸深解吸工艺,建议对现有处理工艺中产生的大量质量分数为1％的盐酸废液在氯化钙浓缩釜中用氢氧化钙中和后再蒸发,改进后,采用碳钢设备,不产生废液,实现了清洁生产,降低了成本.     

智能多点温度测量模块在电力系统中的应用

本文介绍了一种智能多点温度测量模块在电力电缆火灾报警系统中的应用。该系统由上位机和智能测温模块共同组成主从式测温网络,智能模块采用多CPU技术完成各节点温度的读取和主机的通讯功能。模块与上位监控机采用RS—485总线或无线数据模块进行通讯,通讯协议采用MODBUS—RTU模式。为提高系统的可靠性和安全性,设计中使用了多级隔离技术和“单总线”驱动技术。     

退火温度对Cr17铁素体不锈钢成形性能的影响

对Cr17铁素体不锈钢冷轧钢板进行了不同温度的退火试验,利用显微组织观察、电子背散射衍射(EBSD)技术及力学性能试验探讨了退火温度对冷轧钢板的显微组织、微观织构与成形性能的关系。结果表明,随着退火温度的提高,α纤维织构变弱,取向密度逐渐降低,而γ纤维的织构强点为{111}<112>不变,取向密度逐渐增强,r值增加。当冷轧钢板在1040 ℃退火时,r值最大。     

酚藏花红为显色剂氧化显色光度法测定废水中的Cr（Ⅵ）

研究了在非离子表面活性剂ＯＰ的存在下,以酚藏花红为显色剂,氧化显色光度法,测定废水中的Ｃｒ（Ⅵ）,其摩尔吸光系数ε＝２．８８＊１０＾４Ｌ．ｍｏｌ＾－１ｃｍ＾－１。回归方程Ａ＝０．００１２＋０．０１０２Ｃ,相关系数ｒ＝０．９９９９。     

穿屋面钢柱及天窗等节点防水处理技术

本文通过重庆国际博览中心工程穿屋面钢柱、天窗、天沟、檐口等节点防水处理技术为例,详细介绍了该技术的工艺流程、施工工艺、控制要点等,为类似工程提供了参考和借鉴。     

富硅量不同的富硅二氧化硅薄膜的光致发光研究

以硅－二氧化硅复合靶作为溅射靶，改变靶上硅与总靶面积比为０％，７％，１０％，２０％和３０％，用射频磁控溅射方法在ｐ型硅衬底上淀积了五种富硅量不同的二氧化硅薄膜．所有样品都在３００℃氮气氛中退火３０分钟．通过Ｘ射线光电子能谱、光吸收和光致发光测量确定出：随着硅在溅射靶中面积比的增加，所制备的氧化硅薄膜中纯硅（纳米硅）的量在增加，纳米硅粒的平均光学带隙在减小；但不同富硅量的二氧化硅膜的光致发光谱峰都接近于１．９ｅＶ，随硅在溅射靶中面积比增加，发光峰有很小的红移，其红移量远小于纳米硅粒的平均光学带隙的减少量．     

GaAs中子嬗变掺杂的初步研究

硅的中子嬗变掺杂(简称NTD)法已经得到了广泛应用,在制备大功率整流器、可控硅、硅靶摄像管、核探测器和集成电路等方面被公认是一种好方法。中子辐照硅的优点是掺杂十分均匀,浓度偏差可在±5％之内;掺杂精度高,能够准确地达到所要求的浓度。近年来,Ⅲ-V族化合物半导体的中子嬗变掺杂亦有报道。1971年Miriashvili等人首先报道了GaAs的中子嬗变掺杂。在这之后,一些作者进一步研究了热中子辐照GaAs的原理、特点和它的应用。1982年在美国马里兰举行的第四届国际NTD会议上也报道了这方面的内容。     

丙纶FDY设备改造成丙纶BCF设备的经验介绍

本文介绍了对从意大利Ｆｉｌｔｅｗ公司引进的丙纶ＦＤＹ设备进行技术改造，生产丙纶ＢＣＦ的经验。即在原丙纶ＦＤＹ专用纺丝机的基础上，增设必要的变形，网络，塞鼓及相应的附属设备和控制系统，使之符合生产丙纶ＢＣＦ的要求，达到一机两用的效果。     

金牛钾碱公司的5S管理与安全

简要介绍了5S管理的内容,并结合化工企业的特点,介绍了金牛钾碱推进5S管理的具体做法以及实施5S管理之后对安全生产的促进作用。     

片状钾碱生产装置技术改造

介绍了片碱生产工序中片碱机刮刀损坏、镍设备腐蚀泄漏的处理措施.