在(111)Si衬底上磁控溅射纳米SiC薄膜的退火效应

用射频磁控溅射法在常温硅衬底上制备出了纳米碳化硅薄膜,并研究了退火温度对薄膜的影响。用傅里叶红外透射谱（FTIR）、x射线衍射（XRD）、x光电子能谱（XPS）及原子力显微镜（AFM）对薄膜样品进行了结构、组分和形貌分析。AFM表明,随着退火温度的升高,碳化硅颗粒尺寸增大;在高于1000℃退火3h后,碳化硅颗粒呈现出勺状拖尾。     

在Si(111)上磁控溅射碳化硅薄膜的H2退火效应

用射频磁控溅射法在常温硅衬底上制备了碳化硅薄膜并研究了氢退火对薄膜的影响.用傅里叶红外透射谱(FTIR)、X射线衍射(XRD)、X光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)及原子力显微镜(AFM)对薄膜样品进行了结构、组分和形貌分析.结果表明:高温退火后SiC膜的晶化程度明显提高,而且在薄膜中观察到了碳纳米线的形成.     

卫22块控躺技术综合应用

卫22块位于卫城构造北端,属中孔细喉低渗透油藏。近年来,由于该区块特殊的地质环境和产出液介质变化造成了管杆腐蚀偏磨严重。为此,我们加强了腐蚀偏磨机理研究,通过引进新型缓蚀剂、优化采油方式、优化工作参数、综合运用防偏磨工艺,取得了明显成效。     

ER70S-6钢氮氧含量控制

为了降低气保焊丝钢ER70S-6最终产品的氮氧含量,提高焊丝的成材率,改善焊丝的焊接冶金性能,国内某生产厂实行转炉、精炼、连铸全流程控氮氧措施。结果表明:转炉环节氮质量分数降低了3×10-6,精炼工序氮质量分数降低了4×10-6,连铸大包至中包氮质量分数降低了2×10-6,全工艺环节总氮质量分数下降了约11×10-6,轧材成品全氧质量分数平均下降了27×10-6。在夹杂物及组织方面,低倍金相图片显示夹杂物的总体数量有所减少,存在形态由颗粒状及链状变为不连续的点状,分布状态由聚集态向弥散转变,同时高倍金相图片显示,晶粒略有增大,晶粒度有所下降,夹杂物沿晶界析出状况有所好转。     

凤河营潜山成藏条件再认识及勘探潜力分析

廊固凹陷凤河营潜山已有40多年的勘探历史,发育有潜山顶和潜山内幕两种油气藏类型,潜山顶勘探程度较高,但潜山内幕勘探程度却很低.通过对潜山构造发育特征、油源条件、储盖组合、油气输导体系、圈闭类型等的研究结果表明:凤河营潜山具有形成早、定型晚于生排烃高峰期的特点,但潜山内幕圈闭却具有形成、定型均早于生排烃高峰期的特点.潜山内幕发育多套含油层系,内幕油藏多次充注、持续运聚,分析认为,凤河营潜山内幕具有更好的勘探潜力.其中京101潜山具有潜山顶和内幕(府君山组、雾迷山组)两种类型圈闭3套目的层段,是突破凤河营潜山及潜山内幕勘探的首选目标.