具有硬件CSMA/CD的RS-485总线控制网设计

论述在全双工RS—485总线控制网中应用硬件电路实现CSMA／CD(带冲突检测的载波侦听多址接入)功能的设计方法。这种方法克服了主从式多址轮询应答方式所带来的轮询周期过长缺点，提高了控制网络的实时性。该方法已成功运用于实际应用系统。最后指出了在全双工RS—485网络上实现对等网通信的方法。     

气调包装对不同含水率食用菌货架期保鲜的影响

以平菇、香菇为例，研究了不同含水率的食用菌经浸泡和气调包装处理后的物理、生理变化，通过实验，分别研究了不同含水率样品对其感官品质、失重率、细胞膜透性、酸度等的影响，结果表明，气调包装条件为1．5％～2．0％O2 15—20％CO2，并经浸泡液处理，含水率在87％～88．5％的平菇和含水率为85．5％～87．0％的香菇具有良好保鲜效果。     

金属材料洛氏硬度B标尺测量结果不确定度的评定

洛氏硬度测量结果不确定度主要来源于由试样硬度测量重复性,检定时平均值引起的A类不确定度;由硬度计允许误差、标准洛氏硬度、测量系统的分辨力引起的B类不确定度。对洛氏硬度B标尺测量结果的不确定度进行分析和评定。     

基于多传感器复用的粘连币模糊识别

纸币粘连是导致点钞机计数失败的主要原因,粘连币可以细分为:纸币部分重叠并相连的连张币和纸币边缘完全重叠的重张币.运用速度传感器并配合左右计数红外传感器,测量纸币的宽度并进行纠偏、补孔运算,不仅能检测出连张币,还能检测残缺、裂口、卷边纸币,检测精度不低于2 mm;同时通过复用左右两对红外计数传感器作为纸质传感器,并将透射过纸币的红外信号进行放大并连续进行A/D转换,应用滑动窗口实时建立纸币纸质特征隶属函数,进行纸币重张模糊识别同时又能检测出粘补纸币.运用上述方法设计的LD-50D型点钞机能自动清点美元、欧元、港币、卢布、澳元以及罗马尼亚等国的不同纸币,错点率指标优于GB16999-1997规定的10-5.     

镧对黑曲霉生长代谢的影响

研究了单一稀土离子La3+对黑曲霉生长代谢的影响。结果表明:在培养基中添加适宜浓度的La3+后,固体平板上菌体生长速率提高,液体培养基中菌体生长量增大。当La3+浓度为40mg/L时,菌体生长速率、生长量及CMC酶活力均达到最大值,此后随离子浓度的增大而逐渐减小。滤纸酶活力则在La3+浓度为20mg/L时达到峰值,随后也随离子浓度的升高而逐渐降低。     

多通道μs级接触故障的测定方法

本文着重描述μｓ 级信号的获取及其测定原理和实现，同时扼要介绍了接触稳定性及接触稳定性监测仪。     

全英文房地产经济学课程的改革与建设研究

随着我国国际化的进程不断加快,房地产从业人员对专业英语的需求越来越高,部分高校开设了全英文房地产经济学课程。虽然国内房地产经济学方面的教改论文较多,但是未见关于其全英文课程建设方面的研究成果。以东南大学的全英文房地产经济学课程为例,分析其面临的学生、教师、教材、素材等方面挑战,总结教学团队、教学材料、课程内容、教学方式、考核方法等方面的改革与建设措施,并提出进一步的发展方向。     

改进子系统可用性

随着公司的发展壮大,系统也需要更多的灵活性。过去对于小公司而言,性能可能是首要因素,而大公司在某些情况下往往要牺牲一部分性能来换取系统的安全。现在IBM PC Server RAID SCSI阵列卡,则提供了性能和安全性两全齐美的方案,它支持RAID 0、1和5级。其与众不同之处在于,你可以按照公司不同发展阶段的不同要求,来调整RAID的级别。而且PC Server RAID SCSI阵列卡同时支持四     

大型基础设施项目治理结构对其风险管理的影响研究

大型基础设施工程具有高难度高风险的特点,尽管对项目风险管理方面的研究已经有很多,但是大多缺乏深入的案例分析。为弥补前人研究的不足,采用跨案例研究的方法对宜万铁路工程和新西兰奥克兰北岸收费高速公路项目两个大型基础工程进行了比较分析,发现集权独立治理结构强调自上而下的风险分担特点,而联盟治理结构鼓励建立风险预警机制的特点。解释了不同的治理结构及关键因素对风险管理的影响。研究结果进一步加深了人们对项目组织与风险管理关系的理解,为项目管理者在决策选用何种项目治理结构来达到目标风险管理提供了参考。     

衬底偏压对HWCVD制备纳米晶硅薄膜结晶性的影响

通过在热丝化学气相沉积(HWCVD)制备纳米晶硅 薄膜过程中施加衬底偏压,研 究衬底偏压对HWCVD制备纳米晶硅薄膜结晶性能的影响。利用拉曼(Raman)光谱,X射线 衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对所制备的纳米晶硅薄膜的结构性能进行分析。结果表 明,与未施加衬底偏压的薄膜相比,当衬底偏压为－300V时,薄膜 的晶化率由42.2%升高至 46.2%;当衬底偏压升高至－600V时,晶化率 又降至40.6%;未施加衬底偏压与施加－300V 偏压的纳米晶硅薄膜表面由长约200nm、宽约100nm的晶粒构成,－600V衬底偏压的薄 膜表面晶粒尺寸明显变小,并且出现大量非常细小的晶粒。分析产生上述现象的原因,主要 与 高温热丝发射电子、电子在电场作用下加速运动并与反应气体、基团碰撞发生能量传递有关 。