低功耗、高电源抑制比基准电压源的设计

提出一种新颖的自偏置有源负载放大器,设计构成了低功耗、高电源抑制比的基准电压源,并对基准电压源的低频电源抑制比和自偏置有源负载放大器的开环增益进行了分析.此基准电压源已用于一款电源管理芯片中,在德国XFAB公司XB06工艺上流片实现,芯片实测结果基准电压为1.206V,静态电流为6μA,温度系数为40ppm/℃,低频电源抑制比为85dB.     

低功耗、高电源抑制比基准电压源的设计

提出一种新颖的自偏置有源负载放大器,设计构成了低功耗、高电源抑制比的基准电压源,并对基准电压源的低频电源抑制比和自偏置有源负载放大器的开环增益进行了分析.此基准电压源已用于一款电源管理芯片中,在德国XFAB公司XB06工艺上流片实现,芯片实测结果基准电压为1.206V,静态电流为6μA,温度系数为40ppm/℃,低频电源抑制比为85dB.     

一种多功能的微处理器电源监控芯片的设计

介绍了一种多功能、低功耗微处理器电源监控芯片的设计方法。此芯片属于微处理器监控器件,集成有众多组件,提供了完整的微处理器的电源监控和看门狗功能,是理想的低成本电池管理方案,非常适用于电源电流为35μA的便携式、电池供电的应用中。文中分别对系统中各个模块做了介绍,特别介绍了带隙基准电压源和看门狗这两个重点模块。     

500V VDMOS功率器件终端结构设计

本文论述了VDMOS器件的一种场板-分压环结合的终端结构。对1.5A/500V功率器件进行了分析和设计,并给出了终端电场分布的模拟结果。投片试制结果与设计预期参数相符。     

一种低功耗时钟芯片的设计与实现

本文讨论了一种低功耗时钟芯片的设计与实现。通过分析CMOS电路功耗产生原因,给出了详细的低功耗实现方案。流片后测试表明该芯片工作电流0.17mA,满足低功耗要求。     

锂电池充电器中恒流恒压控制电路的设计

设计了一种采用开漏输出MOS管取代二极管的恒流恒压控制电路,对电路处于过渡区的原理进行了详细分析;通过在放大器内部引入负反馈的方式,优化了恒流向恒压过渡时的稳定性.电路采用德国XFAB公司的0.6 μm BiCMOS工艺模型,得到最终测试电压为4.192 V,充电精度为0.19%.     

一种基于RS485/RS422的多速收发器的设计

设计了一种基于RS485/RS422通信协议的多速收发器.该收发器可选择三种通信速度,并对应不同的通信距离,具有失效保护、过温过热保护、热振荡保护、迟滞比较、限摆率、短路电流限制和通信编码纠错等功能,能有效防止EMI的影响,总线上可以同时驱动256个负载.测试结果表明,在通信速度为10 Mb/s,500 kb/s和115 kb/s时,上升时间分别为33 ns,663 ns和2580 ns,摆率满足RS485/RS422协议要求.该收发器已经成功批量生产,大大扩宽了RS485/RS422协议芯片的应用范围.     

基于电容倍增的LDO设计

本文设计了一种低静态电流、高稳定性的低压降线性稳压器,为了减小补偿电容值,及控制频率响应中尖峰的位置,本文采用了电容倍增技术进行频率补偿,并给出了稳定性的理论推导。该LDO在负载电流0.1mA和150mA时都具有较好的相位裕度。电路采用XFAB 0.6um CMOS工艺模型,最终设计的LDO电路静态功耗17uA。使用10uF的负载电容,在负载电流变化率为770mA/100us时,最大过冲为12.2mV（0.7%）。     

微孔发泡注塑成型工艺及其设备的技术进展

微孔发泡注塑技术是实现塑料轻量化设计的重要途径.在简要回顾微孔塑料发泡注塑成型工艺的基础上,重点介绍了微孔发泡注塑成型设备的发展动向.从注气、塑化、注射、模具和辅助系统等五个模块,分析总结工艺要求及多种国外产业端的先进设备特点和解决方案.文中重点论述多个成功应用的生产设备创新案例,并对微孔发泡注塑成型技术和设备的未来发...     

三输入与门的输入端差异性问题的研究

采用Hspice2003.09软件,利用精确和接近实际的元器件模型进行仿真模拟,仿真对象为三输入与门。通过对传输特性的分析,证明三输入与门的三个输入端对输出端的影响存在差异性。通过对不同工艺尺度和不同NMOSFET衬底连接状态的传输特性分析,找到了减小输入端差异性的方法。其中采用了0.5um,2um和4um沟长参数进行仿真分析,结果对实际芯片的电路设计有较直接的参考价值。