轧机实时监控系统中的数据采集技术

如何实现大容量高速数据采集是轧机监控系统设计的重点和难点所在。本文简要介绍了该系统中数据采集模块的设计思想和要求，并针对高速数据采集软件中的线程通讯、数据处理和存取等问题。作了详细的分析和探讨，提出了一些行之有效的解决方法。     

国内乳企“圈地”争奶源

国内奶商新一轮争夺爆发。由于全球奶源减少,8月份起,国外奶粉纷纷涨价,国内奶粉厂商也纷纷圈地,伊利、蒙牛等圈定奶源基地,近日获悉,另一奶粉巨头雅士利投资3亿元的山西基地将于近期正式投产。     

简简单单两三步，本本BIOS设置你也会（3）

当你第一次进入戴尔笔记本电脑的BIOS时，发现以往较为熟悉的BIOS界面已荡然无存，取而代之的是相对繁琐的界面。此时你是否有一种无从下手的感觉。别急，我们给你娓娓道来。     

不同孔径Ni-MCM-41催化剂及用于甲烷部分氧化反应的研究

通过添加1,3,5-三甲苯(TMB)溶胀剂制备不同孔径的Ni-MCM-41催化剂,采用XRD、N_2吸附-脱附、H_2-TPR、FTIR、TGA对制备的催化剂进行表征,并考察孔径大小对甲烷部分氧化制合成气催化性能的影响。结果表明,在四种不同孔径中,TMB/CTAB=3时,更有助于提高催化剂的抗积碳能力。在温度750℃,空速18 L/(g·h)的条件下,3TA的催化剂在反应中的催化效果最佳,CH_4转化率达90%,CO选择性达89%。     

性别和参照系整合方向对主方位判断的影响

通过一项4(拍摄方位)×4(目标位置)×2(性别)×2(转化方向,即任务类型)的实验,证实了主方位判断中的方位效应(匹配效应,即朝北效应)和目标位置效应(上下位置<左右位置),发现当转化方向从环境参照到自我参照(基于环境参照的自我参照系中的主方位判断)时主方位判断错误率和反应时间都高于从自我参照向环境参照的主方位判断(基于自我参照的环境参照系中的主方位判断)错误率和反应时间,且存在明显的性别差异,表现为:对基于自我参照的环境参照系中的主方位判断,男女性别差异不明显;对基于环境参照的自我参照系中的主方位判断,男生判断错误率和反应时间低于女生。     

汉字编码输入中重码集合的搜索

该研究系统地考察了汉字编码输入中重码集合的搜索问题。研究结果发现，对同形字组成的重码集合的搜索难于对同音字重码集的搜索。而集合大小以及排列位置对重码汉字的搜索具有显的影响。本研究对评价汉字编码输入法和重码集合的处理提出了一些建议。     

迁移的测量方法综述

迁移作为基本的学习现象始终是心理学研究的重要课题，而测量迁移是研究迁移的重要手段。文章介绍了3种测量迁移的方法，对每种方法进行了简要的分析，并指出在使用时应注意它们各自的局限。     

电力机车空调电源设计

针对电力机车内特定的空调使用环境,设计一种新的机车空调逆变电源。实验结果表明,使用本设计方案的电力机车空调电源系统后,空调器工作可靠,并且不影响电力机车其他设备的正常运行。     

采用SiGe虚拟衬底高迁移率应变硅材料的制备和表征

研究了生长在弛豫Si0.79Ge0.21/梯度Si1-xGex/Si虚拟衬底上的应变硅材料的制备和表征,这一结构是由减压外延气相沉积系统制作的.根据双晶X射线衍射计算出固定组分SiGe层的Ge浓度和梯度组分SiGe层的梯度,并由二次离子质谱仪测量验证.由原子力显微术和喇曼光谱测试结果得到应变硅帽层的表面粗糙度均方根和应变度分别为2.36nm和0.83%;穿透位错密度约为4×104cm-2.此外,发现即使经受了高热开销过程,应变硅层的应变仍保持不变.分别在应变硅和无应变的体硅沟道上制作了nMOSFET器件,并对它们进行了测量.相对于同一流程的体硅MOSFET,室温下观测到应变硅器件中电子的低场迁移率显著增强,约为85%.     

采用SiGe虚拟衬底高迁移率应变硅材料的制备和表征

研究了生长在弛豫Si0.79Ge0.21/梯度Si1-xGex/Si虚拟衬底上的应变硅材料的制备和表征,这一结构是由减压外延气相沉积系统制作的.根据双晶X射线衍射计算出固定组分SiGe层的Ge浓度和梯度组分SiGe层的梯度,并由二次离子质谱仪测量验证.由原子力显微术和喇曼光谱测试结果得到应变硅帽层的表面粗糙度均方根和应变度分别为2.36nm和0.83%;穿透位错密度约为4×104cm-2.此外,发现即使经受了高热开销过程,应变硅层的应变仍保持不变.分别在应变硅和无应变的体硅沟道上制作了nMOSFET器件,并对它们进行了测量.相对于同一流程的体硅MOSFET,室温下观测到应变硅器件中电子的低场迁移率显著增强,约为85%.