华擎四大天王全接触

华擎主板是主板界的一支新军，也许大家在一年前还不知道它是什么品牌，但凭借着其出色的性价比，其主板产品在市场上获得了不错的口碑。随着主板天天送、五龙献中华以及“买华擎主板送29寸纯平彩电”等活动的推出，实在让人心动不已。今天，华擎再次把四大天王主板全部推向了市场，看来华擎要把这次活动升华到高潮了。     

建模成功的终极法则——立体建模的最新动态

建模虽然是CG制作的初期阶段所进行的工作，但也是最花费时间序之一。由于每个人的建模习惯各不相同，所以在自身的立体建法之外，还一定包含着需要学习的内容。在此专辑中，介绍了各件的立体建模技巧，另外，还包含了影像、游戏制作过程中的位定等内容。相信各位一定能从中发现适合自己的“成功法则”。     

受限语言子集的理论研究和探索

本文在综述受限语言研究成果的基础上,提出受限语言子集的一种形式化描述模型,并给出其相应的语言特性和数学特性,就受限汉语子集的确定方法问题进行了理论研究和探索。作者希望本文提出的表示模型和确定方法能够引起有关的讨论,并在充分认识受限语言研究的必要性和困难的基础上,将其引向全面深入的发展。     

CIO到CPIO企业信息化推进的组织保障

过去认为企业搞信息化要有CIO,而我们说今天企业要成功必须要有CPIO! 笔者多年前就有这样一个观点--要想企业信息化成功,它的前提就必须要首先进行业务流程的梳理和优化,这种观点已经被普遍接受了.在政府信息化、政府建设过程中也依然需要重组和优化.延伸来说,要想企业信息化成功,需要的是流程的优化和重组.很多企业也曾经专门做这项工作,最后做出来的可能是一本流程的白皮书.     

845PE也疯狂——翔升i845PEV2主板试用

随着800FSB的CPU开始逐渐占领市场,例如Int845PE+ICH4这样经典搭配的主板都已经失去了昔日的光芒,正面临着被淘汰的态势。虽然现在部分朋友选择赛扬时还是选择了较为便宜的845PE主板,但是这样对日后的升级必然带来困难,不支持800前端总线和DDR400内存是它致命的弱点。为了突破这一限制,部分厂家开始进行自家研发,推出了能支持800FSB的845PE主板。今天我们就来看看对845PE改造后的这块翔升i845PEV2主板吧。打开包装盒,CPU插槽和内存插槽上就粘上了标识着800前端总线和DDR400支持的醒目标签。PCB电路板采用深蓝色,CPU供电部分…     

朗科涉假案内幕调查

4月11日,一篇题为《优芯变忧心:朗科离职员工大曝造假内幕》的文章在网络中广为流传,引起轩然大波。文章作者自称“前朗科员工”,该文对朗科的超稳定技术和名声大噪的“优芯一号”技术上的成就质疑,并且声称朗科的市场占有率“纯属虚构”。一时之间,各种声音不绝于耳。     

泥质细砂岩材料破坏与强度衰减研究

为了认识真实的岩石材料破坏和强度衰减规律,通过多组常规的单轴压缩试验和不同围压下的三轴压缩试验对泥质细砂岩的材料破坏过程和抗压强度进行了实测．把前面试验破裂形成的不规则岩块浇注在混凝土制成的“剪切壳”中,运用XJ-1型携带式剪切仪进行了自行设计的压剪试验,获得了岩块在压剪过程中的剪切力一压应力关系曲线,以此来测得破裂岩块的自身材料强度．通过对比先前压缩试验得到的极限莫尔包络线,研究了破坏前完整岩样与破坏后损伤岩块间的强度变化．讨论了不同试验方法,损伤程度,尺寸效应,材料异性对岩石强度衰减的影响．结果表明,岩石在破坏过程中环向应变与体积应变在峰后近乎以直线形式增长,岩块抗剪强度表现出尺寸效应,岩样伴随着破裂演变材料强度发生衰减．     

响应面法优化皱褶假丝酵母脂肪酶催化合成甾醇共轭亚油酸酯

以皱褶假丝酵母(Candida rugosa)脂肪酶为催化剂,在正己烷体系中催化植物甾醇与共轭亚油酸合成甾醇共轭亚油酸酯.以植物甾醇酯化率为考察指标,通过单因素实验和响应面实验确定最佳工艺参数为:酸醇摩尔比6∶1,反应温度40℃,酶用量9.6％(占底物质量),反应时间87 h.在此条件下,酯化率达97.5％.     

美利用蔗渣开发虾饲料

美国科学家日前利用蔗渣配制成新型虾饲料，成本比进口虾饲料降低67％，质量可与进口饲料相媲美。研究人员将将蔗渣粉碎，拌入蛋白质、脂肪和矿物质，最后压制成颗粒、烘干。用这种饲料喂养幼虾，可以从饲料本身及寄居于饲料中的微生物获取营养，在盛产甘蔗的热带区，特别是小规模养虾场，适于推广这种饲料。印度科学家推荐用大豆     

雪崩击穿条件下4.5kV IGBT器件的背面优化研究

The static avalanche breakdown behavior of 4.5 kV high-voltage IGBT is studied by theory analysis and experiment. The avalanche breakdown behaviors of the 4.5 kV IGBTs with different backside structures are investigated and compared by using the curve tracer. The results show that the snap back behavior of the breakdown waveform is related to the bipolar PNP gain, which leads to the deterioration of the breakdown voltage. There are two ways to optimize the backside structure, one is increasing the implant dose of the N C buffer layer, the other is decreasing the implant dose of the P C collector layer. It is found that the optimized structure is effective in suppressing the snap back behavior and improving the breakdown characteristic of high voltage IGBT.