CMOS数字像素传感器噪声研究

在研究CMOS数字像素传感器(DPS)噪声特性的基础上,利用脉冲宽度调制(PWM)原理建立了关于PWM DPS完善的系统噪声数学模型。相比于传统CMOS图像传感器噪声研究,该模型考虑了系统中各像素单元积分时间不同和像素级模数转换的特点,推导出总噪声表达式。研究表明,低照度时噪声由暗电流散粒噪声主导,光强大时主要来源为光电二极管散粒噪声。模型中光电二极管散粒噪声与光照无关、暗电流散粒噪声与光照有关。研究结果表明针对PWM DPS系统,适当增大节点电容和比较器参考电压、改善比较器失配可有效降低噪声。     

基于CAN总线的电脑横机机头控制器的开发

介绍一种电脑横机控制系统机头控制器的设计方案。该方案以F040高性能单片机为核心,通过CAN总线与上位机通讯,完成对电脑横机机头执行元件的控制。机头控制器由核心板、电动机驱动板、选针器与电磁铁驱动板和电源底板几个部分组成,分别介绍了各部分的功能及电气原理。该方案结构简单,维护方便,数据传输量少,可应用于CAN总线传送方式的电脑横机的控制系统。     

中空装配式凸轮轴滚花连接数值模拟分析

介绍了中空装配式凸轮轴的技术优势以及滚花连接的连接机理,采用数值模拟的方法分析了影响滚花连接压装力和连接强度的各种因素,并进行了滚花连接压装试验。试验结果表明:材料、过盈量、滚花连接区长度、滚花齿形及齿间距都是影响滚花连接压装力和静扭强度的主要因素,并且凸轮和轴体材料的优化匹配、滚花齿形的合理选取以及增加装配过盈量和增大连接区长度都可提高连接强度。     

高分辨率双快门模式CMOS图像传感器控制电路的设计与仿真

主要介绍了一种可用于空间信息获取的高分辨率双快门模式CMOS图像传感器,分析比较了该CMOS图像传感器卷帘式和同步式两种快门模式的工作原理和特点,设计了两种快门模式的时序控制电路并进行了仿真和验证,结果表明了控制电路设计的正确性,并可适用于空间微纳型卫星的成像系统。     

痕量组分对气体处理装置溶剂选择的影响

世界许多油气田生产出的气体富含烃，可加工处理制成产品气和液化天然气（NGL）。对产品天然气进一步处理制成液化天然气或对气转液（GTL）及其他气体装置提供原料。但许多同类气田均含一些（一般为几个百分比）H2S、CO2和其他痕量组分，这些痕量组分使气体条件和处理要求变得复杂。[第一段]     

PLE/NPLE transition temperature in γ→α transformation of Fe-C-Xi alloy under hot deformation condition

在已有合金元素的再分配和不分配局部平衡(PLE/NPLE)转变温度的理论计算方法基础上,考虑热变形的影响,建立了热变形条件下Fe-C-X(X表示Mn,Si,Cr等一种或几种元素)合金钢的正平衡热力学方程,从而求解热变形体系的PLE/NPLE转变温度.并利用Gleeble-1500D热力模拟试验机进行了Fe-C0.073-Mn2.17-Si0.80-Cr0.88(质量分数,%)合金钢的热变形γ→α等温转变实验,根据金相照片估测了实验用钢的PLE/NPLE转变温度,实验估测值与理论计算值基本符合.820℃以0.5 s-1的应变速率对实验用钢加载40%的名义应变,其γ→α等温转变的PLE/NPLE转变温度提高了近10℃.     

新型步进电机驱动电源的研制

一种用于驱动步进电机工作的电源,采用一体化设计,集中实现控制、驱动和功率放大等多项功能,可进行二至五相步进电机的驱动,驱动电流连续可调,步进电机的运行参数、工作模式和工作状态均可由软件或键盘设置,具有功耗小、成本低、性能稳定、可靠性高等特点.     

开放的移动开发生态系统——Qt

相信很多读者之前多听说过Qt，但是这里有个小细节，Qt正确的发音应该是cute，而不是我们习惯的叫法Q．T，cute正好代表了QI的一些设计初衷，一个优美、小巧、便于使用的开发工具。     

能够大幅度提高封装性能的环氧树脂

<正> 日本信越化学工业公司研制成功了一种能够大幅度提高耐湿性、应力和热冲击性能的IC 和 LSI 塑料封装用的新型环氧树脂,它可以在低压下成型。与以往的环氧树脂相比,据压力-潮热腐蚀试验的结果,平均寿命时间可延长2～3倍,为330～350hr;应力大约减少一半,在成型退火后,硅片上的应力,KMC-140和KMC-140C 分别为0.43和0.55Kg/mm~2;在-50～+150℃的温度循环试验中(每次为30分钟),KMC-140C 可经受250次,KMC-140可经受1000次循环,外引线都不断裂。     

采用不复盖保护膜的退火方法制成门延迟为58ps 的 GaAsIC

<正> 日本索尼中央研究所,最近采用在已进行离子注入的 GaAs 衬底上不用复盖保护膜的退火方法制成了结型 FET 环形振荡器,尽管栅长为2μm 是比较长的,仍然得到了最小门延迟时间为58ps、相应功耗为1mW/门的结果。将 GaAs 在800～850℃的高温下退火时,砷容易析出,为此一般采用 Si_3N_4和 SiO_2等来保护表面,但这样做,注入层的结特性容易发生变化。如果在 H_2中通2%的 AsH_3提高 As 分