大型对二甲苯装置的节能设计与优化

以某企业1.50 Mt/a对二甲苯装置的设计为例,综合分析该装置中各单元的能耗分布及采用节能设计对装置能耗的影响;结合对二甲苯装置的特点,深入探讨提高加热炉热效率、优化低温热利用方案等措施对降低装置能耗的重要性。结果表明：举例装置基于“95+”的技术改进加热炉设计,最大限度地回收烟气余热,使加热炉热效率超过95%,明显高于常规设计值(92%),可节省燃料费用2 340万元/a;通过采用低温热发生蒸汽技术,1.2 MPa蒸汽产出量为89.2 t/h, 0.6 MPa蒸汽产出量为254.2 t/h,而且余热采用蒸汽压缩可得1.8 MPa蒸汽,满足多个蒸汽用户需求;通过采用低温热制热水,可得110℃热水约746.2 t/h,采用先进热水制冷等技术制备的冷冻水除满足装置自身需求外,还可服务多个用冷装置;通过整体优化设计,使对二甲苯分离、二甲苯异构化、二甲苯分馏等单元的产品能耗仅为5 190.9 MJ/t,与同类装置相比大幅降低,达到国内领先水平。     

米勒循环介绍及对某船用中速发动机的影响研究

日益严格的排放法规促使柴油机的研究发展方向是,一方面提高柴油机的热效率,另一方面降低NOx排放.在众多相比于机外净化成本更低的机内净化措施中,米勒循环通过提前或者延迟关闭进气门,形成膨胀比大于压缩比的状态,提高热效率的同时,降低了缸内的温度,有效抑制了NOx的产生.相比于目前的其他的机内净化措施,米勒循环只需更改凸轮轴...     

某MPC涡轮增压柴油机排温均匀性分析及优化设计

为提高某8缸直列模件式脉冲转换器(modular pulse converter, MPC)涡轮增压柴油机各缸排温均匀性,采用GT-Power仿真软件,搭建整机热力学仿真模型,对比额定工况下各缸的循环进气量、进气和排气道压力波、扫气压差,分析各缸扫气压差不均的影响因素。提出优化MPC歧管倾角、MPC总管直径、气门叠开角、发火顺序4项优化措施。仿真结果表明：优化MPC总管直径、气门叠开角、发火顺序可显著提高各缸排温均匀性,MPC歧管倾角对各缸排温均匀性影响较小。对不同MPC歧管倾角、不同MPC总管直径的柴油机进行台架试验验证。试验结果表明,歧管倾角对各缸排温均匀性影响甚微;将MPC总管直径缩减至原直径的57%,排温标准差由43℃降至30℃,排温均匀性得到显著提高。     

基于多参数优化的多机器人图案构成的分配算法

在不同应用场景下多机器人系统的图案构成受到越来越多的关注,然而现有方法不能有效地优化在障碍物环境中的图案在线自主构成.为解决这一问题,提出一种新的基于目标匹配和路径优化的实时在线的优化算法.首先,以机器人与虚拟期望图案的距离为目标函数,建立一个多参数的图案构成模型,进而在一定的约束条件下求解得到最优的期望图案参数;其次,建立迭代控制器,使机器人在向目标点移动的过程中,可以实时在线地进行机器人与目标点的分配;然后,采用最佳避碰速度算法使机器人无碰撞地到达期望图案的目标点,完成图案构成;最后,通过在MATLAB和V-REP中的仿真实验,验证所提出方法的正确性和有效性.     

弗洛姆《占有还是生存》解读

弗洛姆提出的重生存方式对我们有很好的借鉴作用和理论价值,通过淡化其理论中的乌托邦色彩,对我们人类的发展和社会的发展有很重要的意义.     

连续重整装置的能耗浅析

本文通过对国内现有的连续重整装置设计能耗的分析，比较了连续重整装置各单元的能耗分布及采用不同催化剂再生技术对装置能耗的影响，并对其生产成本进行了简要分析。     

基于多特征自适应融合的抗遮挡目标跟踪算法

针对目前的目标跟踪算法在目标发生运动模糊或被遮挡等情况下跟踪效果较差,容易出现跟踪失败等情况,本文提出了一种多特征自适应融合的抗遮挡相关滤波跟踪算法。算法首先提取梯度方向直方图特征HOG和颜色直方图特征,以最大化跟踪质量为目标自适应融合两种特征的相关滤波响应;在跟踪的过程中根据响应图的质量存储高质量滤波模板,采用高质量模板和正常更新模板检测响应图的质量差值来检测目标的遮挡情况,当目标遮挡消失的时候,跟踪器的模板回溯到高质量模板来重新跟踪目标。根据在OTB100、UAV123的实验结果,本文算法相对于其他同类型的相关滤波在跟踪精度和成功率方面表现更好,在发生目标遮挡时仍能很好地跟踪。     

新型放空气脱氯技术在连续重整装置中的应用

分析了新型脱氯技术——新型再生放空气脱氯系统在连续重整装置上的应用情况,并分析了该技术对工程设计的影响。采用Chlorsorb技术代替传统的碱洗系统,流程简化,操作简单,避免了催化剂再生部分因碱洗系统堵塞而被迫停工的可能,同时也避免碱洗时产生新的污染物——含碱废水或含盐废水的现象。Chlorsorb技术国内应用尚在起步阶段,其脱氯效果及其带来的经济效益以及对催化剂的影响有待于进一步考察。     

Si(100)衬底上SiC的外延生长

在1050℃下用Si2H6和C2H4在Si(100)衬底上外延生长了3C-SiC,生长前只通入C2H4将Si衬底碳化形成SiC缓冲层.碳化过程中C2H4与Si表面反应形成了SiC孪晶,但随着生长时间的延长,外延层转变为单晶层,其表面呈现典型的单晶SiC的(2×1)再构.从外延层的Raman谱观察到明显的SiC的TO和LO声子模;SEM观测结果表明,外延层的表面比较平整.