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82.
40 keV He离子注入单晶Si引起的损伤效应研究 总被引:1,自引:0,他引:1
室温下使用40 keV He离子注入单晶Si样品到剂量5×1016 cm-2,分别采用透射电子显微镜(TEM)、热解吸谱仪(THDS)、光致发光谱仪(PL)详细地研究了随后热处理过程中He注入空腔的形成、He气体原子的热释放以及注入损伤引起的光致发光特性.结果表明,He离子注入及随后的高温热处理会在单晶Si中产生宽度约为220 nm的空腔带,同时伴随着He气体原子从注入产生的缺陷中释放出来.He气体原子的热释放可以明显地分为两个温度阶段,分别对应于He原子从小的空位型缺陷和大的空腔中的热释放.此外,He离子的注入还会在单晶Si中产生明显发光中心,导致了波长约为680 nm和930 nm的两个光致发光带.该光致发光带的出现可能跟He离子注入及退火过程中产生的纳米Si团簇有关. 相似文献
83.
对服役后的汽轮机高温叶片进行喷砂处理和抛光处理,并在600℃大气环境中进行长时高温氧化试验,研究不同表面处理工艺对耐热钢高温氧化行为的影响。结果表明,喷砂处理后材料的抗氧化性明显优于抛光处理,试样表面生成的氧化层是导致材料抗氧化性产生差异的主要原因。 相似文献
84.
阐述了太阳能海水淡化与组合式空调系统的原理,该系统具有高效的海水淡化功能和空调除湿能力.比较了多个现有的控制器,对该装置的控制系统做出了初步设计并进行了实验验证.最终的实验结果证实该控制器完全可行. 相似文献
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芯片异构集成的节距不断缩小至10 μm及以下,焊料外扩、桥联成为焊料微凸点互连工艺的主要技术问题.通过对微凸点节距为8 μm的Cu/Sn固液扩散键合的工艺研究,探索精细节距焊料微凸点互连工艺存在的问题,分析Cu/Sn微凸点键合界面金属间的化合物,实现了精细节距和高质量的Cu/Sn微凸点互连,获得了节距为8 μm、微凸点... 相似文献
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