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21.
We have theoretically calculated the photovoltaic conversion efficiency of a monolithic dual-junction GaInP/GaInAs device,which can be experimentally fabricated on a binary GaAs substrate.By optimizing the bandgap combination of the considered structure,an improvement of conversion efficiency has been observed in comparison to the conventional GaInP_2/GaAs system.For the suggested bandgap combination 1.83 eV/1.335 eV,our calculation indicates that the attainable efficiency can be enhanced up to 40.45%(30... 相似文献
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概述了超薄层量子结构中的量子效应及其器件之后,以立体量子微结构为重点,介绍了其中的电子的波动行为,例如普适的电导波动、弹性散射和声子散射的抑制等,并简要介绍了量子线和量子箱激光器以及电子波衍射晶体管,还讨论了对量子微结构的尺寸要求。 相似文献
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