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41.
口语解析在人机对话系统和口语翻译系统中的作用是十分关键的。本文提出了一种统计和规则相结合的汉语口语解析方法,解析结果是一种中间语义表示格式。该方法分为两个阶段。首先,采用统计方法,解析出输入句子的语义信息,然后,利用规则,将这些语义信息映射到中间语义表示格式。试验证明,此方法具有较强的鲁棒性,而且避免了完全用规则方法解析的一些弊端,达到较高的解析正确率。  相似文献   
42.
基于CDMA的多重数字水印   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
针对多用户共享版权时联合水印嵌入等需求,提出了基于CDMA的多用户多重数字水印算法。提出并实现了小波域直接嵌入(WD)和基于邻域线性预测值嵌入(WNLP)两种CDMA水印方案。分析了用户数量和嵌入深度对含印图像质量和提取水印质量的影响。实验结果表明,该算法能有效解决多重数字水印中水印碰撞和用户数量受限问题。  相似文献   
43.
本文研究了有无氧化硅保护层时Al0.85Ga0.15As层的高温湿法氧化。实验结果表明:氧化硅层对Al0.85Ga0.15As层的高温侧向湿法氧化速率基本无影响;被氧化区域SEM图像的衬度和有氧化硅保护层样品As拉曼峰的缺乏归因于被氧化区域中不存在氧化反应产物As,这有利于提高氧化层的热稳定性;有SiO2保护层样品的发光强度比无SiO2保护层样品的发光强度强的多,且具有SiO2保护层样品的发光峰位和半高全宽与氧化前的样品基本一致,而无SiO2保护层样品的发光峰位红移,半高宽展宽,这是由于氧化硅层阻止了GaAs盖层的氧化。  相似文献   
44.
利用分子束外延技术和 S- K生长模式 ,系统研究了 In As/Ga As材料体系应变自组装量子点的形成和演化 .研制出激射波长λ≈ 960 nm,条宽 1 0 0μm,腔长 80 0μm的 In( Ga) As/Ga As量子点激光器 :室温连续输出功率大于 3.5W,室温阈值电流密度 2 1 8A/cm2 ,0 .61 W室温连续工作寿命超过 3760小时  相似文献   
45.
刘晓芹  王嘉祯  徐波  冯帆 《计算机工程》2008,34(12):138-140
提出一种区分隐写域(包括像素域、DCT域、DWT域)的盲检测方法,构造图像特征向量,建立一个多分类的支持向量机,根据特征向量对图像进行训练。该方法能够识别隐藏信息和其隐写域。实验结果表明,当嵌入容量达到20%时,识别率提高到85%以上。  相似文献   
46.
倪崇嘉  刘文举  徐波 《计算机科学》2011,38(12):242-246
自动韵律间断检测和标注对语音理解和语音合成有十分重要的作用。提出了利用声学、词典和语法相关特征的互补模型方法检测汉语韵律间断。该方法具有下列优点:(1)摒弃了声学相关特征和词典、语法相关特征的独立性假设;(2)互补模型方法不仅在特征层上利用当前音节的上下文信息,而且在模型层次上利用了当前音节的上下文信息。在ASCCD语料库上验证了该方法能够获得90.34%的韵律间断的检测准确率,较基线系统有 6.09%的提高。  相似文献   
47.
凝乳酶是干酪加工中必须用到的酶制剂,本文详细的介绍了凝乳酶的结构,凝乳酶的不同来源,凝乳机理以及影响凝乳酶活性的因素等内容,并阐述了基因工程凝乳酶的研究现状及凝乳酶的发展前景,为解决我国凝乳酶的短缺问题提供思路.  相似文献   
48.
徐波  齐亮  姚克俭  刘然  杨春  谢晓峰 《化工学报》2012,(Z2):126-131
采用静止型全钒氧化还原液流电池,利用紫外分光光度法,研究电解液钒离子跨膜渗透行为,讨论浓度、温度、荷电状态(SOC)、电场以及渗透压等对VO2+离子跨膜传质的影响,关联相应的钒离子渗透系数。研究结果表明,提高钒电解液浓度可以有效减缓钒离子跨膜传递速率,提高能量效率;适当降低体系温度,可以抑制钒离子的跨膜渗透,减小电池化学短路的发生;VO2+离子渗透系数随SOC值增加而迅速减小;正向电场存在会促进VO2+离子透膜扩散,加剧电池自放电;隔膜两侧液面渗透压的作用会加速钒离子跨膜渗透,造成电池容量衰减。  相似文献   
49.
以电镀镍和化学镀镍废液为镍源,通过镍活化和镀镍废液化学沉积镍工艺,在SiO2、硅藻土上制备了负载型镍-磷合金微粒.采用扫描电子显微镜、能谱分析、X-射线衍射等方法,分析了镀层表面形貌、成分、晶体结构;用循环伏安法和差热分析法对样品催化性能进行了研究.结果表明:镍活化可以在基体表面形成催化活性中心;两种镀镍废液经混合并添...  相似文献   
50.
本文介绍了利用MBE方法生长的大功率AlGaAs单量子阱激光器的高温工作特性.激光器的室温连续输出功率达到2W.在95℃高温连续工作状态下,其输出功率仍可达到500mW的水平.器件的特征温度高达185K(35~85℃)及163K(85~95℃).同室温相比,器件在95℃的工作条件下,其功率输出的斜效率下降了23%.  相似文献   
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