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981.
为探讨电子束对花粉母细胞的影响,用不同剂量的3 MeV电子束辐照唐菖蒲"超级"球茎,对其M1代的花粉母细胞进行减数分裂观察及SDS-聚丙烯酰胺凝胶电泳(SDS-PAGE)分析.结果表明:唐菖蒲减数分裂时出现遗传损伤,产生的染色体畸变类型包括滞后染色体、染色体桥、游离染色体、染色体不均等分离和微核等;在四分孢子期,则有较多三分孢子和多分孢子形成;小孢子的形状和大小有差异,主要表现为小孢子的体积变小.花粉母细胞染色体畸变类型及频率的统计表明,畸变类型以游离染色体和微核为主.SDS-PAGE分析观测到,电子束辐照能明显改变M1代花粉的蛋白表达,低剂量辐照即可产生明显作用,在不同辐照剂量下分别观测到特殊蛋白表达条带,剂量大于160 Gy时,蛋白表达条带较低剂量辐照时有所减少.研究结果表明,电子束辐照诱变可作为唐菖蒲育种的一个有效手段. 相似文献
982.
采用简化的内氧化工艺制备了Al2O3/Cu复合材料,研究不同内氧化时间(3~10h)及不同变形量(20%~80%)下的Al2O3/Cu复合材料的显微硬度和导电率,并对其显微组织进行了分析。结果表明:内氧化法制备的Al2O3/Cu复合材料中弥散分布着纳米级的Al2O3颗粒;复合材料的表面和内部的晶粒大小明显不同,表面晶粒较小(粒径10~30μm);冷加工变形量越大,Al2O3颗粒与位错的缠结越严重;经900℃内氧化制备的Al2O3/Cu复合材料具有良好的导电率和显微硬度。 相似文献
983.
用Cu2O粉作氧化剂,采用内氧化工艺制备了Al2O3弥散强化铜合金薄板.研究不同Al含量(0.14%、0.30%)和内氧化时间(3、8、12 h)下的Al2O3弥散强化铜合金薄板的电导率和硬度,并进行了显微组织分析.结果表明,内氧化时间越长,内部晶粒越粗大;其他内氧化条件相同情况下,Al含量越高,内氧化层的深度越小,内部晶粒越粗大;Al2O3弥散强化铜合金材料具有良好的电导率和较高的硬度. 相似文献
984.
985.
986.
987.
988.
Ni-Cr-Al-Y涂层真空热处理过程中元素的行为 总被引:6,自引:0,他引:6
采用电弧离子镀技术在铸造镍基合金K17和Ni3Al基合金IC-6沉积Ni-Cr-Al-Y涂层。结果表明,在沉积过程中由于电弧离子镀的“溅射”和“反溅射”效应以及基体和涂层发生互扩散的共同作用下,沉积的Ni-Cr-Al-Y涂层在靠近基体区含有少量基体元素,如Co,Ti和Mo等,K17合金中的Al元素可抑制Cr由涂层向基体扩散,IC-6合金中由于还含有Mo元素,使这种抑制作用进一步增强,在1050℃真 相似文献
989.
990.