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101.
介绍了硅基高长径比微孔列阵形成的多路感应耦合等离子体刻蚀和电化学刻蚀等半导体工艺技术,给出了实验系统、原理、方法和实验结果,指出了工艺中出现的新现象和亟待解决的新问题,阐述了其在二维通道电子倍增器-微通道板中的应用。  相似文献   
102.
提高卫星通信系统容量的一种新技术   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文介绍了双和卫星通信领域的一种崭新的技术即对称载波复用(PCMA)技术,对称载波复用是一种全新的卫星系统的频率复用方式,利用它可将现有的卫星通信系统的容量提高1倍。文章分析了PCMA的基本原理,实现方案,最后给出了性能分析以及应用前景。  相似文献   
103.
刘红  成丽萍 《电信技术》1999,(10):32-33
随着通信技术的飞速发展,No.7信令的应用日趋广泛,各地陆续组建开通了No.7信令网。利用准直联连接的组网方式得到广泛使用。在No.7信令方式下,由于信令和话路分离,因而经常会出现一些特殊问题。例如准直连信令下话路的第二路由个别情况下出现超短话单的问题。另外还有固定网和移动网信令连接中也存在着一些问题。下面以洛阳市No.7信令网为例说明。图1所示为洛阳市No.7信令网结构简图。1No.7信令调测中话路的几种不正常状态(1)到对端局中继状态全部不同步(NSYN)或C7SFNSYN:NotSychr…  相似文献   
104.
精细表面下细小缺陷的磁光涡流成像实时探测   总被引:1,自引:0,他引:1  
磁光涡流成像检测装置可实现精细表面下细小缺陷探测。在该装置中,通过物体表面上方的交流激励线圈实现传统的涡流感应,涡流所感应的磁场由法拉第效应来检测。为了实现表面下缺陷的检测目标,激光穿过安放在激励线圈中的特殊的磁光晶体,激光偏振方向在晶体中的旋转大小取决于检测区域磁场的大小,缺陷将使检测区域磁场分量发生变化并使偏振光的旋转角发生相应变化,通过一光学装置转化成“明”或“暗”图像,该光学装置由传统的显微镜、照明系统、偏振器和CCD图像传感器组成。给出了初步的实验探测结果。  相似文献   
105.
当YSGG、GGG、GSGG、YAG、YLF作为基质材料时,Er3+的4I11/2 能级和4I13/2 能级之间能够跃迁产生2.7~3μm的激光,该波段激光在医疗、军事等方面有着重要的应用价值。在790nm泵浦光作用下,Er:YSGG作为工作物质可产生2.79μm激光。通过构建Er:YSGG能级跃迁的速率方程,对转镜调Q激光器的系统特性进行了理论分析,并在此基础上进行数值模拟,得出了在给定激光工作物质参数的情况下,系统的各个变量对转镜调Q激光器性能的影响。这些结论将为类似实验的设计和改进提供理论指导。  相似文献   
106.
基于一般的紧支撑尺度函数,本文设计了一咎单参数且具有良好逼近性能的新的自适应FIR预滤波器,分析和模拟结果与表明这种预波滤算法具有较高的逼近精度和较快的逼近速度。  相似文献   
107.
He-Ne拍波激光干涉仪的研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
朱目成  周肇飞  张涛 《激光技术》2004,28(5):531-533
介绍了一种可对大尺寸工件进行无导轨精密测量的方法和装置。装置以双纵模热稳频HeNe激光器为光源。理论及实验均证明该光源的频差有较高的稳定度(室外不低于1×10-7)和强的抗干扰性,拍波频率约为750MHz,拍波长约为400mm。该装置以拍波合成的场强信号的节点为对准标志,以光路组合形成的双频激光干涉仪测量尾数部分。实验表明,该装置的节点定位精度小于0.05mm,尾数测量部分分辨率为0.08μm,整个测量系统可在20m范围内进行精度为±50μm+1.5×10-6·L(L为被测长度,单位为m)的测量。  相似文献   
108.
该文基于稀疏编码和集成学习提出了一种新的多示例多标记图像分类方法。首先,利用训练包中所有示例学习一个字典,根据该字典计算示例的稀疏编码系数;然后基于每个包中所有示例的稀疏编码系数计算包特征向量,从而将多示例多标记问题转化为多标记问题;最后利用多标记分类算法进行求解。为了提高分类器的泛化能力,对多个分类器进行集成。在多示例多标记图像数据集上的实验结果表明所提方法与其它方法相比有更好的性能。  相似文献   
109.
EDFA对不同波长的光产生的增益不同 ,这种增益不平坦特性成为 WDM系统中高速率、大容量信息传输的障碍 ,因此对 EDFA的增益进行均衡就显得特别重要。介绍用光纤环路镜实现 EDFA增益均衡的机理 ,并进行了实验 ,结果表明该方法简单易行 ,均衡效果显著  相似文献   
110.
在蓝宝石上用MOCVD生长的材料制备了背入射Al0.42Ga0.58N/Al0.40Ga0.60N异质结p-I-n太阳光盲紫外探测器.从器件的正向Ⅰ-Ⅴ特性曲线计算了理想因子n与串联电阻Rs分别为3和93?器件在零偏压下275nm峰值波长处的外量子效率与探测率分别为9%和4.98×1011cm·Hz1/2/W,分析表明Al0.42Ga0.58N窗口层在275nm波长处的透过率仅为15.7%,是器件外量子效率和探测率偏低的原因之一.  相似文献   
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