TMG和TEG MOCVD生长GaAs的研究

本文采用三甲基镓(TMG)和三乙基镓(TEG)为镓源的金属有机化合物气相沉积(MOCVD),获得了高质量的 GaAs 外延层。生长速率随 TMG 和 TEG 的浓度增加而增高,而与AsH_3浓度无关。用自制的 TEG 为镓源生长的 GaAs 有较高的低温迁移率。     

人工挖孔与挖孔扩底灌注桩施工技术

在厚有两栋楼之间扩建5层通廊，施工场地异常狭小，无法使用大型机具设备，而且要求施工无振动、无噪音，对周围建筑物无影响。采用人工挖孔与挖孔扩底灌注桩施工技术，满足了工程条件要求，取得了良好的技术经济效果。     

增益开关半导体激光器最佳工作状态研究

研究了不同调制速率下的增益开关半导体激光器的最佳工作状态。理论分析表明 ,在不同的调制速率下 ,激光器的最佳工作状态有较大的差异。在低速调制下 ,激光器应该工作在较小的直流偏置下 ,以避免输出脉冲拖尾的产生。在高速调制下 ,激光器应该工作在较高的直流偏置下 ,以提高输出脉冲的消光比。理论结果同实验结果相吻合。     

离心泵的调速与节能

在论述了变频调速离心泵同样有一条等效率曲线和高效率区间的基础上,介绍了离心泵变频调速的三种控制方式及特点,给出了计算变频调速离心泵实际节能率和能耗的方法和公式.作者根据油田生产的特点,对油田推广使用变频调速离心泵,在泵的选型和设计调速装置时需考虑的问题,并提出了建议.     

热装温度对X80管线钢内碳氮化物析出行为的影响

运用SEM、TEM、EDX及析出物定量分析等方法,通过实验室模拟热送热装工艺,研究了X80管线钢坯分别在750℃和1100℃热装轧制时微合金元素的固溶和析出情况.结果表明,1100℃热装的钢板轧前钢坯中Nb、V、Ti等微合金元素固溶量较高,在轧制和卷取过程中析出充分,且10nm以下析出颗粒所占比例较高,而750℃热装的钢坯中微合金元素固溶量明显低于1100℃热装的钢坯,其轧后钢板中18-36nm析出颗粒所占比例较高.因此,1100℃热装可以充分发挥微合金元素的析出强化作用.     

THE SULFUR INCORPORATION AND THE GROWTH OF GaAs SUBMICROMETER EPILAYERS IN Ga-AsCl_3-H_2 SYSTEM

Submicrometer epilayers have been grown in Ga-AsCl_3-H_2 system using elemental sulfur as adopant.The mechanism of sulfur incorporation was discussed on the basis of surface adsorption.Ithas been shown that the electrical properties of single epilayers are typically n=1-2×10~(17)/cm~3,thick-ness 0.4 μm and breakdown voltage about 7—10V.The width of interface region in single andmultilayer structures is about 0.1μm.The epilayers obtained have been used to fabricate the microwave devices,such as Gunn diodes,varactors,and far infrared detectors.