双沟平面掩埋结构SLD的液相外延生长及漏电分析

对液相外延生长的双沟平面掩埋异质结（DCPBH）结构超辐射发光二极管（SLD）双沟内漏电现象进行了理论分析与定量计算。在此基础上通过优化外延结构设计与液相生长参数,得到了电流限制较理想的DCPBH结构。     

透明导电GZO薄膜电学和光学性能的研究进展

ZnO因其价格便宜、无毒等优点,最有希望替代昂贵的掺锡氧化铟ITO,但未掺杂ZnO是高阻材料,如何提高其光电性能,制备出高质量的ZnO薄膜是实现其应用的关键。其中,Ga掺杂是提高ZnO性能的一种有效手段。从制备方法、掺杂浓度、生长条件等方面综述了Ga掺杂ZnO(GZO)薄膜光电性能的研究进展,归纳总结后发现:适当增加掺杂量、提高衬底温度等都有利于薄膜光学和电学性能的提高。目前,GZO薄膜电阻率最低可达10-3～10-4Ω.cm,透光率一般可达80%以上,光电性能可以满足透明导电膜的要求,但其性能的稳定性还不如广泛使用的ITO。因此,GZO薄膜要达到实际应用要求,尚需进一步优化工艺,提高其性能的稳定性。     

高位瓦斯尾巷抽放瓦斯在车集煤矿的应用

根据车集煤矿2701工作面设计布局,利用已有的回采巷道作为高位瓦斯尾巷。在不增加工程量的前提下对2701下面实施高位瓦斯尾巷抽放采空区瓦斯,有效降低了工作面上隅角瓦斯浓度,减少了对生产的影响。可在类似条件下推广应用并为高位巷瓦斯抽放工作积累了经验。     

微量滴定板上的弹性蛋白酶动态显色法检测α_1-蛋白酶抑制剂活性

目的建立微量滴定板上的弹性蛋白酶动态显色法(以下简称微量滴定板法),用于α1-蛋白酶抑制剂(α1-Pro-teinase inhibitor,α1-PI)的活性检测。方法以微量滴定板为载体,将不同量的α1-PI样品与定量的弹性蛋白酶混合,通过适宜的显色底物对剩余的弹性蛋白酶活性进行测定。用酶标仪测定405 nm处A值的变化,分析试验的有效性,并计算α1-PI样品的活性。优化微量滴定板法的实验条件。用BCS凝集分析仪检测α1-PI的活性,确认样品的工作浓度。采用两种方法检测19份样品的α1-PI活性,分析二者的相关性。结果微量滴定板法的最优实验条件为:样品加样体积50μl,标准曲线范围为(2～14)μg/ml;弹性蛋白酶稀释度为1∶1 400,体积100μl;孵育时间15 min;底物稀释度为1∶10,体积50μl;连续监测A405值10 min。微量滴定板法和BCS法检测19份样品的相关系数大于0.99。结论微量滴定板法检测α1-PI活性的时间更短,同一样品不同稀释度之间检测结果的变异率更低,且检测结果与BCS法相关性良好,可替代全自动的BCS法,降低检测成本。     

基于LabVIEW的温度测量系统设计

设计一个基于虚拟仪器技术的温度测量系统,采用上下位机的结构,软件开发分别采用LabVIEW和汇编语言。详细介绍温度检测、放大、A/D转换等电路的设计,通过对热电偶的非线性进行补偿,实现电阻炉温度的较精确测量,利用LabVIEW的强大功能对温度数据进行实时处理和显示。该系统有很强的实用价值。     

熔融Ni-Co合金表面张力的测量与分析

Ni-Co高温合金广泛用于生产燃气涡轮机叶片和热交换器等工作于高温和腐蚀环境的零部件,采用改良静滴法测定了1773～1873K温度范围内熔融Ni,Ni-(5～10)%Co合金在Al2O3基板上Ar 3%H2气氛下的表面张力.熔融Ni,Ni-(5～10)%Co合金的表面张力随着温度的升高而降低.在此基础上采用Butler模型推导了表面张力随温度与浓度的变化,计算了合金体系中元素的偏聚.结果表明,Co在合金表面的浓度低于在体相的浓度.     

反应磁控溅射沉积工艺对Cr-N涂层微观结构的影响

研究在不同工艺条件下用直流反应磁控溅射技术在T10衬底上制备Cr-N涂层,并采用光电子能谱仪和XRD依次分析Cr-N涂层的表面结构和工艺参数对Cr-N涂层成分及相组成的影响。结果表明,Cr-N涂层在存放一段时间后表面产生复杂的Cr2O3相以及Cr（O2 N）x相;常温下随着N2含量的增加,涂层相结构逐渐由Cr转变为化学比的CrN相。当N2含量为33-3％时,Cr-N涂层的相成分主要为Cr2N＋CrN。并发现衬底偏压直接影响Cr-N系涂层的晶态及取向特征,当偏压增加到-130V时,Cr-N涂层中β-Cr2N相结构逐渐转变为（110）和（300）取向结构。     

新铌酸盐Ba5BiTi3Nb7O30的结构与介电性能

在BaO-Bi     

P型半导体金刚石膜的磁阻

研究了p-型异质外延和同质金刚石膜的在不同温度和磁场下的磁阻,磁阻器件的结构为条形和圆盘形,实验结果表明磁阻强烈依赖于磁场、温度和样品的几何形状,圆盘结构的磁阻大于条形结构,条形结构的磁阻还取决于不同的长-宽比。利用F-S薄膜理论,计算磁场为5T时条形和圆盘结构的磁阻分别为0.38和0.74,讨论了霍耳效应对磁阻的影响。给出了形状效应的可能机制。