LiMn2O4在水系电液中嵌脱锂的EIS研究

运用电化学阻抗谱（EIS）研究尖晶石LiMn2O4电极在1mol／L的LiNO3水溶液中的贮存和首次脱锂过程。实验结果表明：尖晶石LiMn2O4电极在上述水溶液电解液中,无论是在贮存还是在充放电过程中,均会受到不同程度的腐蚀,致使锂离子在尖晶石LiMn2O4中的嵌脱过程变得困难。     

高压注水条件下泥岩蠕变的数值模拟研究——以大庆喇嘛甸油田北部背斜构造带SI顶泥岩为例

主要考虑油层压力变化对上覆泥岩的影响,采用有限差分的方法,对喇嘛甸油田北部背斜构造带SI顶泥岩蠕变进行了模拟研究。结果显示该区域最大水平主应力为近东西向,大小为-25．87～-24．88MPa;最小主应力方向为近南北向,大小为-19．95～-18．44MPa。应变和位移的变化主要表现在垂向上,愈靠近油层部位,受油层压力变化的影响愈大,且泥岩蠕变最大位移量（或应变量）均发生在与油层接触界面处。因此．对泥岩蠕变的最大形变量的研究,有利于油田对岩性层成片套损的预防和控制。     

高精度数字电子雕刻机控制系统的研究

从现代数字电子雕刻的基本原理出发,对数字电子雕刻机滚筒传动电机与横向丝杠传动电机之间的关联性控制参数进行了研究,并根据高精度凹版雕刻机的要求,研究了基于磁场定向控制交流伺服电机控制器,在此电机控制器基础上实现了高精度电子雕刻机控制系统.雕刻的结果表明,设计的交流伺服电机控制器及控制系统都能稳定而准确的运行,也表明了研究的关联控制参数是正确的,控制的方法是有效的.     

施托克曼项目的生死轮回录

冷战时代,巴伦支海曾是东西方对峙的前沿。一架苏-27战机曾在这里用尾翼将一架北约飞机切开一个口子,成为军史经典。可谁也想不到,到了冷战末期乃至后冷战时代,巴伦支海海底庞大的能源宝库撮合了俄罗斯与西方的数次携手。     

瘤内注射臭氧致兔VX2瘤组织超微结构改变的研究

【摘要】 目的 研究瘤体内注射不同浓度臭氧（O3）后兔VX2瘤组织超微结构的改变,以探讨臭氧用于实验研究/临床应用的安全有效浓度,并根据超微结构改变持续时间,推断重复治疗可能的间隔时间。方法 20只荷瘤大白兔分为4组,对照组2只,T20（20%臭氧）、T40（40%臭氧）和T60组（60%臭氧）治疗组各6只,直视下按瘤体积2倍量不同浓度的O2/O3混合气体用注射器直接注入瘤体内,对照组（仅模拟穿刺）及各治疗组取2只兔在实验完成后即刻取材,剩余兔分别于术后第4、8天各处死2只取材、制片,用透射电镜观察。结果 T20组注射臭氧后即刻可见肿瘤细胞有轻微的损伤改变,线粒体轻微嵴溶解,少许线粒体呈球状肿胀,内质网扩张,部分核周间隙增宽,细胞间隙正常。T40组和T60组注射臭氧后即刻均可见肿瘤细胞有明显损伤,表现为线粒体明显肿胀,内质网扩张,细胞核肿胀,核周间隙增宽,部分细胞膜崩裂,组织结构崩解,术后第4天,可见大片坏死,炎细胞浸润,肿瘤细胞膜不完整,溶酶体线粒体形成（呈新月形黑颗粒）或线粒体溶解,内质网扩张,部分胞质溶解,细胞核不规则,核周间隙扩张,T60组更明显。血管内皮细胞也有损伤改变。3组的细胞损伤在术后第8天仍可观察到,但呈逐渐修复状态。结论 兔VX2瘤内注射20% ～ 60%臭氧后,都会对肿瘤细胞、瘤内血管内皮细胞造成损伤甚至死亡,20%的损伤较轻微,40% ～ 60%的比较明显,但综合安全性及治疗效果, 40%臭氧可能更为明显。虽然有部分修复,但术后第8天仍可见较明确的细胞损伤改变,故治疗间隔以4 ～ 8 d为宜。
     

叠层片式ZnO压敏电阻器研究进展

叠层片式ZnO压敏电阻器(MLCV)具有体积小、通流容量大、响应速度快、表面安装性好和易实现低压化等优点,其广泛应用于电子和电力系统中。介绍了叠层片式ZnO压敏电阻器的生片材料和内电极材料的研究现状,分析了当前工艺中存在的电极扩散问题,并提出了其解决的办法,同时指出了叠层片式ZnO压敏电阻器向低压化、小型化、集成化及低成本化方向发展的趋势。     

低固有烧结温度LTCC微波介质陶瓷研究进展

为了满足现代微波通信器件小型化和集成化发展的要求,必须开发出烧结温度低且能与Ag、Cu等价廉金属电极实现共烧兼容的微波介质陶瓷体系。重点介绍了Li基、Bi基、钨酸盐、磷酸盐和碲酸盐等低固有烧结温度的微波介质陶瓷体系,并总结了其在低温共烧陶瓷方面的研究进展。     

透明导电ZnO：Sn薄膜光学和电学性能的研究进展

纯ZnO电阻率高,电学性能不稳定,通过掺杂其他元素提高其光电性能,制备出高质量的ZnO薄膜是实现其应用的关键。文章从制备方法、掺杂浓度和退火等方面综述了Sn掺杂ZnO(ZnO:Sn)薄膜光电性能的研究进展,提出了降低ZnO:Sn薄膜电阻率和提高透光率的有效途径。     

双沟平面掩埋结构SLD的液相外延生长及漏电分析

对液相外延生长的双沟平面掩埋异质结（DCPBH）结构超辐射发光二极管（SLD）双沟内漏电现象进行了理论分析与定量计算。在此基础上通过优化外延结构设计与液相生长参数,得到了电流限制较理想的DCPBH结构。     

透明导电GZO薄膜电学和光学性能的研究进展

ZnO因其价格便宜、无毒等优点,最有希望替代昂贵的掺锡氧化铟ITO,但未掺杂ZnO是高阻材料,如何提高其光电性能,制备出高质量的ZnO薄膜是实现其应用的关键。其中,Ga掺杂是提高ZnO性能的一种有效手段。从制备方法、掺杂浓度、生长条件等方面综述了Ga掺杂ZnO(GZO)薄膜光电性能的研究进展,归纳总结后发现:适当增加掺杂量、提高衬底温度等都有利于薄膜光学和电学性能的提高。目前,GZO薄膜电阻率最低可达10-3～10-4Ω.cm,透光率一般可达80%以上,光电性能可以满足透明导电膜的要求,但其性能的稳定性还不如广泛使用的ITO。因此,GZO薄膜要达到实际应用要求,尚需进一步优化工艺,提高其性能的稳定性。