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Si—SiO2及其在电离辐照下的等离激元 总被引:1,自引:0,他引:1
用XPS分析技术对抗辐射加固与非加固的Si-SiO2进行了电离辐照前后Si的一级等离激元(定位于B.E.116.95eV)及SiO2一级等离激元(定位于B.E.122.0eV)的研究。实验结果表明:存在一个由这两种等离激元组成的界面,在电离辐射的作用下,此界面区向SiO2表面方向展宽,界面中心向SiO2表面方向移动;两种Si-SiO2界面区中的SiO2一级等离激元的浓度在正电场中辐照均随辐照剂量的增加而增加,而非加固样品中一级等离激元浓度在正电场中随辐照剂量的变化所产生的变动快于加固样品;在同一辐照剂量下加正电样品中等离激元浓度的变化远明显于不加电样品。 相似文献
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本文总结了硫酸化油在制革工业中的应用情况,讨论了近年来硫酸化技术的发展状况及相关的废水污染防治问题。 相似文献
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本文较详细的介绍了我国石材技术装备现状,分析了与国外先进水平的差距,提出了“九五”攻关的奋斗目标及建议。 相似文献
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本文对2,2,6,6-甲氯环己酮的合成工艺进行了系统研究,对该反应的催化剂种类、用量、反应温度等工艺条件进行了分析探讨,找出了较佳合成工艺条件,并以产品结构进行了认证。 相似文献
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