框架结构及筏基与边坡地基共同作用的受力分析

随着山地城镇建设的发展,一些建筑不得不建于边坡地基之上,边坡地基与建筑结构之间的共同作用成为一个现实的研究课题。通过有限元数值分析的方法,对某框架结构及筏基与边坡地基的共同作用受力问题进行了计算分析,其中边坡地基坡高10m,坡度为2：1,上部建筑为10层的框架结构。共同作用分析中上部结构、基础与边坡地基满足三者的受力平衡和变形协调条件。研究了考虑共同作用后的边坡地基强度变形情况及上部框架结构及筏板基础内力和变形情况,得出了对工程实践有参考意义的结论。     

连铸钢包精炼炉控制系统

介绍了攀钢新建板坯连铸2#钢包精炼炉控制系统的构成、功能和特点。控制系统基础自动化级采用电-仪一体控制系统,PLC采用Siemens S7-400系列,集数据采集、操作监视、设备控制与操作等功能于一体,从而保证了各工艺环节的协调性和良好的通讯功能、良好的设备互换性及操作维护。2#精炼炉工程的投产,实现了高效、低耗、优质和多品种的最佳化生产,充分协调了转炉与连铸间的配合生产,增强了连铸生产效能,为攀钢三期工程建设顺利达产提供了保障。     

浅谈信号联锁系统

本文简单介绍了地铁线路核心系统一一信号联锁系统的功能和原理及各接口功能和各层级的传输控制、维护终端功能等。     

一类相互正交的零相关区序列集的构造

该文基于完备序列和正交序列集,构造出一类相互正交的零相关区序列集。与Rathinakumar和Chaturvedi的构造相比,该文提出的方法能生成更多相互正交的零相关区序列集。     

难溶粉体对硫酸溶液中铝阳极氧化膜性能的影响

论述了铝在硫酸阳极氧化溶液中添加Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＣ、ＴｉＯ２和ＣＢ（炭粉）等难溶性粉体后对铝阳极氧化过程和氧化膜的影响。实验表明，氧化的槽电压、膜层硬度、耐磨性及耐蚀性随粉体不同而不同。     

矩形浅基础作用下地基的沉降分析

本文用有限元和无限元相耦合的数值方法来分析地基在承受矩形浅基础传来的竖向荷载作用下的沉降变形。分析中对矩形浅基础采用弹性本构模型 ,地基土体采用非线性及弹塑性本构模型。运用相应的程序对重庆红粘土地基进行计算 ,分析了矩形浅基础荷载作用下的地基沉降随载荷增加而变化的规律     

高低阶覆盖函数混合的数值流形方法

在数值流形方法中混合使用高、低阶覆盖函数可以使求解精度和求解效率之间得到协调。同时,高低阶覆盖函数混合使用也体现了数值流形方法本身的灵活性和对复杂问题的适应性。本文详细推导了混合使用高、低阶覆盖函数的流形单元的数值计算格式,有利于数值流形方法的程序实现和工程应用,并通过岩土工程中地基变形的计算证明了方法的可靠性和有效性。     

充芯连铸铜包铝复合材料的界面形成机理

采用垂直充芯连铸法制备断面尺寸为60 mmmmmm(长×宽×圆角半径)、铜包覆层厚度为2 mm的铜包铝复合材料,并采用扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)、X射线衍射仪(XRD)和透射电子显微镜(TEM)等对界面的形貌和组成进行表征。结果表明:铜包铝复合材料界面层在近铜侧主要由平面状的CuI区)和胞状的CuAlII区)两区组成,在近铝侧为αAl)+CuAl伪共晶组织(III区)而在Cu和CuAl之间还残存未转变的高温相Cux。基于分析结果,提出了充芯连铸铜包铝的界面形成机理。     

刚柔组合二元复合地基布桩对结构的影响分析

刚柔组合二元复合地基将竖向增强体复合地基中的柔性桩、刚性桩综合用于加固软弱地基,具有良好的技术优势和经济效益。在考虑上部结构与筏基及二元复合地基三者共同作用的前提下,针对二元复合地基各种不同布桩方式对三者共同作用所产生的影响进行了分析。分析中,上部结构为一个十层的框架结构,筏基为平板式筏基,二元复合地基采用石灰柔性桩和CFG刚性桩两种桩型。在桩总数不变,两种桩数各占一半的前提下,布桩方式采用"内强外弱"、"外强内弱"、"中部强内外弱"、"中部弱内外强"四种。综合四种情况下的竖向增强体桩顶反力、筏基沉降、筏基内力分布、上部结构内力对比表明,各种布桩方式各有利弊,相对而言,"中部弱内外强"的组合方式既可以使筏基沉降减至较低,又能适当减小上部结构及筏基的弯矩值,是一种相对优化的布桩方式。     

La_((1+x)/3)Ba_((2-x)/3)Mn_xCu_(1-x)O_3(0.8≤x≤1)晶体结构和输运性质

用固态反应法制备了名义组分为 L a(1 + x) /3Ba(2 - x) /3Mnx Cu1 - x O3(0 .8≤ x≤ 1) 的系列试样。试样结构的单相性经粉末 X射线衍射分析而得以证实 ,且随 Cu的掺杂其结构由未掺杂时的立方对称性转变为正交对称性。输运实验表明 :所有试样均经历了半导体到金属的转变 ,但转变温度 TP随掺杂量增加而逐渐移向低温端 ;外加磁场大大增加了 TP附近的导电性 ,导致 TP附近最大磁电阻效应的出现