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数字和模拟移相器在许多电子系统和电子设备中得到广泛应用 ,南京电子器件研究所最近研究出新颖的超宽带 90°、45°、2 2 .5°、1 1 .2 5°四种单片数字和模拟兼容的移相器 ,初步获得了优异电性能。设计制造的几种 Ga As MMIC数字和模拟兼容的移相器 ,在微波探针测试系统中 ,6~ 2 0GHz频率范围内 ,测得其电性能分别为 :相移精度在 90°位和 45°位≤± 5°;在 2 2 .5°位和 1 1 .2 5°位≤± 2 .5°。两态插入损耗差≤± 0 .6 d B;输入 /输出驻波≤ 1 .5 ;插入损耗≤ 3.6± 0 .6 d B。这四种移相器 ,当其开关 Ga As MESFET的控制… 相似文献
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P型GaAs欧姆接触的制作 总被引:2,自引:0,他引:2
在以Be作为离子源离子注入形成的P型GaAs衬底上分别使用Ti/Pt/Au和Cr/Pt/Au多层金属作为欧姆接触金属,并对比合金前后的差别。结果表明,使用Ti/Pt/Au作为欧姆接触金属效果更好,合金对于降低欧姆接触电阻率效果明显,合金后Ti/Pt/Au的接触电阻率可达到3.08×10-5Ω.cm2。 相似文献
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详细分析并讨论了相位体制数模转换器(DAC)动态参数的表征方法,提出用无杂散动态范围(SFDR)、近区谐波失真(TH D 6)、有效工作带宽(EW B)、输出信号功率及正交输出信号幅度一致性来全面描述相位DAC的频域性能。采用上述方法对利用南京电子器件研究所标准76 mm G aA sM ESFET全离子注入工艺流片得到的3b it相位DAC进行了频域测试。结果显示其EW B大于1.5 GH z,转换速率大于12 G bps,全频带内输出信号的正交精度低于4%,幅度一致性低于26%(大多数测试点低于10%)。在500 MH z输入信号下,其SFDR、TH D 6分别为33.8 dB c-、33.7 dB c。该相位DAC的动态参数良好,尤其正交性能优异。 相似文献
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讨论了采用埋栅结构实现Ga As基改性高电子迁移率晶体管(MHEMT)增强型模式工作的有关问题,提出了增强型MHEMT的设计与实现方法.通过不同金属(Al,Pt,Ti) / In Al As Schottky势垒系统的实验比较研究,确定在增强型MHEMT工艺中采用具有最高势垒高度的Pt Schottky埋栅结构;并进行了以最佳“推栅”温度为重点的器件工艺的深入研究.在此基础上通过实验研制的原理性1.0 μm×10 0 μm Pt栅增强型MHEMT的特性获得了夹断电压为+0 .12 V,跨导为4 70 m S/ m m及截止频率为5 0 GHz的测试结果,优于使用同一外延片制作的D-MHEMT 相似文献
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两种InGaAs/InP PIN光探测器比较研究 总被引:1,自引:1,他引:0
异质结PIN光探测器可分为单异质结光探测器(SHPD)和双异质结光探测器(DHPD),二者在量子效率、频率响应和暗电流方面存在差异。当SHPD光敏面半径为10μm且P区厚度与电子扩散长度之比小于0.2时,其量子效率减小的幅度小于0.32%,带宽增加约0~4%;对于由体效应决定的暗电流,SHPD略优。由此得到当光敏面积较小和P区厚度较薄时,SHPD与DHPD性能相当的结论,为高性能宽带光纤网高速光探测器的设计提供了依据。 相似文献
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介绍了一种新颖的DC~20GHz的4bit和5bit GaAs单片数字衰减器的设计、制造和测试结果.该衰减器的设计采用纵向思维的方法.最终得到的4bit数字衰减器的主要性能指标是:在DC~20GHz频带内,插入损耗≤3.5dB,最大衰减量15dB,衰减步进1dB,衰减平坦度≤0.2dB,衰减精度≤±0.3dB,两端口所有态的电压驻波比≤1.6,相对于参考态,衰减态的插入相移在-10°~5°以内,芯片尺寸1.8mm×1.6mm×0.1mm.5bit数字衰减器的主要性能指标是:在DC~20GHz频带内,插入损耗≤3.8dB,最大衰减量15.5dB,衰减步进0.5dB,衰减平坦度≤0.3dB,衰减精度≤±0.4dB,两端口所有衰减态的电压驻波比≤1.8,相对于参考态,衰减态的插入相移在-14°~2°以内,芯片尺寸2.0mm×1.6mm×0.1mm. 相似文献