微纳器件的热挑战

＂大数据＂时代[1]对信息处理系统所具备的巨量信息处理能力的要求和微纳电子器件的系统功能集成技术发展将引发严峻的热挑战。持续缩微、系统功能进一步集成和器件级异构将导致器件热流密度的大幅提升,热点问题在微纳器件的多界面复杂结构下将趋于恶化,尽管业界在热管理技术方面做了巨大的努力,但这种努力尚未创造出颠覆性的热管理技术,因此,热挑战将会在相当长时期内形成微纳器件发展的瓶颈。     

单片GaAs 3bit相位DAC的设计与实现

详细论述了用于数字射频存储器系统的单片超高速GaAs 3bit相位DAC的设计、制造及测试.在南京电子器件研究所标准75mm GaAs工艺线采用0.5μm全离子注入MESFET工艺完成流片.芯片输入输出阻抗实现在片50Ω匹配.测试结果表明,其工作带宽大于1.5GHz,相位精度小于4%,电路的码流翻转速率大于12Gbps.     

微波电路的MEMS天关进展

开关是微波信号变换的关键元件,和传统的半导体开关相比,射频微机电系统（RF MEMS）开关具有优良的高频特性和固有的重量轻、尺寸小、低功耗等优点,而且其制作工艺和传统的CMOS工艺相兼容。本文较为详细地了串联悬臂梁开关、并联悬臂梁开关和膜开关的工作原理及典型的性能参数。由于其优越的微小特性,MEMS开关已在许多电路和系统中,包括微波前端电路、数字电容器组和移相网络中得到应用。     

一种850 nm单片集成光接收机前端

采用0.5μm GaAs PHEMT工艺和台面光刻互连工艺研制了一种850nm光接收机前端单片电路,包括金属-半导体-金属光探测器和跨阻前置放大器。探测器光敏面积约2000μm2,电容小于0.15pF,4V偏压下的暗电流小于14nA。跨阻前置放大器-3dB带宽接近10GHz,跨阻增益约43dBΩ。光接收机前端在输入2.5Gb/s非归零伪随机二进制序列调制的850nm光信号下得到较为清晰的输出眼图。     

基于变权模型的鱼雷综合性能评估方法

通过分析鱼雷分系统之间以及分系统和指标之间的关系,建立了具有递阶层次结构的鱼雷综合性能指标体系;利用模糊数学有关理论,提出了一种基于变权模型的鱼雷综合性能评估方法。首先对实航数据进行无量纲化处理,然后利用变权模型对由层次分析法获得的基本权重进行权重调整,并利用模糊综合方法实现鱼雷综合性能的量化评估。仿真数据验证了该方法用于鱼雷综合性能评估的可行性,为实航验收试验提供了决策依据。     

GaAsFET大信号等效电路参数提取

将新型算法—退火遗传算法用于GaAsFET大信号等效电路模型参数的提取,给出了具体流程并提取了器件的模型,结果表明该算法快速可靠,文中为提取大信号模型提供了新的方法,并扩展了遗传算法的应用。     

基于砷化镓衬底的RF MEMS膜开关

射频微机械开关由于其优越的高频特性在微波和毫米波电路中表现出巨大的应用前景。但是目前的微机械开关都是制作在硅基衬底上的，难于与后面的高频砷化镓处理电路相集成。本文介绍了基于砷化镓衬底的RFMEMS膜开关，着重介绍了开关的工作原理、制作过程和测试结果。     

GaAs霍尔开关集成电路的研制

成功地设计并制造出GaAsMESFET霍尔开关集成电路。该电路采用了方形霍尔元件，绝对灵敏度为704mV/T；信号处理电路由差分放大电路和触发电路组成，触发电路结构类似于SCFL的D触发器。结果表明，开关性能良好，工作点合理，达到设计要求。实验结果还表明，霍尔元件和放大电路可构成灵敏度很高的霍尔线性集成电路。     

宽带GaAs MESFET开关模型

提出了一种 MESFET开关的模型——附加栅控开关模型 ,适用于 MMIC电路的设计 ,具有很好的宽带微波特性。在 0 .1～ 2 0 GHz频率范围内 ,器件测试值与模型模拟值吻合较好     

毫米波GaAs pin单刀单掷开关单片

采用GaAs pin二极管,完成了15～40GHz的单刀单掷开关单片的设计、制作.GaAs pin二极管SPST开关单片具有低插损、高隔离、高功率的特点,在15～20GHz带内插损0.6dB,驻波优于1.5,隔离度大于40dB;在20～40GHz带内插损小于1.1dB,驻波优于1.35,隔离度大于35dB.pin二极管SPST开关单片的1dB功率压缩点P-1大于2W.GaAs pin二极管开关单片采用MOCVD生长的GaAs 纵向pin二极管材料结构,76mm GaAs圆片工艺加工制作.