高性能超宽带单片数字衰减器设计与实现

介绍了一种高性能50MHz～20GHz的超宽带5 bit GaAs数字衰减器的设计、制造和测试结果,并着重介绍实现超宽带的设计.该衰减器通过标准0.5μm离子注入工艺实现.最终的单片衰减器性能如下:插入损耗＜5dB;最大衰减量＞31dB;两端口所有态的电压驻波比＜1.5;所有态衰减精度＜±0.3dB;相位变化量(相对于基态)在-5°～20°之间;1dB压缩点输入功率22dBm(10GHz).     

凹槽栅场调制板结构AlGaN/GaN HEMT

研制的SiC衬底上的AlGaN/GaN微波功率HEMTs,采用凹槽栅和场调制板结构有效抑制了器件的电流崩塌,提高了器件的击穿电压和器件的微波功率特性.研制的1mm栅宽器件在8GHz,34V工作电压下,饱和输出功率达到了9.05W,功率增益为7.5dB,功率附加效率为46%.     

凹槽栅场调制板结构AlGaN/GaN HEMT

研制的SiC衬底上的AlGaN/GaN微波功率HEMTs,采用凹槽栅和场调制板结构有效抑制了器件的电流崩塌,提高了器件的击穿电压和器件的微波功率特性.研制的1mm栅宽器件在8GHz,34V工作电压下,饱和输出功率达到了9.05W,功率增益为7.5dB,功率附加效率为46%.     

手机用砷化镓双刀双掷单片射频开关成品率分析

采用GaAs 75mm 0.7μm离子注入场效应晶体管(MESFET)标准工艺技术研制出手机用GaAs双刀双掷(DPDT)单片射频开关(以下简称单片开关).成品率分析表明,影响单片开关直流及射频参数成品率的主要因素包括:材料几何参数、注入退火均匀性、栅光刻成品率、挖槽控制及圆片沾污等.优化工艺条件可以使单片开关直流成品率稳定在90%左右,微波成品率稳定在80%左右,接近国际上砷化镓标准加工线的水平.     

鱼雷综合性能的模糊综合评判方法

为了更好地分析与处理鱼雷综合性能指标中的模糊信息,运用模糊理论,提出了鱼雷综合性能模糊综合评判方法,介绍了该方法的详细步骤,利用改进的层次分析法（IAHP）对其中的权重进行了求取,并结合实例对该方法和评估结果进行了分析,分析结果验证了该方法的合理性和可行性。     

高性能DC-20GHz反射型GaAs MMIC SPST和SPDT开关

GaAsMMIC SPST和SPDT开关,由于其体积小、重量轻、无功耗,在许多电子系统和电子设备中得到广泛应用,南京电子器件研究所最近研究出高性能DC-20 GHz超宽带反射型GaAsMMIC单刀单掷(SPST)和单刀双掷(SPDT)两种开关,获得了优异电性能.     

三种新颖的适合不同控制信号的超宽带单片移相器

GaAsMMIC控制电路中的开关MESFET通常是在栅极加0V或是负极性的夹断电压Vp来控制电路工作的。这样在许多电子系统的中会遇到将控制信号(如TTL电平)变换成0V和负极性的Vp,或使用两路互补的控制信号,从而实现对这种MMIC的电信号控制。为此,必须在芯片外设计专用的驱动电路或控制电路。这就会增加系统的成本、体积和功耗,也会降低开关速度和增加系统的复杂性。南京电子器件研究所最近设计制造出三种新颖的高性能超宽带单片移相器,在超宽带频率范围内解决了这个问题。这三种移相器均设有一个直流电位参考点,可以根据系统控制电平极性…     

LC4铝合金的全色氧化工艺

用超硬铝合金ＬＣ4材料加工的特殊产品其外观颜色需要黑色 ,以前采用先进行硬质阳极氧化 ,再用酸性黑ＡＴＴ进行染色的工艺 ,但染色的产品耐候性较差 ,在户外使用 1年后 ,色泽暗淡 ,有的甚至出现发黄现象 ,严重影响产品的外观质量。经研究攻关 ,在氧化液中加入一定的着色剂和添加剂 ,同时控制一定的工艺参数 ,可使产品在氧化时同时呈黑色 ,达到其外观要求。ＬＣ4铝材从氧化槽出来时颜色已呈黑色 ,氧化膜厚度可达 40～ 6 0 μｍ ,经过封闭 ,可提高其耐蚀性。ＬＣ4铝型材阳极氧化工艺流程 :脱脂→清洗→清洗→碱蚀→清洗→中和出光→清洗→阳…     

一种用于激光成像雷达的条纹管研制

简述了条纹管的工作原理。设计制作了一种可用于激光成像雷达的条纹管。测试表明,该条纹管时间分辨率达到50 ps／lp,空间分辨率为20 lp／mm,光阴极有效面直径为15 mm。     

4 W/mm蓝宝石衬底AlGaN/GaN HEMT

报道了利用南京电子器件研究所生长的蓝宝石衬底AlGaN/GaN异质结材料制作的HEMT,器件功率输出密度达4W/mm。通过材料结构及生长条件的优化,利用MOCVD技术获得了二维电子气(2DEG)面密度为0.97×1013cm-2、迁移率为1000cm2/Vs的AlGaN/GaN异质结构材料,用此材料完成了栅长1μm、栅宽200μm AlGaN/GaN HEMT器件的研制。小信号测试表明器件的fT为17GHz、最高振荡频率fmax为40GHz;负载牵引测试得到2GHz下器件的饱和输出功率密度为4.04W/mm。