光无线通信系统中的激光发射技术

分析了大气衰减与光波长的关系,讨论了光无线通信中通信激光的波长、功率选择方案,提出了通信 光功率实时调整的思想。     

Nd∶YAG晶体生长过程中Nd3+浓度场的数值模拟

采用有限差分法 (FDM)对使用Cz(Czochralski)法生长Nd∶YAG激光晶体过程中熔体内和晶体内Nd3+ 浓度场进行数值模拟研究。首先给出了Nd∶YAG晶体生长系统的数学模型 ,然后对上述数学模型进行无量纲化处理 ,最后给出相应的边界条件 ,使用有限差分法求解上述方程。应用上述方法编制仿真程序 ,仿真了改变工艺条件后熔体内和晶体内Nd3+ 浓度场的变化情况 ,分析了各种工艺条件对上述场量变化的影响。     

关于计算机网络信息管理及其安全

随着计算机的发展,计算机网络和互联网技术得到广泛的应用,人们对计算机网络信息管理及其安全问题越来越关注.计算机网络信息管理和传统的网络信息管理相比是有很多不同的,它管理的内容包括网络信息及其服务.     

基于Profibus现场总线的车问生产过程自动化管理

为加强汽车总装车间生产组织过程的管理,使相关信息目视化,传递快捷化,工序过程透明化,提高生产组织效率,拟建立该系统。该系统作为生产全过程组织的一个辅助工具,能实现快速的申请呼叫、设备控制、信息传递、实时显示、统计分析、报表生成等,就工序作业、设备状态、质量问题、供应情况等过程进行实时信息传递和管理,对生产全过程构成支持。     

YBCO薄膜的PHREM研究

ＹＢＣＯ薄膜截面样品的高分辨电子显微镜（ＸＨＲＥＭ）研究已有报导［１，２］。它能给出薄膜与衬底之间的界面结构，薄膜的取向和缺陷等结构特征，为制备高质量的薄膜提供依据。与之相比，ＹＢＣＯ平面样品的高分辨电子显微镜（ＰＨＲＥＭ）研究则能给出较大区域的薄膜...     

MBE生长中缓冲层对InSb/GaAs质量影响的研究

用分子束外延(MBE)方法在GaAs(001)衬底上外延生长了InSb薄膜,并研究了异质外延InSb薄膜生长中缓冲层对材料质量的影响.采用原子力显微镜(AFM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线双晶衍射(DCXRD)等方法研究了InSb/GaAs薄膜的表面形貌、界面特性以及结晶质量.通过生长合适厚度的缓冲层,获得了室温下DCXRD半高峰宽为272",迁移率为64 300 cm2V-1s-1的InSb外延层.     

网络互穿型碳化硅陶瓷/铁基复合材料制备及其耐磨性能

通过酚醛树脂固化、碳化及原位硅化的技术制备复杂形状SiC陶瓷,并利用金属浇注工艺制备出了以高锰钢、高铬铸铁为基体的2种网络互穿型SiC陶瓷/金属复合材料。借助湿式橡胶轮摩擦磨损试验机和UMT-3多功能摩擦磨损试验机测试该2种复合材料及2种基体的摩擦学性能,并采用扫描电子显微镜分析了复合材料和基体磨损后的表面形貌。结果表明：由于SiC陶瓷体的强度、硬度比金属基体高,导致在磨损过程中2种基体材料的磨损量较大,且在复合材料表面形成微凸起,使得复合材料的耐磨性能明显提高;SiC陶瓷/高铬铸铁复合材料的耐磨性优于SiC陶瓷/高锰钢复合材料,但SiC陶瓷/高锰钢复合材料的界面结合更好。     

贵州酒业的一颗新星

成都全国糖酒会期间 ,记者随同沈怡方、高月明、高景炎、栗永清、杨明、洪永凯、赵志昌、高军、黄平、赵彤等中国白酒专家、学者应邀前往贵州平坝黔威酒厂考察采访 ,黔威酒厂距离贵阳 50公里 ,记者以前就对该厂略有所闻 ,在糖酒会议的采访中 ,不时听到一些大酒厂的厂长们也要到黔威酒厂去看看 ,记者决定临时改变预定的日程安排 ,放弃其他采访工作 ,随专家们一道去平坝作全程跟踪采访。贵州的三月 ,阳光明媚 ,春暖花开。从机场到县城还不到一小时的路程 ,沿途的青山秀水 ,令初到贵州的人赞不绝口。专家们也在指点河山大声地评论着 ,但行家的…     

汽轮发电机厂房混凝土框架模板制作与安装

介绍岭澳核电站汽轮发电机厂房钢筋混凝土框架结构的施工过程中,框架柱和花篮大梁模板的设计、制作与安装。     

MOFs衍生的CoZnSe@NC电催化剂的制备及析氧性能研究

硒化锌因具有与铂类似的电子结构及低成本而受到广泛关注,但目前硒化锌主要应用于电催化析氢反应(HER)中,其析氧反应(OER)活性仍有待提高,并且传统方法合成的硒化锌粒子尺寸较大且分散性较差.基于此,以双金属CoZn-ZIF为前驱体(Co作为OER活性成分,可有效提高材料的OER性能),通过一步高温硒化得到双金属CoZnSe和氮掺杂碳复合材料(记为CoZnSe@NC).利用X射线粉末衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对复合材料的结构和形貌进行表征,并对其电催化析氧性能进行了测试.结果表明:双金属CoZnSe@NC较单金属ZnSe@NC具有更好的OER性能(10和50 mA/cm²电流密度下CoZnSe@NC的过电位分别为268和354 mV);此外,CoZnSe@NC经长时间多电流步骤(Multi-Current Steps)测试后性能基本保持不变,展现了较好的电化学稳定性.