DMOS阈值电压二维模型

提出了DMOS器件的二维阈值电压模型 ,分析了耗尽层宽度的变化 ,并得到了模型的数学表达式 .模型的解析解与实验结果和二维仿真器MEDICI的数值解相吻合 .给出了沟道表面扩散浓度在 2e16～ 10 e 10 16cm-3 范围内DMOS器件的阈值电压简明计算式 .该模型的提出解决了以往所用的DMOS阈值电压模型计算很不准确的问题 .     

一种新型高发射效率的阳极短路IGBT

提出了一种新型的双发射短接的阳极短路IGBT结构,该结构有两个空穴放射区和二氧化硅阻挡层。首先,第二发射区可以增加空穴的发射效率同时阻止电子直接流向金属,增加了阳极上的电阻和电压,有效的抑制了负阻效应;另一方面,二氧化硅阻挡层使得大量电子聚集在阳极区附近,进一步降低了导通压降。结果表明：相对于传统NPT IGBT, NPN-IGBT和阳极短路IGBT,导通压降分别降低了10%, 17%, 30%。另外,这种阳极短路结构由于有一个电子通道,在关断过程中可以像阳极短路结构一样抽取过剩载流子,使得其关断时间很短,在同样的导通压降下关断,相对于传统NPT IGBT,NPN-IGBT和阳极短路IGBT,关断损耗分别降低了43.7%, 32%, 28%。这种新结构最终实现了导通压降和关断损耗之间很好的折中。     

具有n埋层pSOI三明治结构的射频功率LDMOS的输出特性

提出了具有n埋层pSOI三明治结构的射频功率LDMOS器件.漏至衬底寄生电容是影响射频功率LDMOS器件输出特性的重要因素之一,寄生电容越小,输出特性越好.分析表明n埋层pSOI三明治结构的射频功率LDMOS漏至衬底的结电容比常规射频功率LDMOS和n埋层pSOI射频功率LDMOS分别降低46.6%和11.5%.该结构器件IdB压缩点处的输出功率比常规LDMOS和n埋层pSOI LDMOS分别提高188%和10.6%,附加功率效率从n埋层pSOI LDMOS的37.3%增加到38.3%.同时该结构器件的耐压比常规LDMOS提高了约11%.     

n埋层PSOI结构射频功率LDMOS的输出特性

提出了具有n埋层PSOI(部分SOI)结构的射频功率LDMOS器件.射频功率LDMOS的寄生电容直接影响器件的输出特性.具有n埋层结构的PSOI射频LDMOS,其Ⅰ层下的耗尽层宽度增大,输出电容减小,漏至衬底的结电容比常规LDMOS和PSOI LDMOS分别降低39.1%和26.5%.1dB压缩点处的输出功率以及功率增益比PSOI LDMOS分别提高62%和11.6%,附加功率效率从34.1%增加到37.3%.该结构器件的耐压比体硅LDMOS提高了14%.     

智能型高压SENSFET器件的设计分析和实现

基于JFET原理,采用Double RESURF技术,对SENSFET的降场层注入剂量、始点位置和长度以及Nwell注入剂量等进行优化设计,得到了耐压730V、JFET线性区电阻为7.2×105Ω·μm的智能高压SENSFET器件.流片结果表明,器件宽度为75μm情况下,SENSFET的击穿电压为700V,线性区电阻为10kΩ.设计分析和实验结果吻合得很好.借助该SENSFET器件可以很好地实现智能功率集成电路中高压器件的信号检测和电路的自供电功能.     

功率系统级芯片概念

文章提出了功率系统级芯片(PSoC，Power System on Chip)的概念，介绍了PSoC的几种基本技术；综述了该领域内近年来的一些研究成果：PSoC中超深亚微米非均匀沟道DMOS阅值特性，He注入高速瞬态特性，新型功率变换调制模式——脉冲跨周期调制(PSM，Pulse Skip Modulation)等。期望能对PSoC的发展起到抛砖引玉的作用。     

基于分时电压采样的电子继电器控制电路设计

针对传统电磁继电器在起动机启动时保护能力弱、灵敏度低、寿命短、体积大等缺点,基于0.35 μm CMOS工艺,设计了一种分时电压采样与保护的电子继电器控制集成电路.该电路通过A/D采样模块采集功率MOSFET的漏源电压和过流阈值电压,并利用减法器进行比较,用于判断起动机是否发生堵转,进而控制功率MOSFET的导通/截止,进一步判断起动机的开启或关断.测试结果表明,该电子继电器可在400 A电流下正常启动和在500 A大电流下堵转330 ms后完成过流保护功能.该电路实现了对起动机启动过程的实时监测,确保了起动机的正常启动及发生故障时的快速响应,并增加了过温、欠压等保护功能,提高了电子继电器工作的可靠性.芯片面积为2.24 mm2.     

广式煲仔酱制作配方优化研究

采用单因素实验与正交试验,结合食品感官评定方法,对广式煲仔酱制作配方进行优化,以期为广式煲仔酱的工业化生产提供理论依据。确定最佳配方为柱候酱400 g、海鲜酱420 g、调和油210 g、南乳140 g、腐乳130 g、沙茶酱45 g、花生酱35 g。