400MHz 250W VDMOS功率场效应晶体管

研制出了在４００ＭＨｚ下连续波输出２５０Ｗ，功率增益１０ｄＢ的垂直双扩散场效应晶体管（ＶＤ－ＭＯＳＦＥＴ）．采用Ｍｏ栅降低串联电阻，４００ＭＨｚ下用共源推挽结构成功地进行了并联工作，在Ｖｄｓ＝５０Ｖ下实现了连续波输出２５０Ｗ，增益１０ｄＢ，漏极效率６０％．     

单位综合能耗问题小议

<正> 在国家标准《综合能耗计算通则》(GB2589—81)中提出了单位综合能耗的概念,规定了: 单位产量综合能耗=企业总综合能耗/合格产品总产量单位(净)产值综合能耗=企业总综合能耗/净产值在国家标准《企业能量平衡通则》(GB3484—83)中也将单位综合能耗列为企业能量平衡的技术指标之一。     

日本高炉人工智能控制的应用现状

在高炉上应用人工智能技术的研究,日本领先于世界,并已进入实用化阶段。本文概要介绍新日铁高炉的人工智能技术应用情况与ALIS系统、川崎制铁的AdVanced Go-Stop系统、日本钢管的异常炉况诊断专家系统与炉热控制专家系统,以及住友金属鹿岛厂的混合专家系统。     

基于动态阈值的磷酸铁锂电池组均衡管理研究

针对磷酸铁锂电池组在搁置阶段出现的不均衡问题,通过电池单体开路电压与SOC的拟合方程,利用电池组中的最高电压,得到一个判断电池组不均衡性的动态阈值,并为均衡过程的实现制定了均衡控制策略,最后在MATLAB/Simulink软件平台了搭建了均衡管理模型。     

企业能量平衡(三)

四、效率与效果系数 1.在能量得失平衡中,有效利用能量占供给能量的百分比就是效率,它标志由能源供给的能量的利用程度。 通过有效利用能量从正面确定的效率称为正平衡效率,即     

应对第三代红外焦平面技术挑战的HgCdTe分子束外延

叙述了围绕第三代红外焦平面的需求所进行的HgCdTe分子束外延的一些研究结果.75mm HgCdTe薄膜材料的组分均匀性良好,80K下截止波长偏差为0.1μm.对所观察到的HgCdTe表面缺陷成核机制进行了分析讨论,获得的75mm HgCdTe材料平均表面缺陷密度低于300cm-2.研究发现As的表面黏附系数很低,对生长温度十分敏感,在170℃下约为1×10-4.计算表明,As在HgCdTe中的激活能为19.5meV,且随(Na∑Nd)1/3的增大呈线性下降关系,反比系数为3.1×10-5meV·cm.实验发现Hg饱和蒸汽压下,对应不同的温度240,380,440℃,As在HgCdTe中的扩散系数分别为(1.0±0.9)×10-16,(8±3)×10-15,(1.5±0.9)×10-13cm2/s.采用分子束外延生长的HgCdTe材料已用于红外焦平面探测器件的研制,文中报道了一些初步结果.     

“科学施肥试验——在甘蔗上氮磷钾不同配比研究”通过技术鉴定

经化工部批准,由浙江省化工厅主持的“科学施肥试验——在甘蔗上氮磷钾不同配比研究”的技术鉴定会于1987年4月4日在浙江义乌召开,并通过了鉴定。参加鉴定的     

石油高校科技工作与重点学科建设

世纪之交,石油高校要以雄厚的办学实力和科研优势进入二十一世纪,要成为石油天然气工业在高层次人才培养和科学研究方面的主力军。当务之急,要重视抓紧、抓好重点学科建设,以重点学科带动高校的整体工作,使石油高校跟上新世纪发展的步伐。通过建设重点学科的实践表明,在科技工作与重点学科之间建立一套行之有效的运行机制,意义十分重大。     

高层建筑物地基沉降监测方法分析

高层建筑物进行施工时,由于工程建筑质量方面的缺陷以及地基承载力的限制,在长时间压力作用下,地基沉降发生的概率较高,影响建筑物正常使用以及留下安全隐患。以某高层建筑为监测对象,通过对高层建筑物地基沉降监测要求、监测方法进行分析。同时利用Origin8.0科学计算软件对不同观测点沉降量随时间变化关系的情况,进行了多项式拟合,并开展相关预测,进而保证监测的有效性和真实性。