空心玻璃微珠在有机硅灌封胶中的应用

将不同真密度和粒径的空心玻璃微珠(HGS)用于填充加成型硅橡胶,制得低密度、低导热有机硅灌封胶。考察了不同种类空心玻璃微珠对有机硅灌封胶密度、黏度、热导率等的影响。在HGS体积分数相同的条件下,真密度小的HGS有助于获得更低密度的有机硅灌封胶,但HGS的粒径对有机硅灌封胶密度的影响很小;随着HGS真密度的增大,有机硅灌封胶的黏度也逐渐增大。对于相同真密度不同粒径的HGS,其粒径减小时,灌封胶的黏度略有增大;HGS的真密度对有机硅灌封胶热导率的影响不明显,但相同真密度的HGS,粒径大的HGS填充的有机硅灌封胶热导率偏小。     

“刀把”工作面附近孤岛煤柱稳定性分析

以义桥煤矿已开采“刀把”工作面与接续工作面之间形成的孤岛煤柱为研究对象,采用FLAC^3D数值模拟方法研究了采动影响下孤岛煤柱体内应力集中塑性区发育情况。结果表明：接续工作面推至孤岛煤柱时,在三侧应力叠加下煤柱应力高度集中并完全塑性破坏,煤柱易失稳且易诱发冲击地压;随工作面与孤岛煤柱南端距离增大,应力集中程度随之降低,煤柱稳定性逐渐增大,冲击危险性相应减小。     

基于纸板模具的新型单元排结构施工技术研究

基于枯水季节护滩工程施工工艺与大面积单元排混凝土浇筑需求,提出基于纸板模具的新型单元排结构施工技术.该单元排结构由纵横向纸板、入仓多孔板、丙纶绳、外框架组成,纸板可塑性强,且可进行防水、防潮处理等,无须拆模,在混凝土浇筑完成的同时单元排制作完成,可大幅度缩短大面积单元排制作时间,降低施工成本,减小混凝土浇筑难度,提高单...     

论实名制数字证书的全生命周期管理的重要性

21世纪以来,信息技术的飞速发展以及互联网的不断普及,给电子商务的发展提供了良好环境,如何在交易的过程中保证敏感数据的保密性、完整性、不可否认性,以及如何确认交易双方的真实身份就非常重要.认证中心(Certification Authority,CA)是一个专门负责对参与电子商务的各个实体进行身份验证并发放电子证书的独...     

氧热法制电石技术研究进展

传统电弧法电石生产技术存在着“高能耗、高投入、高污染、低产能”等诸多问题,相比之下,氧热法电石生产技术以部分含碳原料燃烧替代电弧供热,可以避免煤发电过程中约60%的能量损耗,显著提高能源利用率。通过介绍国内外氧热法电石的规模化试验情况,围绕国内氧热法电石技术研发,重点介绍了包括高炉氧热法,北京化工大学的气流床反应器、复合床反应器和淤浆鼓泡床反应器以及神雾科技集团在氧热法制电石方向上的研究进展,并指出由于电石生产的超高温环境下物料性质和运动轨迹的复杂性,未来还需要在氧热法电石反应器设计和材料等方面做更多的研究。     

高分子半导电材料的研制

在以CR为主体材料的高分子半导电材料中,并用10～30份氯化聚乙烯,可改善材料的物理性能、耐热性能和加工性能。导电物质选用具有一定协同效应的导电炉黑和导电石墨并用,其用量以40～70份为宜;加工混炼时,在满足工艺性能的同时,应尽量缩短混炼时间、增大交联密度,使导电物质均匀分散。     

旋流式竖井环形掺气坎的掺气空腔计算

通过试验对旋流式竖井的竖井段流速、压强等进行测量,计算了水流空化数.通过分析,明确了有必要在高水头旋流式竖井泄洪洞中设置掺气减蚀设施.针对旋流竖井环形掺气坎掺气空腔长度的计算问题,从旋流式竖井中水流微团的运动特点出发,运用抛射体理论,推导出旋流式竖井环形掺气坎掺气空腔长度的计算方法,同时将计算结果与试验数据进行了对比,表明给出的汁算方法具有一定的精度,可供工程设计参考.在设置环形掺气坎后,对下游竖井段时均压强影响较小,脉动压强有所增大但频率分布以5 Hz以内的低频为主,不会对井壁构成威胁.     

媒体融合视域下大学生爱国主义教育研究

随着媒体融合的不断发展,爱国主义教育呈现出新的特点,如教育的时空性实现新突破,教育素材、学习形式更加丰富,学生的主体性得到加强等。面对新形势,新时代爱国主义教育要与时俱进,因事而化、因时而进、因势而新,教育者要不断提高工作能力和水平,通过丰富教育内容、创新工作方法、健全体制机制等途径增强爱国主义教育的时效性。     

退火温度对Cr-Si压阻薄膜电性能的影响

采用射频磁控溅射法在氧化铝陶瓷基底上制备了Cr-Si-Ni-Ti压阻薄膜,研究了不同退火温度对薄膜电性能的影响.结果表明:在溅射态及退火温度低于600℃时,薄膜为非晶态.随着退火温度的升高,薄膜的电阻温度系数(TCR)逐渐增大,应变因子(GF)先增大后减小,室温电阻率(ρ)则逐渐降低.在退火温度为300℃时,Cr-Si...     

MBE生长的GaN的物性

用分子束外延技术制备了厚度为0.8μm的GaN样品。采用反射高能电子衍射、原子力显微镜和高分辨率X光衍射仪对样品进行了表征分析。研究发现:样品中刃位错密度为2.2×1010cm-2,比螺位错密度高1个数量级;室温光致发光的研究发现很强的带边峰,黄带和蓝带发光比带边峰强度要低1～2个数量级;室温霍尔测量发现迁移率为129 cm2/v.s,载流子浓度为2.421×1014cm-3。实验结果表明,采用MBE方法生长的GaN能有效降低背景浓度,但是晶体质量较差,位错密度较高。