用MOVPE生长的InAlAs/InGaAs/InP异质结MODFET

<正>《Electronics Letters》1991年8月报道了用MOVPE方法生长的高性能InAlAs/InGaAs/InP异质结MODFET。由于这种结构的材料具有较高的室温电子迁移率和高的有效电子速度,所以,它在超高频响应和增益方面,优于以GaAs为衬底的异质结MODFET。     

用准分子激光器辐射法在硅中掺杂精确控制薄层电阻

<正>《IEEE EDL》1991年11期发表了制造VLSI器件中亚微米尺寸的高表面浓度浅结新形成工艺。它用准分子激光器辐射实现硅中的硼掺杂。该工艺的特点是能精确控制高表面浓度的薄层电阻。 工艺制造采用两步方法。第一步是淀积掺杂源,第二步是掺杂原子的掺入。硅片是电阻率     

用MOMBE生长掺碳或掺锡的npn和pnp AlGaAs/GaAs HBT

<正>npn GaAs/AlGaAs HBT是一种具有优良特性的器件,在数字、模拟及微波等方面均具有广阔的应用前景。pnp GaAs/AlGaAs HBT在互补技术应用方面也是一种很重要的器件。 《Electronics Letters》1991年12月发表了介绍制造npn和pnp GaAs/AlGaAs HBT的文章。近期实验表明,在HBT制造中用掺碳和锡代替掺铍和硅能减少寄生电阻与提高可靠性,且具有很好的直流和射频特性。     

用AlGaAs/GaAs HBT前置放大IC的10 Gbit/s光接收模块

<正>高速高灵敏接收模块是10Gb/s光传输系统的关键部件。《Electronics Letters》1992年第3期报道了日本NEC公司光电研究实验室用AlGaAs/GaAs HBT前置放大IC的10Gb/s光接收模块。模块中的AlGaAs/GaAs HBT用自对准方法制造。采用了厚发射极接触金属和InGaAs帽层两项措施,使发射极接触电阻比较低且均匀性好,因此,导致基区开通电压、电流增益和跨导有较好的均匀性。发射极面积为2×10μm~2,器件的截止频率 f_T和最高振荡频率f_(max)分别为41GHz和44GHz。     

大圆片级制造0.2μm线宽的移相光刻技术

<正>据美国《Semiconductor International》1992年第6期报道,日本夏普公司研究成功大圆片级制造0.2μm线宽的移相光刻技术,它将应用于从64Mb到256MbDRAM的制造。随着电路集成度的提高,线宽不断减小,制造4 Mb DRAM需要线宽为0.8μm,而64Mb到256Mb则需线宽0.3～0.2 μm。     

采用相位单脉冲技术的机载警戒雷达的性能预测

对于警戒或成像雷达,相干和非相干积分或相干和非相干平均,都可以作为提高信-噪(功率)比的一种方法。本文根据固定天线相位微分(单脉冲)雷达,对一种简单的机载雷达的预期性能进行了检验,这种相位微分雷达采用了非相干脉冲积分。文中把经典雷达分析中描述非相干脉冲积分效应的理论方程推广到双天线相位单脉冲雷达中。如果辨认出这种雷达产生的图象是由距离和方位的离散象素组成的数字图象,就可以得到输出信号概率密度函数的有效简化形式。本文指出,如果信-噪比和信-杂比在0dB以上,就可以得到合理的检测和虚警概率。     

采用Ti/TiW/Au栅制作Si衬底上CaAs MESFET与集成电路

本文从制备硅集成电路(SiIc)与砷化镓集成电路(GaAs IC)单片兼容电路的要求出发,提出了Ti/TiW/Au肖特基金属化结构,制备出了性能良好的Ti/TiW/Au栅Si衬底上分子束外延(MBE)的GaAsMESFET与GaAs IC。     

激光合成Al_2O_3-WO_3线性热敏材料

应用大功率CO_2激光器非平衡态高温、快速合成陶瓷新工艺,合成了Al_2O_3-WO_3系线性NTC热敏材料。并从激光合成工艺、材料组成、热老化、材料的抗氧化性及耐酸碱性等方面对合成陶瓷材料进行了试验。