亚微米技术芯片用先进测试技术

进入新千年，微处理器最重要的两家供应商——Intel和IBM公司分别宣布采用0.13mmCMOS工艺生产时钟频率2GHz以上的芯片。Intel公司的CMOS器件栅极长度只有70nm和栅极氧化层厚度1.5nm，并且准备再缩小尺寸，将栅极长度减小到30nm，而栅极氧化层厚度变成0.6nm(此时相当于3个原子层)。预期2005～2010年，Intel在300mm硅圆片上制造出含有4亿晶体管的微处理器芯片，在工作电压1V下时钟频率达到10GHz。IBM公司的0.13mm SOI(硅绝缘体)工艺配合9层铜布线，2001年从实验开发中心转入制造阶段，生产时钟频率2GHz的高级微处理器，并且进一步…     

静电感应功率场效应晶体管的基本特性及其开关应用

静电感应场效应晶体管(SIT)是近十年来发展较快的一种新结构半导体器件。本文介绍了目前我国生产的两类SIT的静态和动态特性,对等效电路提出了折线模型。提供了两种用SLT作为开关器件的脉冲电路,这些电路为SIT的高速功率脉冲应用展现了良好的前景。     

设备洗涤效率与黑液提取率的计算

本文论述了设备洗涤效率与黑液提取率的不同概念,以及它们的相互关系。在理论上提出了设备洗涤效率和黑液提取率的计算公式,并举例加以说明。     

光子学与半导体光子器件

介绍一些基本光子器件，如激光器、光探测器、光双稳器件、光晶体管及光集成电路等，以使读者对这类重要器件有基本了解。     

VXI总线的十年

一、继往开来七十年代测量仪器完成手动到程控的过渡。随着仪器的功能越来越多,面板的开关、旋钮随之增加;测量系统需由专用控制器和多种单台仪器构成;各生产厂商自成体系,互不兼容。GPIB应运而生。它的前身是HP公司的HPIB,从1965年酝酿,经十年努力,HP公司的测量仪器均采用这种总线,效果显著,成绩斐然,同时也确立了测量仪器业的领导地位。1975年以HPIB为蓝本的     

时域网络分析器的校准和带宽扩展

本文提供一种时域反射和时域传输测量系统的校正方法，能够对测量系统的响应误差作校正。本文根据系统的Ｓ参数模型，推导出一组能满足时域校正所需的计算标准。利用本文的校正技术，对ＨＰ公司的一套ＴＤＲ和ＴＤＴ系统作校正，使系统的带宽从８ＧＨｚ提高到２０ＧＨｚ。     

450mm:可望而不可及的下一代晶圆(上)

半导体业界经过八年不懈的努力,终于实现了晶圆尺寸从200mm到300mm的过渡.业界早在1998年已开始筹建300mm制造厂,当时工艺以130nm制程为主,进入2000年工艺向100nm过渡,导致IC制造厂需要大小尺寸同时兼顾,一方面是晶圆尺寸的增大,另一方面是制程尺寸的缩小,使300mm实现的难度比预期的高.     

双向负阻晶体管的高频和脉冲运用

本文从双向负阻晶体管(BNRT)的等效电路出发,导出了BNRT的工作模式。给出了BNRT的直流参数以及高频和脉冲性能的测量结果,提出了BNRT组合运用的基本电路。初步应用表明,BNRT是一种优良的低压高速器件,它不仅可以独立构成许多独特的高频和脉冲电路,而且容易同大多数现有高速半导体器件匹配运用。BNRT的出现,为脉冲电路和系统的设计,提供了一种新的高速开关器件,大大增加了电路设计的灵活性。     

固体化高压毫微秒脉冲源

本文介绍采用雪崩管开关的马克斯高压毫微秒脉冲发生器的基本原理和设计考虑。实验结果表明,用这种方法很容易获得上升时间小于3ns,输出幅度超过5000V 的高压毫微秒脉冲。最后,还讨论了这种脉冲源的可能应用。