全文获取类型
收费全文 | 7398篇 |
免费 | 348篇 |
国内免费 | 329篇 |
专业分类
电工技术 | 303篇 |
综合类 | 467篇 |
化学工业 | 1743篇 |
金属工艺 | 353篇 |
机械仪表 | 499篇 |
建筑科学 | 545篇 |
矿业工程 | 319篇 |
能源动力 | 116篇 |
轻工业 | 526篇 |
水利工程 | 233篇 |
石油天然气 | 465篇 |
武器工业 | 141篇 |
无线电 | 690篇 |
一般工业技术 | 406篇 |
冶金工业 | 189篇 |
原子能技术 | 49篇 |
自动化技术 | 1031篇 |
出版年
2024年 | 48篇 |
2023年 | 166篇 |
2022年 | 164篇 |
2021年 | 192篇 |
2020年 | 161篇 |
2019年 | 273篇 |
2018年 | 297篇 |
2017年 | 76篇 |
2016年 | 108篇 |
2015年 | 187篇 |
2014年 | 482篇 |
2013年 | 301篇 |
2012年 | 318篇 |
2011年 | 402篇 |
2010年 | 394篇 |
2009年 | 435篇 |
2008年 | 480篇 |
2007年 | 357篇 |
2006年 | 315篇 |
2005年 | 280篇 |
2004年 | 315篇 |
2003年 | 205篇 |
2002年 | 212篇 |
2001年 | 287篇 |
2000年 | 227篇 |
1999年 | 195篇 |
1998年 | 149篇 |
1997年 | 110篇 |
1996年 | 125篇 |
1995年 | 115篇 |
1994年 | 80篇 |
1993年 | 71篇 |
1992年 | 78篇 |
1991年 | 62篇 |
1990年 | 59篇 |
1989年 | 57篇 |
1988年 | 40篇 |
1987年 | 35篇 |
1986年 | 38篇 |
1985年 | 48篇 |
1984年 | 38篇 |
1983年 | 19篇 |
1982年 | 18篇 |
1981年 | 19篇 |
1980年 | 6篇 |
1979年 | 11篇 |
1965年 | 2篇 |
1958年 | 4篇 |
1957年 | 3篇 |
1956年 | 3篇 |
排序方式: 共有8075条查询结果,搜索用时 0 毫秒
61.
金属零件选区激光熔化快速成型技术的现状及发展 总被引:1,自引:0,他引:1
选区激光熔化(SLM)是为了直接获得致密的金属零件而发展起来的一种新型快速成型工艺.该方法利用直径30~50 μm的聚焦激光束,把金属或合金粉末逐层选区熔化,堆积成一个冶金结合、组织致密的实体.其外形不需进一步加工,经抛光或简单表面处理就可直接作模具或工具使用.阐述了目前SLM设备、工艺、软件等方面的现状、发展及应用. 相似文献
62.
63.
驱动死区时间控制及其对D类音频功率放大器稳定性的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
在D类音频功率放大器中,驱动死区时间控制是一个很流行的术语。它被用来防止击穿的发生。在当今的D类音频功率放大器的设计中,随着开关频率的不断提高,死区时间间隔相对于开关周期也变得足够的长,以至于影响了系统的性能。然而,短而有效的死区时间设置对于在D类转换端口获得更好的线性总是有益的。本文将详细阐述驱动死区时间控制对D类音频功率放大器的影响。通过采用内置的死区时间产生模块的驱动集成电路芯片来降低D类音频功率放大器外部端口器件的数量。仅通过两个额外的电阻来设置DT引脚电压就很容易地得到可选择的预编程死区时间。这种设置死区时间的方式可以阻止外部噪声对系统转换时间的影响,这对于音频的性能是至关重要的。 相似文献
64.
一种低工艺敏感度,高PSRR带隙基准源 总被引:1,自引:2,他引:1
实现了一种高精度带隙基准源,该基准源在预调节电路中应用了电源行波减法技术,显著改善了输出电压的电源抑制比。提出了采用电流负反馈技术稳定预调节电路电流的方法,降低了带隙基准的温度特性和电源抑制比对阈值电压的敏感度。考虑晶体管阈值电压发生±20%变化的情况下,仿真得到的基准源的温度系数和电源抑制比变化分别只有0.11ppm和7dB。测试结果表明,该基准源在-20~100℃的范围内的有效温度系数为25.7ppm/℃,低频电源抑制比为-68dB。其功耗为0.5mW,采用中芯国际0.35μm5-V混合信号CMOS工艺实现,有效芯片面积为300μm×200μm。 相似文献
65.
66.
A synchronous boost DC-DC converter with an adaptive dead time control (DTC) circuit and antiringing circuit is presented. The DTC circuit is used to provide adjustable dead time and zero inductor current detection for power transistors and therefore, a high efficiency is achieved by minimizing power losses, such as the shoot-through current loss, the body diode conduction loss, the charge-sharing loss and the reverse inductor current loss. Simultaneously, a novel anti-ringing circuit controlled by the switching sequence of power transistors is developed to suppress the ringing when the converter enters the discontinuous conduction mode (DCM) for low electromagnetic interference (EMI) and additional power savings. The proposed converter has been fabricated in a 0.6 #m CDMOS technology. Simulation and experimental results show that the power efficiency of the boost converter is above 81% under different load currents from 10 to 250 mA and a peak efficiency of 90% is achieved at about 100 mA. Moreover, the ringing is easily suppressed by the anti-ringing circuit and therefore the EMI noise is attenuated. 相似文献
67.
本月初,美空军授予洛克希德·马丁公司2项定价合同共计1.2亿美元,用以生产第5、6、7、8共4颗GPSⅢ卫星。其中,第5、6两颗卫星的定价合同价值6200万美元,计划于2017年6月30日前完成卫星制造。卫星由2013联邦财政年度预算提供资金,并将在位于宾夕法尼亚新城的工厂建造。洛马公司目前执行的合同任务是生产首颗GPSⅢ卫星,空军计划采购32颗GPSⅢ卫星。 相似文献
68.
本刊1981年第4期发表了“示波器的冲量和测量脉冲的冲量”一文后,又于1982年第1期发表了“对《示波器的冲量和测量脉冲的冲量》一文的商讨”。应当说这是一种可喜的现象,有利于技术交流,寻求测试技术与测试方法的研究与探讨。现将读者来稿在这方面的论讨分期选登,仅供大家参考。 相似文献
69.
中国石油玉门油田分公司炼油化工总厂针对汽油市场需求量大,柴汽比下降的趋势,在催化裂化装置中掺炼了29.52%的直馏柴油。从催化裂化装置原料性质、产品分布、关键工艺参数等多方面优化催化裂化装置的运行,在确保催化裂化汽油产品质量合格的情况下,装置总液体收率增加1.11百分点,汽油收率提高1.75百分点,柴油收率提高0.19百分点,柴汽比下降0.03单位,同时油浆固含量、催化剂单耗等关键指标均得到较大改善。并对典型燃料型炼油厂催化裂化装置掺炼直馏柴油后,全厂汽油池辛烷值和柴油池十六烷值变化进行了分析,针对汽油辛烷值、柴油十六烷值下降的情况提出了优化运行的建议。 相似文献
70.
为弄清渤海A油田沙三下亚段的储层特征及物性控制因素,利用薄片、扫描电镜、压汞及常规物性等分析化验资料,分析了储层的岩石成分、孔隙类型及结构、物性特征,并从沉积、成岩和构造作用等方面探讨了储层物性的控制因素。研究表明,沙三下亚段扇三角洲储层主要由成分成熟度低的岩屑长石砂岩组成,孔隙类型主要为原生粒间孔、溶蚀孔及残余原生孔组成的混合孔,孔喉结构表现为微细-细特征,属于低、特低孔-特低渗储层。储层物性主要受控于沉积作用、溶蚀作用及构造活动等。扇三角洲前缘分流河道及河口砂坝沉积环境控制了砂岩碎屑颗粒的粒度和分选,物性较好。压实和胶结作用是储层低渗的主要原因,有机酸对长石、岩屑的溶蚀造成了储层次生孔隙的发育,异常高压的形成减弱了压实作用的强度,促进了原生粒间孔的保存。构造活动形成的断层附近裂缝发育,有助于改善储层物性。综合分析认为,水动力较强的原始沉积环境、后期溶蚀改造及裂缝发育是相对高孔渗储层发育的主控因素。 相似文献