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这是一个常驻内存的中断处理程序,用以记录使用微机时从键盘打入的内容,避免由于突然停电而来不及存盘所造成的损失。 相似文献
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有线电视网络运营商切入互联网业务,为有效控制成本,常采用小步快跑的发展策略.HFC双向网络改造在节点尽量小的前提下,业内提出了500户的光节点改造与建设标准。在互联网业务发展早期,因入网率不高,调制解调器终端系统(CableModem Termination System,CMTS)上行端口往往会采用四混一甚至更高比例的接入混合比:随着业务的不断发展,用户数量的增加存在随机性,体现在CMTS端口上,表现为某些端口在某些特定时间上行或下行流量饱和.用户明显感受网速慢,体验比较差。 相似文献
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为了解决MEMS封装过程中易对微致动件造成损伤的问题,提出了一种低成本、与CMOS工艺兼容的晶圆级薄膜封装技术,用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)法制备的低应力SiC作为封装和密封材料。此材料的杨氏模量为460 GPa,残余应力为65 MPa,可使MEMS器件悬浮时封装部位不变形。与GaAs,Si半导体材料相比,SiC具有较佳的物理稳定性,较高的杨氏模量等性能优势。将PECVD薄膜封装技术用于表面微结构和绝缘膜上Si(SOI)微结构部件(如射频开关、微加速度计等)封装中,不仅减小了封装尺寸,降低了芯片厚度,简化了封装工艺,而且封装芯片还与CMOS工艺兼容。较之晶圆键合封装方式,此晶圆级薄膜封装成本可降低5%左右。 相似文献
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设计了一种宽带、低相位噪声差分LC压控振荡器(VCO)。所设计的电路采用开关电容阵列和开关电感,实现了多波段振荡输出。对负阻环节跨导进行了优化设计,将热噪声控制在最小范围内,同时采用高品质因数片上螺旋电感,以减小电路的噪声干扰。采用台积电(TSMC)0.35μmSiGe BiCMOS工艺制作了流片,并进行了仿真和硬件电路实验。实测结果表明,当调谐电压为0~3.3 V时,可设定VCO工作在6个波段(1.9~2.1 GHz,2.1~2.4 GHz,2.4~3.0 GHz,3.0~3.4 GHz,3.4~4.2 GHz,4.2~5.7 GHz),此6波段连续可调,构成了1.9~5.7 GHz宽带VCO;VCO的中心频率为2.4 GHz、偏离中心频率为1 MHz时实测相位噪声为-111.64 dBc/Hz;在3.3 V电源电压下实测核静态电流约为1.8 mA,从而验证了宽带、低噪声BiCMOS LC VCO设计方案之正确性。 相似文献
108.
建立了以d5-3-氯-1,2-棕榈酸二酯为内标物,面积比法定量测定食用植物油中3-氯-1,2-丙二醇酯(3-MCPD酯)的气相色谱-质谱检测方法。样品加内标后经甲基叔丁基醚溶解,与甲醇钠-甲醇溶液酯交换反应4 min后加酸性溴化钠终止反应。使用液液萃取法进行萃取后,加0.2 m L苯基硼酸于45℃下衍生20 min,进气相色谱-质谱检测。结果表明:该方法操作简单、灵敏度高,最低检出限为10μg/kg。利用该方法研究了不同植物油精炼过程和冷冻储存时间对3-MCPD酯含量的影响,试验表明脱臭工段是产生3-MCPD酯的主要来源,随着植物油储存时间的延长3-MCPD酯含量呈降低趋势。 相似文献
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