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51.
微型真空力敏器件的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文首次用电荷模拟法计算了真空微电子力敏传感器的场致发射阴极与阳极间的电场分布,同时计算了<100>晶向的方形硅薄膜受压形变与压力的关系,进而得出了这种传感器的电流-压力曲线.还做了水槽模拟电场分布的实验,理论与实验符合的很好. 相似文献
52.
53.
54.
55.
抗任意旋转攻击的数字水印防伪技术 总被引:3,自引:3,他引:3
针对目前频率域水印技术无法有效抵抗旋转攻击的 问题,提出一种基于结构相似性指数(SSIM,structural simila rity)的抗旋转攻击数字水印算法。首先将水印与参考光干涉生成离散余弦变换(DCT)全息图 像后;然后利用DCT嵌入到宿主图像的B通道中 频域中;最后,在提取水印时,利用SSIM检测校正图像旋转角度后逆DCT得到 水印。实验表明,以嵌入强度a=0.1嵌入后,含水印图像的峰值信噪比(PSNR)达到43,能有效的抵抗1~360°的旋转攻击,旋 转校正精度可达1°。嵌入水印有很强的不可 见性,提取水印清晰,嵌入量较大,旋转校正时需要原始图像,属于明水印。因此,本文算 法能准确地从受到旋转、滤波、噪声、 裁切和几何形变等攻击的宿主图像中提取水印,可用于版权方的版权保护需求。 相似文献
56.
58.
研究了一种应用于IEEE 802.16a OFDM(正交频分复用)系统的低复杂性最大似然信道估计器,并与LS估计、MMSE估计的BER、MSE性能及其计算复杂度进行了比较,仿真结果表明,此估计器能够极大的减小计算的复杂性并能达到较好的性能。 相似文献
59.
60.
为了获得低驱动电压、长寿命和高光效的有机电致发光二极管(OLED),本文介绍了一系列基于1,3,5-三嗪和7,7-二甲基-5,7-二氢茚并[2,1-b]咔唑的新型n型磷光主体材料DTRz、DBTRz和DCNTRz。首先,对它们的电化学性质、光物理性能及热稳定性进行研究,并进行密度泛函理论(DFT)计算。实验与计算分析结果表明:DTRz、DBTRz和DCNTRz具有较高的三线态能级(2.83,2.71,2.72 eV),较高的分解温度(411,499,419oC),随后与P型主体NBPBC(1∶1)混合后对其光致发光光谱进行研究,并以此为基础,以Pt(BBP)为客体掺杂剂进行了器件制备。器件结果分析表明,DCNTRz∶NBPBC为基础的器件的启动电压为2.1 V,最高外量子效率达14.3%,最大亮度达221 589 cd·m-2,在1 000 cd·m-2下电流效率最高达46.5 cd·A-1,最大功率效率达45.7 lm·W-1。特别是在4 000 cd·m-2下器件寿命(LT... 相似文献