一种新的基于快速功控的多普勒估计

针对采用快速功控的移动通信系统提出了一种简便的多普勒估计方法。该方法利用功控后的接收信号电平的平稳性与最大多普勒频移有密切关系这一特点，通过测量接收信号电平的平稳性估计多普勒频移。文中在单径瑞利衰落信道条件下对这一方法进行了仿真验证，并同文献中提出的COV方法进行了比较，仿真结果表明在信道变化不是太快时本方案有较好的估计精度。     

机动平台远程监控系统

介绍基于移动通信技术的机动平台远程监控系统的组成及工作原理，对实时通信情况下通信信道的设置进行了初步分析。     

橡胶促进剂DM的合成工艺

M氧化生成DM是自由基反应机理，结合微反应器机理，采用分子氧化的反应方式，选用绿色溶剂异丙醇、环境友好型氧化剂H202，一步法制取高品质DM。对反应时间、反应温度、氧化剂用量等因素进行考察，确定最佳工艺条件为：反应时间90min，反应温度55℃，氧化剂不过量，碱过量5％，M—Na溶液M含量30％，加料时N60 min，溶剂用量为M—Na溶液质量的1．5倍，所得产品质量合格，熔点可达180℃。     

流量比对等离子体基团分布和薄膜结构的影响

使用光强标定的发射光谱(AOES)测量了CHF3／C6H6混合气体的微波电子回旋共振(ECR)放电等离子体中基团的分布状态。实验发现随着CHF3流量的增加，成膜基团CF、CF2、CH等的相对密度增大，而刻蚀基团F的密度也会增加，从而使得a—C：F薄膜的沉积速率降低。同时红外吸收谱(IR)分析表明，在高CHF3流量下沉积的a—C：F薄膜中含有更高的C—F键成分。可见在a—C：F薄膜的制备中CHF3／(CHF3 C6H6)流量比是重要的控制参量。     

用CMOS工艺实现VSR光电集成接收机的途径

介绍了10Gbit／s速率的甚短距离光传输系统VSR(Very Short Reach)中的接收机。分析了几种有希望用于VSR系统的CMOS工艺兼容的光电探测器。提出用CMOS电路实现VSR光电集成(OEIC)接收机的可能性和实现方法。     

浅谈电视灯光设计软件

电视灯光是一门造型艺术，演播室灯光设计水平是影响电视节目质量诸多因素中极其重要的因素，本向读介绍了一种灯光设计软件，通过该软件可以实现灯光设计可视化，可大幅度提高设计的准确度和工作效率。     

分布式光纤拉曼放大器的增益平坦设计

介绍了在波分复用（WDM）系统中分布式光纤拉曼放大器（FRA）的理论分析模型。在此基础上，对增益平坦设计所需考虑的因素进行了分析；最后通过试验证明了它的有效性。     

循环结构——循环控制语句（1）

今天我想给大家来点快餐——用循环控制语句来编写循环结构程序。用新的方法来编写前几期一些题目的程序，这要比原来快捷得多。     

砂岩酸化中水化硅沉淀的影响因素分析

讨论了砂岩酸化中产生水化硅沉淀的反应机理。使高岭土与1.0%HF和多种配比的HCl HF在不同温度(20-90℃)反应不同时间(10-300分钟),用等离子吸收光谱法(ICP)测定酸液中可溶性硅的浓度(mg/L),取某时段测定值的减小量为该时段水化硅沉淀生成量,讨论了多种因素的影响,得到了如下结果和结论。反应温度越高,则高岭土与HF之间的反应越快,形成水化硅沉淀的时间越短,最终生成的沉淀量越大;在HF中加入HCl(使用土酸体系)、减小土酸中HF质量分数、加大土酸中HCl、HF质量分数比,均可使生成沉淀时间延后,使最终生成沉淀量减少。60℃时300分钟沉淀量,在1.0%HF、5.0%HCl 1.0%HF、9.0%HCl 1.0%HF中分别为482、321、201mg/L。提出了在酸化设计与施工中可以采取的6条简便易行的减少水化硅沉淀量的措施。图4表1参6。     

基于Linux的以太网数据包捕获方法

网络数据的捕获是入侵检测系统的基础,本文在分析了以太网工作模式的基础上,实现了基于Linux操作系统上的以太网数据包捕获,与传统的套接字方法进行比较,说明该方法具有高效率和良好的兼容性。