核壳结构Au@SnO2的制备及其低温下的正丁醇气敏性能

以SnCl₄·5H₂O和HAuCl₄·3H₂O为原料,以L-半胱氨酸为连接剂,通过水热法制备Au@SnO₂核壳结构纳米颗粒。由透射电子显微镜和X射线衍射结果发现二氧化锡（SnO₂）与金（Au）颗粒的平均粒径分别为4.9 nm和10.5 nm。SnO₂颗粒堆积在Au核表面形成了具有多孔壳结构的复合材料,比表面积达到178.82 m²/g,总孔隙体积为0.165 1 cm³/g。Au@SnO₂核壳结构的存在使得传感器对正丁醇具有优异的气敏性能,在80 ℃时的灵敏度达到8 669.15,检测极限达到3.9×10^-3 g/m³,显著提高了SnO₂的灵敏度,并降低了最佳工作温度。     

利用发射光谱探究CO2对MPCVD法生长单晶金刚石质量的影响

等离子体发射光谱作为一种非侵入性等离子体诊断手段能有效探测等离子体内部基团的变化信息,对这些信息的分析可以反映等离子体的特性,从而有助于探究影响单晶金刚石生长结果的原因和机理。CO₂是一种比O2更安全的气体,近年来在源气体引入CO₂生长高质量单晶金刚石的研究日渐增多。本文利用微波等离子体化学气相沉积法在4.2 kW的微波功率下进行单晶金刚石同质外延生长实验,对生长过程中的CH4/H2/CO₂等离子体进行了发射光谱诊断,最后结合光谱信息和拉曼光谱表征研究了CO₂体积分数对单晶金刚石生长质量的影响,结果发现CO₂浓度增加对C2和CH基团强度抑制作用明显,对C2抑制作用最强,这也是导致生长速率下降的主要原因。I(CH)/I(Hα)比值略有增加,说明CO₂增加对金刚石前驱物的沉积有促进作用,这在一定程度上减弱了对生长速率的不利影响。拉曼表征结果说明0～5%CO₂浓度下的单晶金刚石质量随CO₂浓度上升变好,且浓度为5%时,...     

纳米白炭黑增强丁苯橡胶材料的制备与表征

采用正硅酸四乙酯为二氧化硅前驱体,纳米二氧化硅前驱体反相微乳液与溶聚丁苯橡胶原胶溶液共混原位反应生成纳米二氧化硅,使二氧化硅微粒均匀分散在溶聚丁苯橡胶原胶液中,形成二氧化硅纳米级分散的溶聚丁苯橡胶溶液,最后经过汽提干燥工艺,得到二氧化硅纳米级分散的丁苯橡胶/纳米二氧化硅绿色轮胎母炼胶.对制备出的复合材料进行X射线衍射、扫描电子显微镜等测试分析,发现制备出的二氧化硅的平均粒径为40.4nm.同时,制备出的二氧化硅被丁苯橡胶很好地包裹在内,均匀地分散在丁苯橡胶内.     

掺镍多孔纳米SnO2材料的制备及其气敏性能

以SnCl4·5H2O为原料,聚乙二醇(PEG-1000)作为分散剂,利用沉淀法制备出SnO2纳米粉体,采用扫描电镜(SEM)和X-射线衍射(XRD)对其形貌和微观结构进行表征.并以其作为基底材料以离子的形式掺杂摩尔比为1%的Ni2+作为气敏材料,制作掺杂和未掺杂两种旁热式气敏元件,测试其对乙醇、甲醇和丙酮的气敏特性.发现在较低的工作温度下两种元件对三种气体都有较高的敏感性,同时Ni离子的掺杂对三种气体的灵敏度有不同的影响,对乙醇表现出很好的选择性.     

染料敏化TiO2薄膜表面分析

采用滚压涂敷法，利用添加聚乙二酵表面活性剂的TiO2溶胶在玻璃基底上制备了TiO2薄膜，通过吸附法对薄膜表面进行染料敏化处理．对染料敏化处理前后的薄膜进行了XPS和AFM表征分析，分析结果表明，未敏化处理的薄膜孔隙中吸附了大量的氧，薄膜敏化处理后，表面的吸附氧被敏化剂分子中的羧基氧取代，染料敏化剂分子通过化学吸附在薄膜表面形成单分子膜．     

染料敏化TiO2薄膜表面分析

采用滚压涂敷法,利用添加聚乙二醇表面活性剂的TiO2溶胶在玻璃基底上制备了TiO2薄膜,通过吸附法对薄膜表面进行染料敏化处理.对染料敏化处理前后的薄膜进行了XPS和AFM表征分析,分析结果表明,未敏化处理的薄膜孔隙中吸附了大量的氧,薄膜敏化处理后,表面的吸附氧被敏化剂分子中的羧基氧取代,染料敏化剂分子通过化学吸附在薄膜表面形成单分子膜.     

纳米Co3O4的制备及其臭氧辅助下对乙醇的气敏性能

以CoOCl₂·6H₂O为钴源,NaOH为沉降剂,通过水热法制备出Co₃O₄纳米粉末,并以Co₃O₄纳米粉末为敏感材料制作了旁热式气敏元件。X射线衍射和透射电子显微镜表征显示Co₃O₄纳米粉晶粒平均粒径15.6 nm。气敏测试结果表明元件在80 ℃、臭氧质量浓度为4.280×10^-8 g/mL的条件下,对2.009×10^-7 g/mL乙醇的灵敏度达到29,而空气中时元件对乙醇的灵敏度仅为4,O₃的加入提高了Co₃O₄气敏元件在80 ℃的灵敏度,并将对乙醇气敏的最佳工作温度由100 ℃降低至80 ℃,实现了Co₃O₄在低温下（80 ℃）的气敏性能检测。     

解决高层建筑结构差异沉降的方法

阐述三种解决高层建筑结构差异沉降的方法,比较这三种方法的优、缺点。